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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術的技術應用，EUV光刻機的技術、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。

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臺積電EUV光刻機采購將超過50臺；完全自主知識產(chǎn)權！我國三代核電技術 “國和一號”研發(fā)完成…

9月28日消息，臺積電加速先進制程推進，近期擴大釋單，累計 EUV 機臺至 2021年底將超過50臺。報道指出，相較之下，三星電子（Samsung El...

2020-09-29 標簽：臺積電核電 EUV 4.3k 0

美光DRAM技術路線解讀

美光表示，隨著從1Xnm到1Yn和1Znm的轉變，位密度的增長速度減慢了。但是，該公司加快了增長率，從1Znm到1αnm工藝節(jié)點尺寸增加了40％。

2020-12-02 標簽：芯片 DRAM EUV 4.3k 0

中芯訂購EUV設備，只為縮小差距

據(jù)知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設備，在中美兩國貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場領先者的技術差距，確保關鍵設備的供應...

2018-05-27 標簽：英特爾中芯國際三星電子 4.3k 0

半導體巨頭為什么追捧EUV光刻機

近些年來EUV光刻這個詞大家應該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也...

2020-02-29 標簽：處理器 cpu euv 4.2k 0

傳三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術逐漸導入EUV技術之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在...

2018-10-29 標簽：DRAM 三星電子 EUV 4.2k 0

英特格宣布新一代光罩盒已獲ASML認證

微電子產(chǎn)業(yè)特種化學品和材料解決方案廠商英特格（Entegris）宣布，新一代的光罩盒已獲得半導體生產(chǎn)設備商艾司摩爾（ASML）的認證，可用于極紫...

2018-08-22 標簽：半導體 EUV ASML 4.2k 0

三星將在明年推5/4nmEUV工藝 2020年推3nmEUV工藝

隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進半導體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導體公司就只剩下英特爾、臺積電及三星了，不過英...

2018-09-06 標簽：三星電子 FinFET EUV 4.2k 0

臺積電基于GAA技術的2nm制程將會在2025年量產(chǎn)

臺積電2021 年12,000 種產(chǎn)品，其中采用了300 多種制程，這些都是生態(tài)系合作的結果，沒有生態(tài)系的支持，臺積電就沒辦法進步。

2022-09-06 標簽：臺積電芯片設計 EUV 4.2k 0

臺積電率先導入EUV量產(chǎn)，將繼續(xù)穩(wěn)坐晶圓代工龍頭寶座

臺積電明年上半年將獨步同業(yè)，成為全世界第一家采用最先進的極紫外光（EUV）微影設備完成量產(chǎn)的晶圓代工廠，助攻臺積電橫掃全球多數(shù)第五代行動通訊（5G）及人...

2018-07-23 標簽：臺積電晶圓 euv 4.2k 0

芯片制造關鍵的EUV光刻機單價為何能超1億歐元？

進入10nm工藝節(jié)點之后，EUV光刻機越來越重要，全球能產(chǎn)EUV光刻機的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣出18臺EUV光刻機，總價值超過20億歐元，折...

2017-01-19 標簽：芯片制造光刻機 EUV 4.2k 0

日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈將直接影響三星電子EUV工藝研發(fā)進度

近日，日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈，日本宣布氟聚酰亞胺（Fluorine Polyimide）、半導體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫（Eatching Ga...

2019-07-14 標簽：三星電子臺積電 EUV 4.2k 0

三星電子向臺積電發(fā)起正面挑戰(zhàn) 擬用10年時間挑戰(zhàn)臺積電世界首位的寶座

境外媒體報道稱，韓國三星電子在半導體代工領域向臺積電發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星將每年花費巨額投資，確定采用新一代生產(chǎn)技術“EUV（極紫外光刻）”的量產(chǎn)體制，用1...

2019-11-13 標簽：臺積電三星電子 EUV 4.2k 0

美國泛林宣布與ASML、IMEC合作開發(fā)出新的EUV光刻技術成本大幅降低

2月28日，美國泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠...

2020-02-29 標簽：光刻 IMEC EUV 4.2k 0

三星首次分享了基于EUV技術的7nm工藝細節(jié)

另外，7nm EUV的好處還在于，比多重曝光的步驟要少，也就是相同時間內(nèi)的產(chǎn)量將提升。當然，這里說的是最理想的情況，比如更好的EUV薄膜以減少光罩的污...

2018-06-22 標簽：三星電子 euv 4.2k 0

從ASML年收入140億歐元，看光刻機市場格局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/程文智）1月20日，ASML發(fā)布了其第四季度的財報，銷售額達到了43億歐元，全年凈銷售額140億歐元，毛利率48.6%，凈利潤金額...

2021-01-22 標簽：光刻機 EUV ASML 4.2k 0

英特爾預計10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨并預期2021年7納米制程可望進入量產(chǎn)階段

就在臺積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術的7納米技術進入量產(chǎn)階段后，半導體龍頭英特爾也確定開始進入10納米時代，預計采用10納米產(chǎn)品將在6...

2019-05-14 標簽：處理器英特爾 EUV 4.2k 0

探析EUV光刻未來的發(fā)展趨勢

用于高端邏輯半導體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術的未來藍圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術節(jié)點...

2019-01-21 標簽：半導體 EUV 4.2k 0

臺積電宣布其7納米制程進入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點的首個時間表

持續(xù)同時朝多面向快速進展的晶圓代工大廠臺積電（TSMC），于美國硅谷舉行的年度技術研討會上宣布其7納米制程進入量產(chǎn)，并將有一個采用極紫外光微影（EUV）...

2018-05-11 標簽：臺積電晶圓 finfet 4.1k 0

EUV光刻的兩大挑戰(zhàn)者，誰扛大旗？

過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術的發(fā)展。在使用 F2 準分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術方面付出了一些努力，但主要關注點是使用 1...

2023-02-02 標簽：摩爾定律光刻技術 EUV 4.1k 0

14納米工藝節(jié)點會給設計帶來哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國際物理系統(tǒng)研討會（ISPD）上專家表示：實現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會比原先想象的更困難；14納米節(jié)點給設計師帶來了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見本文...

2013-04-08 標簽：3D FinFET EUV 4.1k 0

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