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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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Cadence和臺(tái)積電加強(qiáng)合作,共同為16納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)設(shè)計(jì)架構(gòu)
Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)(納斯達(dá)克代碼:CDNS)今日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議...
ARM架構(gòu)處理器Q2出貨34億 大客戶新增一家中國(guó)公司
雖然全世界主要的移動(dòng)處理器都使用了ARM架構(gòu),不過ARM“薄利多銷”的生存方式使得他們并沒有從中賺到多少真金白銀,2015年Q2季度營(yíng)收為 3.57億美...
2015-07-26 標(biāo)簽:處理器ARM移動(dòng)處理器 1.2k 0
半導(dǎo)體技術(shù)的突破將使網(wǎng)速有千百倍成長(zhǎng)空間
半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說,由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破,網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長(zhǎng)空間。
2016-11-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)網(wǎng)速FinFET 1.2k 0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn),即每?jī)赡晡⒖s芯片特征尺寸的周期已然結(jié)束,我們正在跨入一個(gè)情勢(shì)高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示,芯片微縮的...
臺(tái)積電在10月16日的年度大會(huì)中,宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測(cè)試1...
GlobalFoundries公開宣布7nm\10nm:閉門自研
GlobalFoundries在7月份宣布量產(chǎn)14nm FinFET(LPE),總算是邁入了1Xnm的大關(guān)。
2015-09-21 標(biāo)簽:芯片代工FinFETGlobalFoundries 1.1k 0
決戰(zhàn)FinFET芯片 三星臺(tái)積電誰(shuí)將突圍
目前半導(dǎo)體業(yè)界中,晶圓代工領(lǐng)域最熱門的話題就是高通 (Qualcomm) 新的手機(jī)芯片代工訂單花落誰(shuí)家?以及蘋果 iPhone 6的 A8 芯片后續(xù)動(dòng)向...
淺談半導(dǎo)體裝備市場(chǎng)產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)和技術(shù)驅(qū)動(dòng)
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,未來數(shù)年中裝備市場(chǎng)的宏觀增長(zhǎng)速度會(huì)大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場(chǎng)。
2023-03-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電半導(dǎo)體器件FinFET 1.1k 0
聯(lián)發(fā)科10核Helio X30傳著手研發(fā) 預(yù)期明年初問世
相關(guān)消息指出,聯(lián)發(fā)科在旗艦款處理器Helio X20之后,將計(jì)畫持續(xù)推出改良款Helio X22,并且將于后續(xù)推出新款Helio X30,預(yù)期以臺(tái)積電1...
2015-08-03 標(biāo)簽:處理器FinFET聯(lián)發(fā) 1.1k 0
先進(jìn)制程沖第一 臺(tái)積電16/10nm搶先開火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外,臺(tái)積電2013~2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù),打造16、1...
據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指...
沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
為爭(zhēng)搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅,包括臺(tái)積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出,持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時(shí),受到英特爾沖刺FinFE...
ARM攜手臺(tái)積電打造多核10納米FinFET測(cè)試芯片 推動(dòng)前沿移動(dòng)計(jì)算未來
2016年5月19日,北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)...
7nm將成臺(tái)積電力壓英特爾主戰(zhàn)場(chǎng)
安謀(ARM)與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議,針對(duì)7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作,包括支援未來低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方...
Cadence數(shù)字與定制/模擬工具獲臺(tái)積電認(rèn)證 合作開發(fā)FinFET新工藝
美國(guó)加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布,其數(shù)字和定制/模擬分...
據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指...
技術(shù)報(bào)告 | Gate 和 Fin Space Variation 對(duì)應(yīng)力調(diào)制及 FinFET 性能的影響
技術(shù)報(bào)告·文末下載報(bào)告名稱《Gate和FinSpaceVariation對(duì)應(yīng)力調(diào)制及FinFET性能的影響》關(guān)鍵詞FinFET;7nm技術(shù);TCAD;多...
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