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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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專(zhuān)訪格羅方德Subramani Kengeri：28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG

本文主要講述了28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG。HKMG：high-k絕緣層+金屬柵極。HKMG的優(yōu)勢(shì)：不管使用Gate-first和Gate-last...

2012-07-15 標(biāo)簽：SoC HKMG FinFET 6.1k 0

中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI...

2018-05-14 標(biāo)簽：中芯國(guó)際 finfet 6.1k 0

2nm意味著什么？2nm何時(shí)到來(lái)？它與3nm有何不同？

3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)...

2023-12-06 標(biāo)簽：智能手機(jī)EDA工具晶體管 6k 0

英特爾公布詳細(xì)的制程技術(shù)路線圖

英特爾上個(gè)月月底公布了公司有史以來(lái)最詳細(xì)的制程技術(shù)路線圖之一，展示了從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)的未來(lái)，驅(qū)動(dòng)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的突破性技術(shù)。本資料介紹了實(shí)現(xiàn)此路線...

2021-08-09 標(biāo)簽：英特爾晶體管 FinFET 6k 0

基于三星11LPP的物理IP平臺(tái)概述

在去年的三星代工廠論壇上，Arm 與三星代工廠成功建立 14nm FinFET 合作伙伴關(guān)系，當(dāng)時(shí)，基于三星代工廠 14nm 節(jié)點(diǎn)技術(shù)平臺(tái)的 Artis...

2018-06-21 標(biāo)簽：Arm 三星電子 FinFET 6k 0

中國(guó)強(qiáng)攻22納米IC關(guān)鍵技術(shù) 讓國(guó)產(chǎn)芯片“站”起來(lái)

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的科研團(tuán)隊(duì)艱苦攻關(guān)，成功開(kāi)展22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)，在我國(guó)首先開(kāi)展該技術(shù)攻關(guān)。

2013-05-21 標(biāo)簽：集成電路 22nm FinFET 5.7k 10

全民聚焦FinFET，下一代晶體管技術(shù)何去何從

在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但...

2014-02-25 標(biāo)簽：FinFET 半導(dǎo)體工藝 5.7k 2

三星計(jì)劃2021年量產(chǎn)GAA電晶體

三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-al...

2018-05-30 標(biāo)簽：三星電子 FinFET 5.6k 0

基于主流的體硅高κ/金屬柵FinFET工藝，提出了一種利用拐角效應(yīng)

近期，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員殷華湘帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)基于主流的體硅高κ/金屬柵FinFET工藝，提出了一種利用拐角效應(yīng)，在鉆石...

2021-02-20 標(biāo)簽：CMOS 微電子 FinFET 5.2k 0

驍龍820和天璣1100哪個(gè)好

驍龍820和天璣1100哪個(gè)好在現(xiàn)今智能手機(jī)市場(chǎng)中，處理器成為了手機(jī)消費(fèi)者選擇一部手機(jī)時(shí)重要的參數(shù)之一。處理器不僅能夠影響手機(jī)的性能還直接關(guān)系到手機(jī)的...

2023-08-17 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體技術(shù)FinFET 5.1k 0

碳化硅SIC將會(huì)發(fā)力電動(dòng)汽車(chē)？

碳化硅在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)（尤其是電動(dòng)汽車(chē)）中越來(lái)越受歡迎，但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)仍然過(guò)于昂貴。

2024-01-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)功率半導(dǎo)體 FinFET 4.8k 0

中芯國(guó)際14nm量產(chǎn)大規(guī)模出貨國(guó)產(chǎn)化取得階段性勝利

近日,芯片代工廠商——中芯國(guó)際發(fā)布了2019年財(cái)報(bào)。這是中芯國(guó)際14納米產(chǎn)品貢獻(xiàn)營(yíng)收后的首份年報(bào)。

2020-04-20 標(biāo)簽：中芯國(guó)際 FinFET 4.8k 0

中芯國(guó)際再獲技術(shù)重大突破

中芯國(guó)際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展 8月9日，中芯國(guó)際公布了在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得的重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客...

2018-08-18 標(biāo)簽：中芯國(guó)際 FinFET 4.8k 0

三星被判侵犯FinFET工藝專(zhuān)利須賠償4億美元

根據(jù)美國(guó)德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國(guó)大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專(zhuān)利，必須賠償4億美元。

2018-06-22 標(biāo)簽：三星電子 FinFET 4.7k 0

中芯國(guó)際與一線陣營(yíng)代差巨大如何擺脫“空芯”之痛？

中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%。距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不...

2018-06-25 標(biāo)簽：中芯國(guó)際臺(tái)積電 FinFET 4.6k 0

格芯擱置7納米FinFET項(xiàng)目!是技術(shù)的羈絆，還是成本的考量？

此外，為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資，公司正在建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持...

2018-08-31 標(biāo)簽：納米 FinFET 4.6k 0

下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

據(jù)IEEE報(bào)道，來(lái)自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來(lái)經(jīng)過(guò)技術(shù)改進(jìn)有可...

2016-11-23 標(biāo)簽：SiGe 晶體管 FinFET 4.6k 0

胡正明表示,集成電路能耗方面依然有1000倍的降低空間

2018年三星、臺(tái)積電將量產(chǎn)7nm工藝，未來(lái)的5nm甚至3nm工藝也露出了曙光，預(yù)計(jì)在2020年之后開(kāi)始量產(chǎn)。多年來(lái)業(yè)界一直在追求半導(dǎo)體工藝不斷降低線寬...

2018-06-02 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 finfet 4.5k 0

3納米量產(chǎn)在即如何實(shí)現(xiàn)2納米芯片？

據(jù)悉，臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點(diǎn)信息：一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即，2納米2025年量產(chǎn)。

2022-09-06 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電納米芯片 4.4k 0

近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！

2020-04-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管 FinFET 4.4k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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