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誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。
隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦...
從科幻走入現(xiàn)實(shí)，人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場靜默而深刻的技術(shù)革命：更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...
外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，化合物半...
作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一，半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學(xué)，半導(dǎo)體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。
2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 2.4k 0
效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn)，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來，第三代GaN半導(dǎo)...
開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電...
2024-08-21 標(biāo)簽：FETGaN開關(guān)電源芯片 2.4k 0
作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應(yīng)用場景。和傳統(tǒng)的Si器件相比，GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的...
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)
【導(dǎo)讀】眾所周知，因?yàn)?GaN PA 需要使用特定的偏置時(shí)序，所以在某些設(shè)計(jì)中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng)，可能會導(dǎo)致...
2022-08-29 標(biāo)簽：功率放大器電源開關(guān)GaN 2.4k 0
第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝，在新一代高...
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，...
近日，瞻芯電子推出了一款全新升級的雙通道驅(qū)動芯片IVCR2504，它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn)，并將拉灌電流峰值由4A...
TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進(jìn)而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...
GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...
車載充電器（OBC）是電動汽車和混合動力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。
作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一，GaN其主要有三個(gè)特性——開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度...
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN（通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來說，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
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