完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > gan
文章:2093個(gè) 瀏覽:84810次 帖子:162個(gè)
設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù),從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù),從而在創(chuàng)新方面...
2023-11-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 2.6k 0
GaN RF市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力仍然是電信和國(guó)防應(yīng)用
報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來,GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場(chǎng)中的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。憑借其在 4G LTE...
本文使用Agilent ADS 仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款GaN 寬帶功率放大器, 并對(duì)放大器進(jìn)行了詳細(xì)測(cè)試, 驗(yàn)證了放大器在S 波段2 GHz 帶寬內(nèi)的寬帶...
GaN 材料與 Si/SiC 相比有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 與 SiC 同屬于第三代寬禁帶 半導(dǎo)體材料,相較于已經(jīng)發(fā)展十多年的 SiC,GaN 功率器件是后進(jìn)...
AI+服飾設(shè)計(jì)助力重塑行業(yè)生態(tài)
2019年4月,由中國(guó)服裝協(xié)會(huì)和上海時(shí)尚之都促進(jìn)中心共同主辦的以“未來時(shí)尚”為設(shè)計(jì)主題的2019中國(guó)國(guó)際服裝設(shè)計(jì)創(chuàng)新大賽在上海落下帷幕,歐洲設(shè)計(jì)學(xué)院獲得...
擴(kuò)散模型在視頻領(lǐng)域表現(xiàn)如何?
在視頻生成領(lǐng)域,研究的一個(gè)重要里程碑是生成時(shí)間相干的高保真視頻。來自谷歌的研究者通過提出一個(gè)視頻生成擴(kuò)散模型來實(shí)現(xiàn)這一里程碑,顯示出非常有希望的初步結(jié)果...
低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢(shì)
GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注,近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體)和垂直型...
氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導(dǎo)體,具有一些令人難以置信的特性。其中,它的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅基設(shè)備快幾倍,從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外,它...
2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器設(shè)計(jì) 2.6k 0
基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、微型化、低成本光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)
目前主流商業(yè)化的無標(biāo)記活細(xì)胞監(jiān)測(cè)技術(shù)以電阻抗測(cè)量為基礎(chǔ)的微電子傳感技術(shù)為代表,該技術(shù)利用活細(xì)胞與檢測(cè)板孔中微電極相互作用,產(chǎn)生電阻抗的改變來定量活細(xì)胞狀...
2022-04-29 標(biāo)簽:GaN傳感系統(tǒng)光學(xué)芯片 2.6k 0
博爾芯(上海)半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“博爾芯”)是一家專注于激光雷達(dá)(LiDAR)、48V電源和驅(qū)動(dòng)、高性能GaN電源芯片及系統(tǒng)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新廠商。
2024-05-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路QFN封裝GaN 2.6k 0
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si),因?yàn)樗馁Y源豐富且價(jià)格實(shí)惠。然而,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...
在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。
2022-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器SiC 2.6k 0
好消息!2021年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)迅速回春 GaN功率器件年增高達(dá)90.6%
2021年因受到車用、工業(yè)與通訊需求助力,第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
近幾年,中國(guó)碳化硅(SiC)項(xiàng)目可謂遍地開花,據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體材料分會(huì)統(tǒng)計(jì),截至今年5月,我國(guó)從事SiC襯底研制的企業(yè)已經(jīng)有30家,還不包括...
2021-06-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 2.6k 0
小型化設(shè)計(jì)中,高可靠性的EMI抑制電容怎么選?
電子工業(yè)中最持久的趨勢(shì)之一就是小型化。半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)強(qiáng)調(diào)減小電子元器件的尺寸,同時(shí)也需要顯著提高其性能。智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和平板電腦只是利用最新半導(dǎo)...
近日,GaN行業(yè)迎來了一項(xiàng)重要突破,一家名為遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級(jí)高達(dá)3300V。這一消息于10月18日由“...
全球首發(fā)量產(chǎn)!這款車官宣搭載GaN OBC
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)OBC即車載充電器,是將交流充電口輸入的交流電轉(zhuǎn)換為直流電的部件,只要車上有交流充電口,就需要配備OBC。隨著新能源汽車的...
2025-03-05 標(biāo)簽:GaN 2.5k 0
三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng),為市場(chǎng)提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道,...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |