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基于AI的GaN外延片

GaN?是一種寬帶隙半導(dǎo)體，它允許器件在比硅更高的溫度和更高的電壓下工作。此外，GaN 更強的介電擊穿能力可以構(gòu)建更小，因此電阻更低的器件。具有較小電容...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI GaN 2.9k 0

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等...

2023-02-01 標(biāo)簽：驅(qū)動器 GaN 開關(guān)管 2.9k 0

功率半導(dǎo)體各品類及下游應(yīng)用市場空間分析

功率半導(dǎo)體發(fā)展過程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60-70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世...

2024-09-27 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 2.9k 0

瑞薩電子發(fā)表適用于CATV的GaN功率放大器模組MC-7802

先進半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(Renesas Electronics)日前發(fā)表適用于1GHz有線電視(CATV)系統(tǒng)的氮化鎵(GaN)功率放大器模組...

2011-07-11 標(biāo)簽：功率放大器 CATV GaN 2.9k 0

鍵合率達95%！三菱電機推進 GaN-on-Diamond 新技術(shù)

憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料?；贕aN的高電子遷移率晶體管...

2026-03-12 標(biāo)簽：三菱電機氮化鎵 GaN 2.9k 0

增強型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進展

作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強等優(yōu)勢。

2023-12-09 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵 GaN 2.9k 0

GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案

近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動MTCD-mode GaN F...

2023-03-01 標(biāo)簽：電源芯片氮化鎵 2.9k 0

賽微電子：北京MEMS產(chǎn)線今年Q2正式生產(chǎn) 下半年預(yù)計實現(xiàn)50%的產(chǎn)能

集微網(wǎng)消息近日，賽微電子在接受機構(gòu)調(diào)研時，就北京MEMS產(chǎn)線產(chǎn)能、客戶情況、與瑞典MEMS產(chǎn)線如何分工定位，以及GaN業(yè)務(wù)最新發(fā)展情況等問題進行解答。...

2021-02-03 標(biāo)簽：mems GaN 賽微電子 2.9k 0

5G高頻特性將使GaN技術(shù)使用領(lǐng)域延伸

相較目前主流的硅晶圓（Si），第三代半導(dǎo)體材料SiC與GaN（氮化鎵）具備耐高電壓特色，并有耐高溫與適合在高頻環(huán)境下優(yōu)勢，其可使芯片面積大幅減少，并簡化...

2018-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 5G 2.9k 0

基于GaN的反激拓撲提高USB Type-C充電器的效率

第一個涉及采用基于 GaN 的 ACF 拓撲，它可以在沒有任何振鈴的情況下鉗位初級開關(guān)電壓，并將變壓器泄漏能量回收到輸出，而沒有任何緩沖器損耗。該解決方...

2022-08-03 標(biāo)簽：充電器 usb GaN 2.9k 0

據(jù)雷鋒網(wǎng)的介紹，與諸多學(xué)術(shù)會議通行的單盲、雙盲評審制度不同，所有提交的論文都將會公開作者姓名等信息，并且接受所有同行的評價及提問（open peer r...

2018-10-08 標(biāo)簽：GAN 強化學(xué)習(xí) 2.9k 0

用于新型電力電子設(shè)備的垂直GaN器件

GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...

2022-08-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電力電子 2.9k 0

如何驗證GaN的可靠性

氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）正迅速獲得采用，因為它能夠提高效率并縮小電源供應(yīng)器尺寸。不過，在投資這個技術(shù)之前，您可能仍會問自己GaN是否可靠。...

2022-08-02 標(biāo)簽：晶體管 GaN 電源供應(yīng)器 2.9k 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場有望在2027年達45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美...

2021-05-21 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 2.9k 0

哪些PI InnoSwitch產(chǎn)品采用了PowiGaN技術(shù)

采用 PowiGaN 技術(shù)的 InnoSwitch3 無散熱片反激式開關(guān) IC，功率可達 100 W，效率可達 95%。 PowiGaN 是 Power...

2021-09-07 標(biāo)簽：電容 IC GaN 2.9k 0

基于模型的 GaN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識：I-V 曲線中有什么？（第二部分，共兩部分）

2022-12-26 標(biāo)簽：GaN 2.9k 0

英偉達通過利用GAN及無監(jiān)督學(xué)習(xí)，實現(xiàn)了場景間的四季轉(zhuǎn)換

英偉達近期在GAN相關(guān)研究和應(yīng)用方面進展迅猛，在前一陣的成果展示中，通過利用生成對抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)及無監(jiān)督學(xué)習(xí)兩種深度學(xué)習(xí)技術(shù)，實現(xiàn)了場景間的四季轉(zhuǎn)換，...

2018-05-16 標(biāo)簽：gan 英偉達深度學(xué)習(xí) 2.9k 0

聚焦 | GaN產(chǎn)業(yè)規(guī)模有望突破200億美元

近年來，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。

2019-07-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 2.9k 0

SiC的總市場容量到2022年將超過10億美元

隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實上，從特性上來講，SiC和GaN的優(yōu)勢是互補的，應(yīng)用覆蓋了電動...

2020-09-10 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體 GaN 2.9k 0

碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...

2022-08-08 標(biāo)簽：電力電子 GaN 碳化硅 2.9k 0

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藍牙5

藍牙5

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藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標(biāo)準(zhǔn)。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
Qorvo

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5G手機

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍牙5.0

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藍牙5.0是由藍牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進行遠距離通信的唯一手段。由發(fā)信機、收信機、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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超外差接收機

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　　超外差接收機是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍牙m(xù)esh

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藍牙Mesh是基于ble廣播進行消息傳遞的一種藍牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍牙設(shè)備與藍牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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