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美國防高級研究計劃局（DARPA）在起草當(dāng)前的“AI分析框架”過程中，這些要點成為重要方向，并與國家AI研發(fā)戰(zhàn)略重點保持一致 。此外，需要在數(shù)據(jù)和計算方...
據(jù)日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
EditGAN圖像編輯框架將影響未來幾代GAN的發(fā)展
此外， EditGAN 框架可能會影響未來幾代 GAN 的發(fā)展。雖然當(dāng)前版本的 EditGAN 側(cè)重于圖像編輯，但類似的方法也可能用于編輯 3D 形...
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有...
信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓，加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長的300毫米（即12英寸）晶圓，標(biāo)志著公司在高性能半...
相比之下，氮化鎵在自然中以閃鋅礦（一種鋅和鐵的硫化物）的形式存在，在這種分布稀少的情況下，提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比，氮化鎵在射頻電子學(xué)中表現(xiàn)最佳，...
2024-03-01 標(biāo)簽：SiCGaN晶體結(jié)構(gòu) 2.3k 0
最近在推進寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進展，這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開關(guān)頻率，以及它們因此能夠提高開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器...
GaN還有一些有趣的特性，讓它在各方面更具吸引力。它的電子遷移率和熔點分別實現(xiàn)了高電流通道和更高的溫度（或在相同或更低的溫度下提高可靠性）。
2022-11-10 標(biāo)簽：電阻轉(zhuǎn)換器GaN 2.3k 0
Micro LED業(yè)務(wù)增長顯著，IQE去年營收超10億
近年，IQE開始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術(shù)儲備及規(guī)模化生產(chǎn)的能力，可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。
WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類產(chǎn)品高出幾個數(shù)量級，包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開關(guān)速度能力以及十分之一的能量損失。...
MOCVD技術(shù)丨實現(xiàn)6英寸藍(lán)寶石基板GaN基LED關(guān)鍵突破
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長期占據(jù)研究焦點位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英...
據(jù)了解，此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù)，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，可以從基板...
該芯片組采用獨特的單級功率架構(gòu)，可降低損耗并將整體效率提高到91％。這使制造商可以在歐盟能效標(biāo)識方案中獲得更高的評分。由于具有750 V的擊穿電壓
2020-06-18 標(biāo)簽：開關(guān)電源GaN 2.3k 0
用于HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN
我們在尋找一種功率晶體管，幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件，但在低電壓條件下無法達(dá)到預(yù)期優(yōu)勢。
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3....
使用 WBG 材料的射頻功率半導(dǎo)體解決了 5G 應(yīng)用中的許多技術(shù)挑戰(zhàn)，縮小了與舊的基于硅的技術(shù)之間的差距。 5G 技術(shù)的進步正在推動半導(dǎo)體行業(yè)面臨新的技...
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