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測試背景地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信...
晶能光電亮相2025自發(fā)光顯示產(chǎn)業(yè)研討會
10月30日，2025自發(fā)光顯示產(chǎn)業(yè)研討會在深圳隆重舉行。來自顯示產(chǎn)業(yè)鏈的多位專家以及TrendForce分析師在會上發(fā)表專題演講，深入剖析自發(fā)光顯示的...
長期以來，在功率應(yīng)用方案中，熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項目有空間放置大型的散熱器時，從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而，隨著輸出功率提升以及功率密...
英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術(shù)開發(fā)
對于許多設(shè)計來說，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開關(guān)。
RF GaN已被工業(yè)公司認可并成為主流。從知識產(chǎn)權(quán)的角度來看，美國和日本主導(dǎo)著整個RF GaN知識產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。
早前，Qorvo 舉辦了一系列的設(shè)計峰會，通過這一系列峰會，可將您與我們的市場和產(chǎn)品專家聯(lián)系在一起，以幫助您提升應(yīng)用水平。
基于GaN的耐輻射DC/DC轉(zhuǎn)換器提高關(guān)鍵應(yīng)用的效率
在過去幾年中，太空市場通過采用太空系統(tǒng)中前所未有的新技術(shù)，一直在朝著更高效的電源解決方案邁進。太空硬件會受到包括電離輻射在內(nèi)的惡劣環(huán)境條件的影響，因此需...
2022-08-03 標簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體GaN 2.4k 0
解析GaN器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長
在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴重，成...
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標準的工業(yè)應(yīng)用。
高功率密度、高效率和更寬的頻率支持使基于 GaN 的解決方案成為適合許多射頻應(yīng)用的優(yōu)良選擇。嵌入式系統(tǒng)設(shè)計人員都知道，每一種材料都必須權(quán)衡利弊。在探討最...
2021-07-28 標簽：GaN 2.4k 0
Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功...
英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國專利，尋求永久禁令。
2024-03-15 標簽：英飛凌傳感器系統(tǒng)GaN 2.4k 0
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年，GaN功率器件市場規(guī)模為460...
PFC是功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)的縮寫，是一種電源管理技術(shù)，可以在交直流轉(zhuǎn)換(ACDC)時提高電源對市電的利用率。...
對電子設(shè)備的需求激增正在推動半導(dǎo)體行業(yè)多個領(lǐng)域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 （WBG...
2022-08-05 標簽：電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導(dǎo)體 2.3k 0
本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的...
Si、SiC與GaN，誰更適合上場？| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)解析
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng)，素材來源：TMC現(xiàn)場記錄、Ho...
GaN功率器件供應(yīng)商聚能創(chuàng)芯與世強達成戰(zhàn)略合作
與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉(zhuǎn)換效率，隨著5G通信...
ACT41000-104-REF1實現(xiàn)多種GaN PA偏置并自動校準系統(tǒng)
中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達克...
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