車載操作系統(tǒng)或成行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵 GaN成為數(shù)據(jù)服務(wù)器效率關(guān)鍵

簡(jiǎn)訊：2022世界人工智能大會(huì)(WAIC)近期在上海舉辦，AI芯片作為人工智能產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵硬件，在本次大會(huì)上眾多國(guó)產(chǎn)AI芯片公司均展出了最新的技術(shù)和產(chǎn)...

2022-09-16 標(biāo)簽：服務(wù)器操作系統(tǒng)GaN 1k 0

如何在絕緣層上硅形成高質(zhì)量和大面積的化合物半導(dǎo)體材料

第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中...

2022-09-16 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體SiC 1.7k 0

Vishay推出兩款新型UVC發(fā)光二極管

VLMU35CR40-275-120和VLMU35CR41-275-120基于AlGaN技術(shù)，專門用來取代低壓UVC水銀燈，特別適合器件小型化緊湊設(shè)計(jì)。

2022-09-14 標(biāo)簽：發(fā)光二極管GaN 709 0

介紹一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型

我們提出了一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型，它可以被用于多種 3D 視覺任務(wù)的基礎(chǔ)，例如形狀補(bǔ)全、上采樣、合成和數(shù)據(jù)增強(qiáng)。

2022-09-09 標(biāo)簽：編碼器GaNMMD 3k 0

華源智信推出GND散熱的集成氮化鎵芯片HYC3606

前言 氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的大規(guī)模商用，帶來了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充...

2022-09-07 標(biāo)簽：電源管理功率器件氮化鎵 4.4k 0

CCPAK-GaN FET頂部散熱方案

長(zhǎng)期以來，在功率應(yīng)用方案中，熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí)，從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而，隨著輸出功率提升以及功率密...

2022-08-30 標(biāo)簽：晶體管散熱FET 2.4k 0

單片2 MHz GaN半橋適合D類音頻

EPC2106是增強(qiáng)型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個(gè) eGaN 功率 FET 集成到單個(gè)器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。

2022-08-29 標(biāo)簽：pcb晶體管GaN 1.5k 0

氮化鎵GaN技術(shù)的未來布局

氮化鎵作為一種寬帶隙復(fù)合半導(dǎo)體材料，具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。其中，開關(guān)頻率高意味著應(yīng)用電路可以采用尺寸...

2022-08-24 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 2.8k 0

GaN芯片的制備工藝

GaN作為第三代半導(dǎo)體的典范正在被廣泛使用，就連電梯間也能看到快充品牌直接拿GaN做廣告語(yǔ)了。

2022-08-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體GaN 6.1k 0

晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化

Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級(jí)的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。...

2022-08-17 標(biāo)簽：ledGaN硅襯底 1.8k 0