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對電子設(shè)備的需求激增正在推動半導(dǎo)體行業(yè)多個領(lǐng)域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 （WBG...
2022-08-05 標(biāo)簽：電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導(dǎo)體 2.3k 0
GaN 晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域、電力供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們來看看如何更好地管理不同的操作條件...
對硅替代品的探索始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材...
基于 GaN 的 Dickson 轉(zhuǎn)換器提高 EV 效率
電動汽車 (EV) 電力需求的增加已將傳統(tǒng)的 12V 系統(tǒng)推至其最大容量 3 kW。因此，開發(fā)了一個補充 48-V 網(wǎng)絡(luò)。1,2 48V 總線和內(nèi)核電壓...
2022-08-05 標(biāo)簽：電動汽車電源轉(zhuǎn)換器 1.7k 0
氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。在這些應(yīng)用中，eGaN ? FET 和 IC 的應(yīng)用迅...
通過測試和測量持久力來評估電子設(shè)備的質(zhì)量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換，...
氮化鎵 (GaN) 開關(guān)技術(shù)推動了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發(fā)可以在高開關(guān)頻率下運行的轉(zhuǎn)換器。GaN 減小了變壓器尺寸...
使用 WBG 材料的射頻功率半導(dǎo)體解決了 5G 應(yīng)用中的許多技術(shù)挑戰(zhàn)，縮小了與舊的基于硅的技術(shù)之間的差距。 5G 技術(shù)的進步正在推動半導(dǎo)體行業(yè)面臨新的技...
多年來，設(shè)計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1.6k 0
分立式 GaN 解決方案的速度無疑比硅等效方案更快。使用數(shù)字控制，它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關(guān)固件消除了許多設(shè)計瓶頸。
GaN 晶體管是當(dāng)今存在的“最冷”組件之一。即使在高溫和極端條件下，其低結(jié)電阻也可實現(xiàn)低溫和低能量損失。這是這種材料廣泛用于許多關(guān)鍵部門的主要原因之一，...
GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實現(xiàn)的新應(yīng)用。
該 氮化鎵產(chǎn)業(yè) 的目的是證明氮化鎵的解決方案至少有相同的預(yù)期壽命為硅MOSFET，理想，美好的生活。該行業(yè)和 JEDEC JC-70 委員會正在努力為 ...
使用 WBG 半導(dǎo)體進行設(shè)計需要更多的奉獻精神
工程師熟悉電磁干擾、并聯(lián)和布局，但在從硅基芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，需要多加注意。 據(jù)chip稱，硅（Si）基半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)先十...
通過測試和測量持久力來評估電子設(shè)備的質(zhì)量和耐用性。評估氮化鎵 （GaN） 價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換...
近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。S...
如何設(shè)計帶有GaN ToF激光驅(qū)動器的LiDAR系統(tǒng)
EPC21601 是一種激光驅(qū)動器，在高達 200 MHz 的高頻下使用 3.3 V 邏輯進行控制，以調(diào)制高達 10 A 的激光驅(qū)動電流。開啟和關(guān)閉時間...
在第一部分，我們研究了數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，并介紹了氮化鎵 (GaN) 功率 IC 及其在第二次電力電子革命中的作用。現(xiàn)在，讓我們看看數(shù)據(jù)中心本身內(nèi)支持 GaN...
2022-08-04 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心GaN功率IC 1.6k 0
氮化鎵 (GaN) 功率器件已經(jīng)生產(chǎn)超過 10 年，除了性能和成本改進之外，GaN 技術(shù)影響功率轉(zhuǎn)換市場的最重要機會來自于在同一襯底上集成多個器件的內(nèi)在...
2022-08-04 標(biāo)簽：集成電路電源轉(zhuǎn)換GaN 1.6k 0
雖然世界各國領(lǐng)導(dǎo)人在推動大規(guī)模氣候議程和政策以更好地保護環(huán)境方面處于中心地位，但關(guān)于可再生能源存儲行業(yè)及其塑造我們未來甚至拯救地球的作用，還有一個不為人...
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