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EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)利用 WBG 器件提高能效
為動(dòng)力總成系統(tǒng)尋找高效功率轉(zhuǎn)換解決方案的 EV/HEV 制造商正在通過 WBG 半導(dǎo)體獲得性能提升。
2022-08-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 1.6k 0
在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。
2022-08-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器SiC 2.6k 0
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN FET 和 IC 的芯片級(jí)封裝提供六面冷卻，從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱...
2022-08-09 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 2.8k 0
由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻，因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素...
2022-08-09 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 1.8k 0
用于GaN MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
隔離設(shè)備是一種集成電路，允許在高低壓單元之間傳輸數(shù)據(jù)和能量，防止來自網(wǎng)絡(luò)的危險(xiǎn)或不受控制的瞬態(tài)電流的存在。目標(biāo)是通過提高電源效率和增加功率傳輸速率（也稱...
2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 3.3k 0
考慮在 ≥ 40 kHz 的開關(guān)頻率下運(yùn)行的硅基功率器件。在這些條件下，開關(guān)損耗大于傳導(dǎo)損耗，對總功率損耗產(chǎn)生連鎖效應(yīng)。散發(fā)產(chǎn)生的多余熱量需要散熱器，從...
2022-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)晶體管GaN 1.8k 0
自硅問世以來，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個(gè)優(yōu)勢...
2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN寬帶隙半導(dǎo)體 2.2k 0
氮化鎵 (GaN)是一種寬帶半導(dǎo)體材料 (WBG)，與硅一樣，它可用于制造二極管和晶體管等半導(dǎo)體器件。電源設(shè)計(jì)人員會(huì)選擇 GaN 晶體管而不是硅，因?yàn)樗?..
2022-08-08 標(biāo)簽：電源管理晶體管降壓轉(zhuǎn)換器 926 0
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...
由佐治亞理工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)實(shí)施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結(jié)果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發(fā)的技術(shù)...
電力電子系統(tǒng)的性能發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變，它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶體管驅(qū)動(dòng)。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了顯著提高...
碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)
碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...
GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運(yùn)行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...
2022-08-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電力電子 2.9k 0
WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類產(chǎn)品高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)，包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開關(guān)速度能力以及十分之一的能量損失。...
數(shù)字電源與 GaN 相結(jié)合可實(shí)現(xiàn) 99% 的效率
從電力電子設(shè)備使用真空管的早期開始，電力工程師就一直關(guān)注能效、功率優(yōu)化以及如何使電源更可靠、更小、更智能。 我們中可能很少有人記得引入了 Thyratr...
寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...
GaN和 SiC令人印象深刻的品質(zhì)使它們深受業(yè)內(nèi)人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產(chǎn)和供應(yīng)需求的挑戰(zhàn)，因此專業(yè)人士、投資者和工業(yè)家正在合作以確保足夠的可用...
GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...
GaN材料主要應(yīng)用于偏低壓應(yīng)用例如800V以下的應(yīng)用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強(qiáng)性高電子遷移率異質(zhì)節(jié)晶體管（HEMT）和600V ...
MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入還使硅能夠在功率應(yīng)用中使用，其特點(diǎn)是電流和電壓特別高。
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