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GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源的應用設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2022-08-01 標簽：電源 MOSFET GaN 788 0

基于AI的GaN外延片

GaN?是一種寬帶隙半導體，它允許器件在比硅更高的溫度和更高的電壓下工作。此外，GaN 更強的介電擊穿能力可以構(gòu)建更小，因此電阻更低的器件。具有較小電容...

2022-07-29 標簽：半導體 AI GaN 2.9k 0

最新一代 GaN 器件為功率器件帶來智能和自主性

氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開關速度比傳統(tǒng)的硅基設備快幾倍，從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外，它...

2022-07-29 標簽：半導體充電器設計 2.6k 0

CES 2022：面向未來的 GaN 技術

2021 年是世界決定向氮化鎵 (GaN) 敞開大門的過渡年。EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 在 CES 周期間接受 Power Electr...

2022-07-29 標簽：半導體工業(yè)GaN 1.3k 0

垂直GaN功率器件的最新進展

最近在推進寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進展，這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開關頻率，以及它們因此能夠提高開關模式電源轉(zhuǎn)換器...

2022-07-29 標簽：半導體設計功率器件 2.3k 0

通過 FSB 的技術解鎖低成本、大規(guī)模、優(yōu)質(zhì)的 GaN 晶圓

氮化鎵 (GaN)已成為第三代半導體中事實上的材料。然而，以您需要的質(zhì)量和您想要的熱阻制造 GaN 晶圓仍然是 Fab 試圖回答的問題。 GaN外延層與...

2022-07-29 標簽：半導體 GaN PSB 2.1k 0

寬帶隙半導體：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC...

2022-07-29 標簽：半導體 SiC GaN 1.1k 0

將 GaN 技術推向新的階段

氮化鎵 (GaN) 是一種寬禁帶半導體材料，與硅相比，它具有出色的特性和性能，包括高效率、高開關速率、出色的熱管理以及小尺寸和重量。要在功率應用中大量采...

2022-07-29 標簽：GaN 器件 1k 0

負責任地創(chuàng)新以應對當今的能源挑戰(zhàn)

我們這一代面臨的最大挑戰(zhàn)是對能源的需求不斷增長。在許多社會變革的推動下，全球人均用電量在過去 30 年中增長了 50%。我們家中的電器越來越多，所以家里...

2022-08-01 標簽：能源 GaN 983 0

使用GaN制造半導體晶圓

通過使用下一代納米和半導體晶圓技術，將您的技術提升到一個新的水平。RISE 是新興技術的測試平臺。ProNano 是一個數(shù)字創(chuàng)新中心，您可以在其中進行試...

2022-07-29 標簽：半導體晶圓 GaN 1.4k 0

回顧大佬對于氮化鎵技術的看法

GaN 提高了功率轉(zhuǎn)換級的效率，使其成為制造高效電壓轉(zhuǎn)換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優(yōu)勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...

2022-07-29 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1k 0

提高寬帶隙功率器件的故障分析精度?

在電氣領域，漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...

2022-07-29 標簽：MOSFET 場效應晶體管功率器件 1.5k 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性?

已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 2.1k 0

新的GaN技術簡化了驅(qū)動基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動器電路需要仔細設計。首先，通常關閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態(tài)，從...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 2.7k 0

GaN晶體管的高級優(yōu)勢是什么

傳統(tǒng)上，半導體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si)，因為它的資源豐富且價格實惠。然而，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...

2022-07-29 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 2.6k 0

APEC 2022 上的電力電子：下一步是什么？

APEC是最重要的電力電子盛會之一。來自學術界和工業(yè)界的許多人有機會討論了有關GaN 和 SiC的最新消息。在會議期間，我有機會與這么多專家交談，并進一...

2022-07-30 標簽：半導體 SiC APEC 4.3k 0

用于電氣化的下一代 GaN

氮化鎵是未來節(jié)能電動汽車和 5G 網(wǎng)絡的關鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機構(gòu)Rise 測試平臺 ProNano開發(fā)...

2022-07-29 標簽：電動汽車半導體氮化鎵 887 0

GaN 將射頻應用推向新的階段

除了可以被視為利基領域的航空航天和國防之外，GaN在電信市場中也占有重要地位，其中高功率密度、開關頻率和效率（結(jié)合小尺寸）是強制性要求。

2022-07-29 標簽：放大器射頻晶體管 1.1k 0

使用立方 GaN LED 進行高速通信

Kubos Semiconductors Ltd. 是一家基于立方氮化鎵的 LED 開發(fā)商，與曼徹斯特大學和劍橋大學的研究人員合作，確定了 Kubos ...

2022-07-30 標簽：led 照明 GaN 942 0

適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?

本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺...

2022-07-29 標簽：pcb MOSFET 功率器件 1.2k 0

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