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本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)...
2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFETGaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1.7k 0
自主 GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?
歐盟大約有 80 億臺(tái)電動(dòng)機(jī)在使用，消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。 1 由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標(biāo)，因此存在多項(xiàng)舉措來降低這些...
2022-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IC電機(jī)驅(qū)動(dòng) 951 0
電源設(shè)計(jì)說明：面向高性能應(yīng)用的新型SiC和GaN FET器件分析
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強(qiáng)大，導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套...
2022-07-29 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)SiPGaN 1.3k 0
在設(shè)計(jì)基于氮化鎵的轉(zhuǎn)換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉(zhuǎn)換是一個(gè)革命性事件，其規(guī)?？膳c 70 年代后期的功率 MOS...
2022-08-01 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1k 0
新型寬帶隙半導(dǎo)體（如碳化硅和氮化鎵）在市場(chǎng)上的擴(kuò)散對(duì)傳統(tǒng)的老化和測(cè)試系統(tǒng)提出了挑戰(zhàn)，因?yàn)槁闫叽缭絹碓叫。⑶医M件可以承受更高的電壓和溫度。 老化試驗(yàn)箱...
GaN Power HEMT > 650 V：與 SiC MOSFET 的參數(shù)分析和比較
在過去幾年中，SiC MOSFET 在高壓 (600V) 和大功率應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位。熱導(dǎo)率、高臨界場(chǎng)、大大提高的開關(guān)效率以及在其表面形成二氧化硅的能力...
2022-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)計(jì)SiC 5.1k 0
氮化鎵已成為事實(shí)上的第三代半導(dǎo)體材料。然而，以您需要的質(zhì)量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰(zhàn)。
GaN 是一種新的生產(chǎn)半導(dǎo)體，有望在未來幾年在許多應(yīng)用中取代硅，而電池充電是第一個(gè)展示這種采用的大批量市場(chǎng)。如今，大多數(shù)用于電子產(chǎn)品的充電器都使用硅晶體...
不久前，SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的，但到了2018年，這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)開始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點(diǎn)，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應(yīng)用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來芯片...
每個(gè)世紀(jì)在人類努力的各個(gè)領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對(duì)于電力電子而言，21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)...
氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...
由于其化學(xué)物理特性和高度可靠的制造工藝，硅 （Si） 多年來一直是制造無源和有源電子元件最常用的半導(dǎo)體。MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入也使得 S...
將GaN用于射頻應(yīng)用的所有優(yōu)勢(shì)
與傳統(tǒng)技術(shù)相比，氮化鎵已被證明是射頻領(lǐng)域多種應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料，其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過程中，氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
Wibotic 的無人機(jī)和機(jī)器人配備新的基于 GaN 的充電器和發(fā)射器
大功率自主充電解決方案市場(chǎng)正在迅速擴(kuò)大，Wibotic 宣布了其在臺(tái)式電池充電器以及使用 GaN 技術(shù)的無人機(jī)和自主移動(dòng)機(jī)器人的無線充電發(fā)射器方面的最新...
我們知道，GaN在充電器等應(yīng)用上，主要是通過GaN材料的特性，使得使用GaN材料的功率開關(guān)器件在開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)...
影響非侵入式非接觸式電流傳感器測(cè)量的設(shè)計(jì)
本文介紹了影響 Tell-i 開發(fā)的非侵入式非接觸式電流傳感器測(cè)量的三種不同設(shè)計(jì)。該轉(zhuǎn)換器是具有 120VDC 輸入的 6.7MHz 兩相 DC/DC ...
2022-07-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器GaN電流傳感器 1.4k 0
基于GaN的耐輻射DC/DC轉(zhuǎn)換器可提高關(guān)鍵應(yīng)用的效率
除了顯著提高各種拓?fù)浜凸β始?jí)別的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外，基于 GaN 的 FET 還表現(xiàn)出對(duì)伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有...
2022-07-25 標(biāo)簽：DC-DC轉(zhuǎn)換器GaN隔離轉(zhuǎn)換器 4.1k 0
數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器，每個(gè)都配備中央處理單元 （CPU）、圖形處理單元 （GPU） 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存，因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 2.2k 0
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