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作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫...
使用 GaN 功率 IC 提高電機驅(qū)動的可靠性和性能
歐盟大約有 80 億臺電動機在使用，消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。1由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標(biāo)，因此存在多項舉措來降低這些電機...
GaN射頻應(yīng)用優(yōu)勢明顯，功率玩家厚積薄發(fā)
GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于Si...
不止于充電器！手機內(nèi)置GaN器件會成為下一個趨勢？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在短短幾年間，GaN材料就與“快充”這個詞緊密關(guān)聯(lián)了起來。在快充需求下，GaN已經(jīng)幾乎在手機、筆記本等設(shè)備的充電器上實現(xiàn)普...
5G 和 GaN：嵌入式設(shè)計人員需要了解的內(nèi)容
如本系列上一篇文章所述，6GHz 以下 5G 基站的功率需求正在推動從 LDMOS 放大器轉(zhuǎn)向基于 GaN 的解決方案。高功率密度、效率和更廣泛的頻率支...
很容易忘記 GaN 仍然是一項相對年輕的技術(shù)。我們?nèi)蕴幱陂_發(fā)的前幾代，具有很大的改進(jìn)和改進(jìn)潛力。本文著眼于即將出現(xiàn)的一些 GaN 創(chuàng)新，并預(yù)測它們在未來...
近年來智能快充市場爆火，GaN給智能快充領(lǐng)域帶來不少新機會，同時也進(jìn)入多個新應(yīng)用場景。如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充成為行業(yè)內(nèi)廣大廠商面臨的重大挑戰(zhàn)。
在實踐中，僅僅通過優(yōu)化隱向量z難以準(zhǔn)確重建ImageNet這樣的復(fù)雜真實圖像。訓(xùn)練GAN的數(shù)據(jù)集(ImageNet)本身是自然圖片中很少的一部分，GAN...
筆者最近在集中時間學(xué)習(xí)對抗生成網(wǎng)絡(luò)（GAN），特別是深度生成先驗進(jìn)行多用途圖像修復(fù)與處理，需要對圖像修復(fù)與處理經(jīng)典論文進(jìn)行回顧和精讀。
2022-07-13 標(biāo)簽：GaN生成器深度學(xué)習(xí) 4k 0
一種基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、低成本微型光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)
該芯片具有片上光電探測能力，能夠?qū)崟r讀取芯片表面集群細(xì)胞活動引起的折射率變化。同時通過集成一個微型微分干涉顯微鏡，實現(xiàn)對細(xì)胞形貌和運動的在線追蹤。該系統(tǒng)...
2022-07-12 標(biāo)簽：GaN傳感系統(tǒng)光學(xué)芯片 2.7k 0
利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長模型
碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場強度高、熱導(dǎo)率高等特性，其品質(zhì)因子優(yōu)異，在高溫、高頻、大功率及抗輻射領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2022-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiCGaN 1.9k 0
隨著第三代半導(dǎo)體GaN應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展，市面上適配器應(yīng)用方案開始逐漸采用GaN功率器件，GaN適配器高頻開關(guān)器件使得適配器的功率密度大大提高，產(chǎn)品尺寸更小...
ACT41000-104-REF1實現(xiàn)多種GaN PA偏置并自動校準(zhǔn)系統(tǒng)
中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克...
隨著氮化鎵GaN市場的火爆，有很多做充電器的工廠在尋找氮化鎵充電器方案；市面上雖然已有多款氮化鎵充電器在銷售，但是提供GaN方案設(shè)計的廠商確不多，并且存...
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質(zhì)，鹽酸作為陽極腐蝕介質(zhì)，用掃描電鏡和透射電...
新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)
而此次他們通過實驗證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄，該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
通過與 Exagan 的集成，ST 將擁有市場上最強大的 GaN IP 產(chǎn)品組合，因為我們將能夠同時提供 E 模式和 D 模式 GaN 產(chǎn)品，從而為...
納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V，實現(xiàn)更高效率和可靠性
圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...
基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、微型化、低成本光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)
目前主流商業(yè)化的無標(biāo)記活細(xì)胞監(jiān)測技術(shù)以電阻抗測量為基礎(chǔ)的微電子傳感技術(shù)為代表，該技術(shù)利用活細(xì)胞與檢測板孔中微電極相互作用，產(chǎn)生電阻抗的改變來定量活細(xì)胞狀...
2022-04-29 標(biāo)簽：GaN傳感系統(tǒng)光學(xué)芯片 2.6k 0
第一代半導(dǎo)體材料：主要指Si、Ge元素為主的半導(dǎo)體，它們是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎(chǔ)材料。
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