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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1261人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3435個 瀏覽：264905次 帖子：485個

      igbt技術(shù)

      SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

      功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速...

      2022-07-26 標(biāo)簽：IGBT晶體管SiC-MOSFET 3.4k 0

      碳化硅（SiC）技術(shù)取代舊的硅FET和IGBT

      所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...

      2023-05-06 標(biāo)簽：電動汽車IGBTSiC 3.4k 0

      新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)中的IGBT模塊技術(shù)解讀

      要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)，先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作：在駕駛新能源汽車時，電機控制器把動力電池放出的直流電（DC）變?yōu)榻?..

      2023-02-02 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 3.4k 0

      半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況

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      2023-03-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 3.4k 0

      聊一聊逆變電路工作原理

      聊一聊逆變電路工作原理

      本文以單相橋式逆變電路為例簡單說明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個臂，由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。

      2023-03-31 標(biāo)簽：晶閘管IGBT逆變電路 3.4k 0

      IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？

      IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？

      IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動電路及短路回路阻抗。

      2023-08-04 標(biāo)簽：分壓器IGBT短路 3.4k 0

      正弦交流電電路中電阻有何作用？IGBT電路中柵極電阻的選取規(guī)則及工作原理

      正弦交流電電路中電阻有何作用？IGBT電路中柵極電阻的選取規(guī)則及工作原理

      有些驅(qū)動器只有一個輸出端，如落木源TX-K841L、TX-KA962F，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。

      2017-06-10 標(biāo)簽：igbt 3.4k 0

      簡述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機制

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      2024-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 3.4k 0

      igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分，其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的...

      2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動 3.4k 0

      龍騰半導(dǎo)體MOSFET和IGBT在戶用光伏儲能上的應(yīng)用

      龍騰半導(dǎo)體MOSFET和IGBT在戶用光伏儲能上的應(yīng)用

      戶用儲能，也被稱為家庭儲能，是一種將分布式光伏與家庭儲能相結(jié)合的能源系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用太陽能發(fā)電設(shè)備為家庭提供電力，并將多余的電能儲存起來，供給電網(wǎng)或供家庭使用。

      2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體太陽能發(fā)電 3.4k 0

      基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)，使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析

      基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)，使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析

      R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的，其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等，而電容...

      2017-05-17 標(biāo)簽：單片機mos管igbt 3.4k 2

      IGBT在新能源汽車上的應(yīng)用

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      關(guān)注新能源車的朋友應(yīng)該都知“IGBT”這個詞，如果你去4S店買新能源車在談到提車時間時，銷售可能都會說由于芯片產(chǎn)能的不足，缺“芯片”導(dǎo)致整車的交付時間加...

      2023-06-19 標(biāo)簽：三極管新能源汽車MOS管 3.4k 0

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      　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。

      2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 3.3k 0

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      PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。

      2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBTPWM控制器 3.3k 0

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      功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實現(xiàn)突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...

      2022-10-14 標(biāo)簽：比較器電機電機驅(qū)動 3.3k 0

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      IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后

      2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管IGBT 3.3k 0

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      控制周期或者控制頻率和控制效果的關(guān)系，是不是成正比，這個問題沒有深入地驗證過，很難給出準(zhǔn)確答案。但是我可以給出一個相關(guān)的結(jié)論，這個結(jié)論就是：控制頻率越高...

      2023-07-10 標(biāo)簽：電動汽車逆變器IGBT 3.3k 0

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      IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊...

      2024-03-27 標(biāo)簽：場效應(yīng)管IGBT晶體管 3.3k 0

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      下面是貼片二極管封裝圖，一般帶白線的是陰極，如果不清楚，就用萬用表調(diào)制二極管檔，當(dāng)出現(xiàn)零點幾伏壓降的時候，紅表筆就代表二極管陽極，黑表筆代表陰極。

      2023-12-03 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)貼片二極管 3.3k 0

      淺談汽車應(yīng)用中的IGBT功率模塊

      諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到...

      2022-08-06 標(biāo)簽：IGBT 3.3k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        Nexperia
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        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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