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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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所謂分立器件,顧名思義就是由單個(gè)電子器件組成的電路元器件,它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品,作用包括整流、開關(guān)、小信號放...

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雙面散熱汽車IGBT模塊熱測試方法研究

與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同,雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量,其熱測試評估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模...

2023-02-08 標(biāo)簽:散熱器IGBT散熱 3.1k 0

IGBT在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的主要作用

IGBT在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中所發(fā)揮的作用非常重要,IGBT的性能影響著電機(jī)驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性。

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不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設(shè)計(jì)、材料導(dǎo)熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應(yīng)用場景進(jìn)行系統(tǒng)分析。

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SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢

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儲能逆變器的作用不僅有利于提升儲能系統(tǒng)的效率及運(yùn)行穩(wěn)定性,而且也是整個(gè)儲能系統(tǒng)中多種信息傳遞與處理、實(shí)時(shí)人機(jī)交互的信息平臺,是非常關(guān)鍵設(shè)備。

2023-06-16 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT半導(dǎo)體器件 3.1k 0

微觀電流—漂移電流簡析

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IGBT全稱叫做絕緣柵雙極型晶體管,實(shí)際上就是絕緣柵場效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起,一種非常簡單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化,是科技創(chuàng)新...

2023-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 3k 0

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柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

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2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 3k 0

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    STM32F103C8T6
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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