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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

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MOS和IGBT在充電樁上的應用

充電樁是指為電動汽車提供能量補充的充電裝置，其功能類似于加油站里面的加油機，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小...

2024-01-25 標簽：電動汽車 IGBT MOS 3.3k 0

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2023-08-31 標簽：二極管 MOSFET 晶閘管 3.3k 0

一文解讀電荷的復合

根據(jù)前面的分析，電子或者空穴產生于導帶和價帶中是一個統(tǒng)計概率，這個概率符合費米分布規(guī)律。

2023-11-27 標簽：半導體 IGBT 電荷 3.3k 0

常用的功率元器件大全,防爆變頻機的設計，你想知道的全在這里！

隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，變頻調速技術日益成熟，通用變頻器得到了迅速發(fā)展，各種品牌的變頻器在自控領域的各行各業(yè)都得到了廣泛的應用。但在一些有爆炸性氣體...

2017-05-23 標簽：變頻器 mos管 igbt 3.3k 0

三相600V柵極全橋驅動IC-PT5616/PT5616A介紹

PT5616/PT5616A是全橋驅動IC，在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中，用于控制功率器件，如MOS晶體管或IGBT。

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引起IGBT失效的原因有幾種

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IGBT 作為新能源汽車電機控制器的核心部件，直接決定了電動汽車的安全性和可靠性。本文主要介紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結溫，并結合 CLTC...

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2024-08-19 標簽：芯片 IGBT 晶體管 3.3k 0

IGBT用什么驅動好

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的高性能半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優(yōu)點。然而，由于IGBT的驅動電路...

2023-12-30 標簽：驅動 IGBT 晶體管 3.3k 0

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通常來講，全控型半導體器件可以依照其導通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導體器件和雙極型半導體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。

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在推導MOS的IV特性時，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。

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對電力電子工程師而言，功率組件是我們的設計對象，而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。功率組件的效率、保護功能、EMC等表現(xiàn)和IGBT的...

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2017-05-23 標簽：變壓器電容 igbt 3.2k 0

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