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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(+15V) ,但負柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問...
陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關(guān)鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,具有高輸入阻...
眾所周知,在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動機的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為...
今天給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設(shè)計,如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
三極管是一種電流控制體器件,它的主要作用是把微弱信號放大,輸入阻抗低,例如在基極b給一個很小的電流Ib,在集電極c上得到一個比較大的電流Ic。它是電流放...
2023-04-13 標簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 6.9k 0
逆變器就是變壓器嗎 逆變器可以當變壓器使用嗎 陽能逆變器是變壓器嗎
逆變器和變壓器是兩個不同的電子設(shè)備,雖然逆變器和變壓器都是用于電能轉(zhuǎn)換的,但是它們的工作原理、功能和實現(xiàn)方式都有很大的區(qū)別。
自 20 世紀 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級,從平面穿通型(PT)到微溝槽場截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點
碳化硅MOS優(yōu)點:高頻高效,高耐壓,高可靠性??梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,例如變頻空調(diào)、變頻熱泵、變頻地暖、變頻傳送帶等利用變頻器技術(shù)的應(yīng)用非常廣泛。雖然變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,優(yōu)點也非常多,但是,對于變頻...
英飛凌EconoPIM3 IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
模塊內(nèi)部左上方還集成了一個單獨的IGBT,邊上還有一個相應(yīng)的小的二極管。用于制動的和由于這個IGBT的面積小,所以功率電流小,用于制動,也就是制動單元。
為何需要選擇一款igbt來替換FGH60N60SMD型號參數(shù)呢?
這幾年來伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術(shù)的發(fā)展,在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應(yīng)用也越來越廣泛。
2023-04-11 標簽:逆變器電力系統(tǒng)IGBT 4.6k 0
FHA60T65A IGBT單管為何是后極逆變電路中的首選元器件呢?
對于后極逆變電路中的Two-level要選擇FHA60T65A型號的IGBT單管來應(yīng)用。尤其是對于單相光伏逆變器的產(chǎn)品,為何?
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
薩科微slkor半導體的高速低側(cè)柵極驅(qū)動器SL27511介紹
電機作為工業(yè)生產(chǎn)的一種重要設(shè)備,為了能夠滿足不同應(yīng)用場景需求,對電機的控制要求也不斷的提高。
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計,雖然今天聊的可能有些重復,但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標簽:IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計 4k 0
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導致的電流不可控現(xiàn)象,當然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
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