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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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電磁爐主要由主機電路板、按鍵顯示面板、線圈盤、風扇等組成,其核心控制部分是主機電路板,主機電路板上主要的元器件有諧振電容、抗干擾電容、濾波電容、扼流線圈...
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標簽:開關(guān)電源變頻器IGBT 2.9k 0
在半導體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
BGH75N120HF1在工商業(yè)儲能PCS變流器中的應(yīng)用
NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓撲結(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓撲結(jié)構(gòu)。
有哪些國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT型號可以用于高頻車載正弦波逆變器呢?
IGBT在高頻車載正玄波逆變器中一般起到控制和調(diào)節(jié)電流的作用。
在電子電路中,二極管是最常用的基礎(chǔ)電子元器件之一,在電力電子電路中,二極管與開關(guān)器件形影相隨,并且在很多情況下,二極管的數(shù)量要多于開關(guān)器件,可見其重要性...
IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導體 3.6k 0
變頻器缺相故障是常見的故障之一,要知道變頻器產(chǎn)品中主要有單相220V與三相380V的區(qū)分,當然輸入缺相檢測只存在于三相的產(chǎn)品中。圖1所示為變頻器主電路,...
功率因數(shù)校正電路的開關(guān)管驅(qū)動方案
常用的有橋PFC為boost PFC電路,如圖1所示,在整流橋之后使用一個boost電路完成功率因素校正和輸出電壓穩(wěn)定的功能。選用boost電路的一個重...
IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動芯片集成度也越來越高,其中欠壓保護功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較...
有刷直流電機驅(qū)動和無刷直流電機驅(qū)動一樣嗎?怎么驅(qū)動大功率直流電機?
有刷直流電機驅(qū)動和無刷直流電機驅(qū)動的原理是不同的,因此,在驅(qū)動方式上也存在較大的差異。
IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進行電氣連接。
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
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