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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析
該模塊由塑料外殼封裝起來(lái),底部為導(dǎo)熱鈑金,導(dǎo)熱鈑金貼在散熱器上,用四個(gè)螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。
我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2.7k 0
由于VFD /逆變器是提供電源的關(guān)鍵組件,因此它們的操作,性能和可靠性對(duì)于保持不間斷電源至關(guān)重要。本應(yīng)用筆記重點(diǎn)關(guān)注即使在不利條件下也可幫助確保VFD的...
變頻驅(qū)動(dòng)器VFD/IGBT逆變器的過(guò)壓保護(hù)6KV介紹
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。
2023-03-30 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)逆變器IGBT 2.7k 0
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來(lái)改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。
電驅(qū)系統(tǒng)工作:在駕駛新能源汽車時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個(gè)過(guò)程即逆變),讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作,電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,...
2023-03-29 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 4.3k 0
變頻器,也稱為變頻調(diào)速器,是一種能夠?qū)﹄娫措妷哼M(jìn)行精確調(diào)節(jié)的電力電子設(shè)備。它通過(guò)電子元器件(如晶閘管、IGBT等)將輸入的交流電源進(jìn)行整流和逆變,輸...
2023-03-28 標(biāo)簽:晶閘管變頻器電動(dòng)機(jī) 2.2k 0
PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來(lái)說(shuō),就需要三個(gè)橋臂。 以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)...
2023-03-28 標(biāo)簽:PWMIGBT脈寬調(diào)制 2.9k 0
使用高壓電子設(shè)計(jì)?這些規(guī)范知識(shí)你應(yīng)該知道的
對(duì)于將設(shè)計(jì)時(shí)間花在個(gè)位數(shù)、低壓世界的工程師來(lái)說(shuō),“高壓”一詞可能會(huì)讓人聯(lián)想到兩位數(shù)的電壓,可能高達(dá) 24V 或 48V DC,甚至是三位數(shù)的電壓域120...
近年來(lái),以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...
國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)共同推動(dòng)了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
為了確保高水平的功能安全以保護(hù)車輛操作員以及第一代系統(tǒng),使能套件中包含系統(tǒng)級(jí)功能安全白皮書、設(shè)備FMEDA和功能安全運(yùn)行時(shí)框架,適用于ASIL C/D ...
2023-03-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT功率逆變器 3.5k 0
變頻器是一種用于控制交流電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩的電子設(shè)備。它能夠?qū)㈦娫吹碾妷汉皖l率轉(zhuǎn)換為可調(diào)節(jié)的電壓和頻率輸出,從而控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。
2023-03-24 標(biāo)簽:變頻器電動(dòng)機(jī)電機(jī) 8.1k 0
環(huán)氧灌封膠及在IGBT功率模塊封裝中的應(yīng)用簡(jiǎn)析
功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制,是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件,被譽(yù)為 電能處理的“CPU”,是節(jié)能減排的基礎(chǔ)器件和核心技術(shù)之一
IGBT與MOSFET不同,內(nèi)部沒(méi)有寄生的反向二極管,因此在實(shí)際使用中(感性負(fù)載)需要搭配適當(dāng)?shù)目旎謴?fù)二極管。
2023-03-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBT快恢復(fù)二極管 3.7萬(wàn) 2
IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來(lái)新能源汽車智能化比較長(zhǎng)期的需求點(diǎn),根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來(lái)看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...
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