完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
文章:3435個 瀏覽:264765次 帖子:485個
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個我們身邊的例子:新型電動汽車,大家應(yīng)該都不陌生了。三個這樣的黑色模塊可以用作三相電...
變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。** 變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率...
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備...
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...
寄生二極管和普通二極管一樣,正接會導(dǎo)通,反接截止,對于NMOS,當S極接正,D極接負,寄生二極管會導(dǎo)通,反之截止;對于PMOS管,當D極接正,S極接負,...
2023-03-06 標簽:場效應(yīng)管MOS管IGBT 3.1k 0
近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開關(guān)損耗等權(quán)衡...
為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式PFC電路
對于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓撲結(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇,如空調(diào)、...
2023-03-05 標簽:二極管升壓轉(zhuǎn)換器IGBT 2.4k 0
變頻器內(nèi)部是由無數(shù)個電子器件構(gòu)成的,其工作時會產(chǎn)生大量的熱量,尤其是IGBT工作在高頻狀態(tài)下,產(chǎn)生的熱量會更多。
2023-03-03 標簽:控制系統(tǒng)變頻器IGBT 8.7k 0
具體來說,可以通過電子器件(例如晶體管、IGBT等)開關(guān)電源,將直流電源轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖信號,再通過控制脈沖的占空比來控制電機的電壓。當占空比增加時...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-03-02 標簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 2.3k 0
開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計,不需要計算。為了計算 IGBT 的總功率損耗,須將這三個能量之和乘以開關(guān)頻率。
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
大功率電力電子裝置常用的功率半導(dǎo)體開關(guān)器件有哪些?
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
首先需要了解的是:接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項,而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中,該信息...
PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題,但是需要增加外延層厚度,技術(shù)復(fù)雜,成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的,電壓規(guī)格越高、外...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成,兼...
2023-02-26 標簽:MOS管IGBT功率半導(dǎo)體 1.6萬 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |