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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

碳化硅的需求正在飆升

 到2030年,汽車電源市場(包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導(dǎo)體)的收入預(yù)計(jì)將達(dá)到266億美元,幾乎是今年收入的兩倍。未來五年,車用功率芯片市...

2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 2.1k 0

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行?

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行?

在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以類似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN(氮化鎵)功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。

2023-06-16 標(biāo)簽:IGBTSiC氮化鎵 1.2k 0

好消息!第7代IGBT功率模塊成功研制

IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件,被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管,是國際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表...

2023-06-16 標(biāo)簽:cpuIGBT晶體管 2.5k 0

華潤微IGBT產(chǎn)品逐漸成為汽車行業(yè)的新寵

在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,IGBT技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和充電系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換和控制。據(jù)華潤微最近的投資者調(diào)研表示,預(yù)計(jì)今年該公司的模塊產(chǎn)品將進(jìn)入汽車主驅(qū)應(yīng)...

2023-06-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 1.7k 0

薩科微推出“slkor”SL40T120FL系列IGBT單管和SLA333系列CMOS運(yùn)放等新產(chǎn)品

薩科微推出“slkor”SL40T120FL系列IGBT單管和SLA333系列CMOS運(yùn)放等新產(chǎn)品

薩科微(www.slkormicro.com)半導(dǎo)體最近推出了IGBT單管SL40T120FL系列,該型號(hào)功率(Pd)可達(dá)417W、集射極擊穿電壓(Vc...

2023-06-13 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體IGBT 2.6k 0

第二季度半導(dǎo)體庫存降底 車規(guī)MCU和IGBT交貨時(shí)間延長

報(bào)告指出,由于2023年第二季度的需求反彈,且代工廠和半導(dǎo)體供應(yīng)商的生產(chǎn)節(jié)流,預(yù)計(jì)該指數(shù)將大幅下行。不過,該指數(shù)將在整個(gè)2023年保持在盈余區(qū)域(庫存量...

2023-06-12 標(biāo)簽:ledIGBT模擬芯片 1.3k 0

如何看待中國前五個(gè)月芯片進(jìn)口下降20%?

根據(jù)官方海關(guān)數(shù)據(jù),中國的芯片進(jìn)口在 2023 年前五個(gè)月下降了近 20%,原因是在地緣政治摩擦愈演愈烈的情況下,中國與韓國和日本的貿(mào)易萎縮。

2023-06-09 標(biāo)簽:處理器MOSFETIGBT 2.5k 0

2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長

2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長

研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測,盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩,但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長。

2023-06-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓IGBT 1.3k 0

“金剛石半導(dǎo)體”中隱藏的可能性

“金剛石半導(dǎo)體”中隱藏的可能性

金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)異的特性,作為功率器件材料備受期待。

2023-06-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT功率器件 3.2k 0

功率密度提升80%的服務(wù)器電源供應(yīng)器是如何打造的?

隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲(chǔ)等服務(wù)提供支持,處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大,電力需求也隨之增長。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下,如何...

2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器IGBT 978 0

芯片苦盡甘來?大摩看衰這類半導(dǎo)體

但與此同時(shí),摩根士丹利發(fā)布報(bào)告指出,PC半導(dǎo)體上半年的強(qiáng)勁補(bǔ)貨已反映在股價(jià)上。如果終端需求沒有復(fù)甦,下半年展望將更加疲軟,成長動(dòng)能將減弱。因此,大摩調(diào)降...

2023-06-01 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.3k 0

FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于吹葉機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,能替代國內(nèi)知名品牌

FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于吹葉機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,能替代國內(nèi)知名品牌

當(dāng)然,在應(yīng)用中,我們電機(jī)驅(qū)動(dòng)研發(fā)工程師一定要了解這款優(yōu)質(zhì)FHF20T60A國產(chǎn)IGBT單管的詳細(xì)參數(shù):其具有20A, 600V, VCEsat典型值:1...

2023-05-30 標(biāo)簽:二極管電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1.5k 0

陸芯科技榮獲車規(guī)級(jí)IGBT最佳工藝解決方案

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2023年5月25日,在杭州舉行的 CAPS2023 功率半導(dǎo)體之“芯“ 頒獎(jiǎng)典禮上, 陸芯科技榮獲了車規(guī)級(jí)IGBT最佳工藝解決方案獎(jiǎng)! 「車規(guī)級(jí)IGB...

2023-05-29 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體汽車半導(dǎo)體 2.1k 0

IGBT持續(xù)缺貨的三個(gè)原因

盡管IGBT客戶和訂單規(guī)模在增長,但到下游晶圓代工廠的產(chǎn)能調(diào)節(jié)仍需要時(shí)間,晶圓代工廠的產(chǎn)能主要集中在訂單規(guī)模大且穩(wěn)定的消費(fèi)電子產(chǎn)品上。短期內(nèi),IGBT的...

2023-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶圓廠碳化硅 2k 0

士蘭微:主要產(chǎn)品滿產(chǎn)、消費(fèi)類產(chǎn)品承壓,國內(nèi)8吋IGBT襯底產(chǎn)量不夠分

受外部需求放緩影響,士蘭微(600460.SH)2022年度營收只完成計(jì)劃的82.82%。此外,公司增收不增利,凈利下降趨勢延續(xù)至今年Q1。 在昨日舉行...

2023-05-26 標(biāo)簽:IGBT士蘭微 1.2k 0

意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片,保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC和GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)

意法半導(dǎo)體發(fā)L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。

2023-05-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體DC-DCIGBT 1.7k 0

igbt在電動(dòng)汽車上的作用

igbt在電動(dòng)汽車上的作用 IGBT是一種由控制電路控制、是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體;由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)...

2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 2.8k 0

igbt和mos管怎么區(qū)分

igbt和mos管怎么區(qū)分 一說到開關(guān),大家都不陌生,如我們家里的燈開關(guān)、家用電器的開關(guān)等,這些開關(guān)都是可以用手控制的,按一下就開,按一下又關(guān)。 然而,...

2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 2.3k 0

igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn)

igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn) 在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,...

2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 2.6k 0

賽米控丹佛斯推出基于羅姆的1200V IGBT的功率模塊

隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展,對功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度,相關(guān)產(chǎn)品的市場規(guī)模急劇擴(kuò)大,幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。

2023-05-10 標(biāo)簽:IGBT功率模塊羅姆 853 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    802.11ac與11基站測試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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