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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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揚(yáng)杰科技針對(duì)工業(yè)焊機(jī)、感應(yīng)加熱、電磁爐等高頻應(yīng)用領(lǐng)域, 推出IGBT高頻系列模塊新品
產(chǎn)品特點(diǎn) ◆最高結(jié)溫Tjmax=150℃; ◆低關(guān)斷損耗,適合高頻應(yīng)用; ◆具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管; ◆具有高短路支撐電流能力(...
2020-10-27 標(biāo)簽:IGBT高頻感應(yīng)加熱 2.2k 0
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū),相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極(Emitter)。背面 P+ 區(qū)域定義...
比亞迪長沙IGBT項(xiàng)目致力于解決新能源汽車電子核心功率器件問題
3 月 5 日訊,計(jì)劃建設(shè)集成電路制造生產(chǎn)線的長沙比亞迪 IGBT 項(xiàng)目正式啟動(dòng)建設(shè),該項(xiàng)目致力于解決新能源汽車電子核心功率器件“卡脖子”問題。
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響?
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IG...
昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開...
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片,在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工...
意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.2k 0
我想你會(huì)得到兩個(gè)不同的答案,這個(gè)問題涉及EMI的輻射和對(duì)EMI的免疫力。我不確定你最感興趣的是什么。兩者都有標(biāo)準(zhǔn),具體取決于應(yīng)用。歐洲工業(yè)輻射標(biāo)準(zhǔn)比北美...
2021-02-10 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變頻器IGBT 2.2k 0
新品 | 采用6500V IGBT 4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊
新品采用6500VIGBT4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模塊,應(yīng)用了IGBT4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù),是...
IGBT全球缺貨成香餑餑,對(duì)從業(yè)者來說是紅利期到了嗎?
IGBT技術(shù)路線、發(fā)展機(jī)遇詳解
2023-03-28 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2.2k 0
新能源汽車帶給國產(chǎn)IGBT的發(fā)展機(jī)遇不言而喻 挑戰(zhàn)也不容小覷
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管),是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?。采用IGBT進(jìn)行功率變換...
2018-12-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車IGBT 2.2k 0
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
中微愛芯推出低側(cè)單通道柵極驅(qū)動(dòng)電路AiP44273L
AiP44273L是一款低側(cè)單通道的柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)低壓功率MODFET和IGBT。輸入兼容CMOS和TTL電平,輸入電壓范圍能兼容-5...
2025-08-13 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路 2.2k 0
ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件,還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片
引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...
東芝RC結(jié)構(gòu)分立IGBTGT30J65MRB:提升空調(diào)與工業(yè)設(shè)備能效的可靠伙伴
當(dāng)前,高功率工業(yè)設(shè)備及家用電器領(lǐng)域正面臨著前所未有的效率挑戰(zhàn)。變頻空調(diào)的廣泛應(yīng)用以及工業(yè)設(shè)備對(duì)低功耗大型電源的迫切需要,使市場(chǎng)對(duì)于高效能開關(guān)器件的需求日...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進(jìn)一步提高效率
由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。
2021-02-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT肖特基勢(shì)壘二極管 2.1k 0
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