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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作 賽米控丹佛斯(總部位于德國(guó)紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)在開發(fā)SiC(...

2023-04-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 2k 0

對(duì)于加快工作進(jìn)度,君芯IGBT柵極電阻Rg的選型

對(duì)于加快工作進(jìn)度,君芯IGBT柵極電阻Rg的選型

因?yàn)殡娐分斜厝淮嬖陔s散電感,所以減小Rg 時(shí)必須考慮di/dt 所產(chǎn)生的影響,過(guò)高的di/dt 除了會(huì)在IGBT 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)大的峰值電壓以致于產(chǎn)存在過(guò)...

2018-06-08 標(biāo)簽:電阻igbtrg 2k 0

芯長(zhǎng)征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)

在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,芯長(zhǎng)征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)近兩個(gè)月的激烈競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格評(píng)審...

2024-12-10 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率芯片 2k 0

新能源車企比IGBT更青睞SIC,其優(yōu)勢(shì)何在?

新能源車企比IGBT更青睞SIC,其優(yōu)勢(shì)何在?

前言新能源汽車依舊火熱,今年上半年國(guó)內(nèi)銷量突破370萬(wàn)輛,比亞迪、特斯拉、豐田、現(xiàn)代、吉利、上海大眾、日產(chǎn)等車企都已經(jīng)在引入SIC器件。為何車企都采用S...

2023-08-17 標(biāo)簽:新能源IGBTSiC 2k 0

三菱電機(jī)推出新型SLIMDIP-Z功率半導(dǎo)體模塊

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,其新型SLIMDIP-Z功率半導(dǎo)體模塊將于2023年2月發(fā)布,該模塊具有30A的高額定電流,主要應(yīng)用于家用電器逆變器系統(tǒng)。

2023-02-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率半導(dǎo)體 2k 0

2013年度大事記:藍(lán)牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)

4G商用帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈大發(fā)展 網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成關(guān)鍵,新能源應(yīng)用加持IGBT市場(chǎng)商機(jī)無(wú)限,藍(lán)牙4.0超越過(guò)往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展,

2013-12-13 標(biāo)簽:4G藍(lán)牙IGBT 2k 0

碳化硅(SiC)功率模塊替代IGBT模塊的工程技術(shù)研究報(bào)告

碳化硅(SiC)功率模塊替代IGBT模塊的工程技術(shù)研究報(bào)告

碳化硅(SiC)功率模塊替代IGBT模塊的工程技術(shù)研究報(bào)告:基于“三個(gè)必然”戰(zhàn)略論斷的物理機(jī)制與應(yīng)用實(shí)踐驗(yàn)證 傾佳電子(Changer Tech)是一家...

2026-01-06 標(biāo)簽:IGBT碳化硅 2k 0

龍騰半導(dǎo)體入選陜西省2026年省級(jí)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目

近日,陜西省發(fā)展和改革委員會(huì)正式發(fā)布2026年省級(jí)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目清單,計(jì)劃實(shí)施省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目640個(gè),年度投資3500億元以上。龍騰半導(dǎo)體股份有限公司兩個(gè)在...

2026-04-03 標(biāo)簽:IGBT功率模塊 2k 0

碳化硅(SiC)技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力

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正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動(dòng)化工程師羨慕無(wú)比。這種體積小、精確且完全電動(dòng)的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。...

2023-12-13 標(biāo)簽:IGBT硅基伺服器 2k 0

搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200VIGBT7P7芯片,并將...

2023-09-14 標(biāo)簽:英飛凌芯片封裝 2k 0

1ED3120MU12H單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍

EiceDRIVERCompact單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,具備5.5 A典型灌電流和拉電流峰值輸出,采用DSO-8寬體封裝,爬電距離大(>8 mm...

2022-11-02 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 2k 0

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

近年來(lái),全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為303.37億美元,同比增長(zhǎng)27.4%,20...

2023-12-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2k 0

I型三電平IGBT模塊驅(qū)動(dòng)板——重塑工業(yè)級(jí)功率控制新標(biāo)準(zhǔn)

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I型三電平驅(qū)動(dòng)板——重塑工業(yè)級(jí)功率控制新標(biāo)準(zhǔn)! 在新能源與工業(yè)驅(qū)動(dòng)的浪潮中, 青銅創(chuàng)技術(shù)(Bronze Technologies) 憑借自主研發(fā)的 Br...

2025-08-03 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)板 2k 0

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制...

2025-12-20 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFET半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 2k 0

飛虹半導(dǎo)體FHA60T65A IGBT單管在直流電焊機(jī)的應(yīng)用

IGBT單管因其能夠提供穩(wěn)定的電流輸出以及提高能量效率的特點(diǎn)而常用于直流電焊機(jī)中。因此對(duì)于直流電焊機(jī)在使用IGBT單管的選擇則尤為重要。

2024-09-04 標(biāo)簽:二極管電焊機(jī)IGBT 2k 0

如何使用泰克示波器檢測(cè)維修焊機(jī)?

近期,某特種加工工廠客戶咨詢使用泰克示波器進(jìn)行焊機(jī)的維修檢測(cè)。由于客戶現(xiàn)有一臺(tái)逆變電焊機(jī)可正常通電開機(jī),但焊絲不化絲。客戶將機(jī)器拆解后使用傳統(tǒng)萬(wàn)用表進(jìn)行...

2021-12-15 標(biāo)簽:示波器IGBT焊機(jī) 2k 0

IGBT 模塊接觸熱阻增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性

IGBT 模塊接觸熱阻增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性

一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素,受到諸多...

2025-09-01 標(biāo)簽:芯片IGBT 2k 0

比亞迪半導(dǎo)體超級(jí)混動(dòng)DM4.0 IGBT模塊榮膺2022年全球電子成就獎(jiǎng)

2022 年 11 月 10 - 11 日,由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán) ASPENCORE 舉辦的“國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC)”在深圳隆重...

2022-11-14 標(biāo)簽:比亞迪IGBT功率半導(dǎo)體 2k 0

芯導(dǎo)科技推出650V/1200V高性能IGBT產(chǎn)品

芯導(dǎo)科技推出650V/1200V高性能IGBT產(chǎn)品

能源是經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)和動(dòng)力源泉。近些年,“雙碳”戰(zhàn)略引領(lǐng)能源轉(zhuǎn)型革命,發(fā)展綠色低碳新質(zhì)生產(chǎn)力既是解決全球環(huán)境問(wèn)題的重要保障,更是國(guó)家經(jīng)濟(jì)與民...

2024-11-15 標(biāo)簽:IGBT芯導(dǎo)科技 2k 0

GA系列IGBT半橋、高端開關(guān)和低端開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路

GA系列IGBT半橋、高端開關(guān)和低端開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路

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2010-02-18 標(biāo)簽:IGBT 2k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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