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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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安森美發(fā)布高功率密度IGBT模塊,助力能源系統(tǒng)優(yōu)化

在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域,美國(guó)納斯達(dá)克上市的安森美公司(onsemi,股票代碼:ON)再次展現(xiàn)其技術(shù)實(shí)力。近日,該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDua...

2024-06-12 標(biāo)簽:安森美IGBT功率模塊 1.9k 0

一個(gè)IGBT用不同的驅(qū)動(dòng)板會(huì)得到不一樣的效果嗎?為什么?

一個(gè)IGBT用不同的驅(qū)動(dòng)板會(huì)得到不一樣的效果嗎?為什么? 當(dāng)使用不同的驅(qū)動(dòng)板驅(qū)動(dòng)同一個(gè) IGBT 時(shí),會(huì)產(chǎn)生不同的效果。這是因?yàn)轵?qū)動(dòng)板在控制 IGBT ...

2024-01-15 標(biāo)簽:IGBT電源電壓電流控制 1.9k 0

X-ray檢測(cè)設(shè)備在IGBT模塊的作用

X-RAY檢測(cè)的最大優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)結(jié)果直觀。圖像顯示IGBT軟件內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷的自動(dòng)識(shí)別和判斷。IGBT在生產(chǎn)過(guò)程中,不僅保證了產(chǎn)品的質(zhì)量,而且在生產(chǎn)規(guī)劃階段...

2022-07-01 標(biāo)簽:IGBT晶體管檢測(cè)設(shè)備 1.9k 0

日本電產(chǎn)理德推出半導(dǎo)體高速檢測(cè)裝置“NATS-1000”

日本電產(chǎn)理德推出半導(dǎo)體高速檢測(cè)裝置“NATS-1000”

“NATS-1000”將每次檢測(cè)分為室溫絕緣、高溫靜態(tài)、高溫動(dòng)態(tài)和室溫靜態(tài)這四種狀態(tài),通過(guò)分散檢測(cè)及并行檢測(cè),確保檢測(cè)的高速性,從而有助于提高生產(chǎn)率。

2022-12-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 1.9k 0

基于H6橋的單相光伏并網(wǎng)逆變器

為何?因?yàn)镕HA40T65A具備高可靠性,擁有反向并行的快恢復(fù)二極管,Trench Field Stop Ⅱ technology(拖尾電流非常短,出色...

2023-01-10 標(biāo)簽:逆變器IGBT 1.9k 0

IGBT的保護(hù)及電路圖

IGBT的保護(hù)及電路圖

IGBT的保護(hù)措施,主要包括過(guò)壓保護(hù)和過(guò)流保護(hù)兩類。使用中,對(duì)于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)浪涌電壓,可以采用適

2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 1.9k 0

貝茵凱一次流片出三款大功率IGBT芯片,良率接近100%

就在今年8月,貝茵凱獨(dú)自開(kāi)發(fā)出了“第7代高性能igbt”,并在12英寸晶片上亮相。以200a電流規(guī)格為例,12英寸晶片能生產(chǎn)約400個(gè)芯片,而8英寸晶片...

2023-10-16 標(biāo)簽:芯片IGBT晶片 1.9k 0

國(guó)產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段

在中國(guó),為了適應(yīng)大環(huán)境的需求,扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展,國(guó)家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺(tái)了一系列支持性的政策措施,在政府和市場(chǎng)的雙重推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體行業(yè)正...

2014-03-11 標(biāo)簽:IGBT功率器件 1.9k 0

守護(hù)電力電子的“生命線”:專用離子捕捉劑在功率模塊中的創(chuàng)新應(yīng)用

守護(hù)電力電子的“生命線”:專用離子捕捉劑在功率模塊中的創(chuàng)新應(yīng)用

功率模塊作為電力電子設(shè)備的核心,長(zhǎng)期承受高電壓、大電流、高溫循環(huán)的嚴(yán)苛應(yīng)力。研究表明,在逆變器、變頻器等設(shè)備中,功率模塊的失效有超過(guò)40%與離子遷移導(dǎo)致...

2025-12-02 標(biāo)簽:模塊IGBT功率模塊 1.9k 0

華太電子引領(lǐng)光儲(chǔ)逆變器高效變革

在光儲(chǔ)逆變器這一核心系統(tǒng)中,功率器件堪稱電能高效轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的“核心樞紐”,其性能表現(xiàn)直接決定了光儲(chǔ)系統(tǒng)的整體效能、運(yùn)行穩(wěn)定性以及經(jīng)濟(jì)性。隨著全球能源...

2025-05-07 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率器件 1.9k 0

新品 | 1200V 62mm IGBT 7半橋模塊產(chǎn)品線擴(kuò)充

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新品1200V62mmIGBT7半橋模塊產(chǎn)品線擴(kuò)充英飛凌推出1200V62mm半橋模塊產(chǎn)品擴(kuò)充,額定電流涵蓋450A到800A,采用預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料和共...

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華潤(rùn)微電子開(kāi)發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)

華潤(rùn)上華已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IG...

2011-03-31 標(biāo)簽:IGBT華潤(rùn)微電子工藝平臺(tái) 1.9k 0

龍騰半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展

龍騰半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展

近日,2025年4月15日,全球電子行業(yè)矚目的慕尼黑上海電子展在上海新國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕。作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),龍騰攜多款核心產(chǎn)品及應(yīng)用解...

2025-04-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.9k 0

車用功率器件應(yīng)用速增,國(guó)內(nèi)有哪些供應(yīng)商

汽車電動(dòng)化、智能化發(fā)展,將帶動(dòng)車用功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)。

2022-09-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1.9k 0

2022年功率晶體管銷售額有望增長(zhǎng)11%,預(yù)計(jì)達(dá)245億美元

功率晶體管市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2024 年開(kāi)始另一個(gè)增長(zhǎng)周期,到 2026 年,年銷售額將穩(wěn)步增長(zhǎng),達(dá)到 289 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 有望達(dá)到...

2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.9k 0

陸芯IGBT用于各類高頻電源產(chǎn)品

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1.應(yīng)用概述各類高頻電源產(chǎn)品都是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,以滿足不同環(huán)境,不同功率和狀態(tài)的需求;功率變換通常有交流變直流(AC-DC)、直流變交流(DC-AC),...

2022-07-05 標(biāo)簽:電源IGBT 1.9k 0

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來(lái)可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。

2022-07-06 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFETIGBT 1.9k 0

8英寸晶圓半導(dǎo)體IGBT封測(cè)和模組項(xiàng)目將落地安徽黟縣

黟縣據(jù)公布的消息稱,黃山芯動(dòng)力投資基金合作協(xié)議的簽訂,黟縣總規(guī)模3億元的益山繼招商產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金設(shè)立后,對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目投資的又一個(gè)“芯動(dòng)力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金...

2023-07-19 標(biāo)簽:模塊半導(dǎo)體IGBT 1.9k 0

供不應(yīng)求,車規(guī)級(jí)IGBT爆缺?

不過(guò),車規(guī)級(jí)IGBT行業(yè)集中度極高。由于車規(guī)級(jí)IGBT模塊驗(yàn)證周期長(zhǎng)、技術(shù)及可靠性要求高,目前全球供應(yīng)主要仍集中在IDM廠商,包括英飛凌、安森美、賽米控...

2022-12-16 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體IGBT 1.9k 0

安世半導(dǎo)體攜多款先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案亮相PCIM Asia 2024

8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商安世半導(dǎo)體在PCIM Asia 2024展會(huì)上大放異彩,展示了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。此次參展,安...

2024-09-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT安世半導(dǎo)體 1.9k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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