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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊
新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構(gòu),針對...
IH2系列IGBT支持1350V的電壓(如今新增了1600V電壓),并采用了先進的溝槽柵極場截止 (TGFS) 架構(gòu)。該系列產(chǎn)品支持更高的擊穿電壓、較低...
2025-11-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體IGBT 1.3k 0
華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...
智能時代的能源轉(zhuǎn)換:IGBT與MOSFET在智慧生活中的應(yīng)用
在電力電子領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是兩種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件。它們的獨特特性使它們在高效能和...
? ? ? ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子的核心開關(guān)器件,兼具MOSFET的高輸入阻抗與BJT的低導(dǎo)通損耗,廣泛用于大功率電能變換與控制,...
2026-03-25 標(biāo)簽:IGBT 1.3k 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V...
芯干線科技第五屆國產(chǎn)半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)大會精彩回顧
日前,電子研習(xí)社攜手南京芯干線科技和眾多中國原廠企業(yè)代表,在深圳深鐵皇冠假日酒店隆重召開“第五屆國產(chǎn)半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)大會”,強勢助力中國芯!四大會場同時舉...
2024-08-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)IGBT 1.3k 0
高壓TVS二極管P6SMB600CA在IGBT浪涌保護中的應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)廣泛用于功率逆變器,工業(yè)驅(qū)動器,電動汽車家用電器的充電器, 電機控制和感應(yīng)加熱,因為它們易于使用且性能高電壓和電流驅(qū)動能力。...
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯...
900A IGBT半橋模塊 SEMiXTM4 SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術(shù),具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級 相對于...
2007-12-22 標(biāo)簽:IGBT 1.3k 0
新型車用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開關(guān)車載充電器應(yīng)用實現(xiàn)性能提升
深圳威邁斯新能源股份有限公司(威邁斯)是中國領(lǐng)先的車載充電器供應(yīng)商,致力于開發(fā)汽車電力電子產(chǎn)品,為客戶帶來高度可靠的車載充電器和DC-DC變流器產(chǎn)品。
主體涉及半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域,主要創(chuàng)新點在于研發(fā)了一款具備超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT。產(chǎn)品主要由第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底、前設(shè)元胞以及至少包含一個深溝槽的屏蔽...
深度分析IGBT晶圓在1200V光伏逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用
?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電(AC),以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變器的主要功能...
半導(dǎo)體功率器件研發(fā)企業(yè)北一半導(dǎo)體完成超1.5億元B輪融資
公司團隊由來自國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)的成員組成,公司擁有經(jīng)驗豐富且具有創(chuàng)新能力的國際型人才隊伍,團隊核心成員從事半導(dǎo)體功率器件設(shè)計和工藝開發(fā)20余年,擁有...
瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展
日前,瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT...
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 受惠于電動車、5G基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域需求提升,SiC(碳化硅)功率元件正穩(wěn)步滲透到全球市場。據(jù)專業(yè)機構(gòu)統(tǒng)計,2018年全球已有超過20...
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