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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的參數(shù)分析與研究
在上篇文章中,介紹了功率MOSFET的基本參數(shù)Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù),本文仍...
功耗相關(guān)設(shè)計可以節(jié)省雙MOSFET的空間
您的功耗相關(guān)設(shè)計可以節(jié)省雙MOSFET的空間,因為您經(jīng)常成對使用這些功能。飛兆半導(dǎo)體(圖片)的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MO...
說明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)...
開關(guān)基礎(chǔ)知識和選型注意事項 機械開關(guān)的類型
開關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找姂T,其種類繁多,無處不在。開關(guān)有無數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機械或電氣操作、手動或電子...
通過采用CPLD芯片實現(xiàn)對MOSFET器件電路的保護(hù)設(shè)計
功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動[1].功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)...
在電子工程中,柵極電阻的取值對于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個常見的取值,但這個選擇并非隨意,...
技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來自市場的需求。
東芝新型功率MOSFET助力高效電源系統(tǒng)設(shè)計
數(shù)據(jù)中心機房內(nèi),數(shù)十臺服務(wù)器電源正發(fā)出沉悶的嗡鳴——這并非設(shè)備平穩(wěn)運行的正常律動,而是散熱風(fēng)扇因器件高溫被迫“超負(fù)荷加班”的抗議;工業(yè)車間的變頻器旁,工...
2025-11-28 標(biāo)簽:MOSFET東芝數(shù)據(jù)中心 3.9k 0
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高...
基于混合熱插拔解決方案實現(xiàn)高電流輸入電路保護(hù)
本期,為大家?guī)淼氖恰妒褂没旌蠠岵灏渭軜?gòu)防止高電流故障》,將討論設(shè)計高電流輸入電路保護(hù)具有哪些挑戰(zhàn),以及混合熱插拔電路如何在任何故障情況下保護(hù) MOSFET。
碳化硅MOSFET在汽車動力逆變器中的優(yōu)勢有哪些呢?
新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發(fā)越來越多的性能設(shè)備,特點是更高的效率和更好的電氣特性。
2023-04-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 3.9k 0
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述
SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET,主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上,以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。
2024-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電池管理系統(tǒng) 3.9k 0
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