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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型
本白皮書將重點圍繞實現(xiàn)上述目標(biāo)的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體技術(shù)展開探討。 內(nèi)容主要聚焦于原邊的拓?fù)溥x擇與半導(dǎo)體器件;副邊假定采用低壓硅基 MOSFET , ...
2026-03-02 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET半導(dǎo)體 3.9k 0
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機(jī)效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小,所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件,對MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
如何通過運(yùn)算放大器和功率MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載且設(shè)置成恒定電阻
作者:Konstantin Stefanov 本文所介紹的這種電流負(fù)載設(shè)計簡單而又準(zhǔn)確,它只需要使用一個運(yùn)算放大器和一個功率MOSFET就可以構(gòu)建,如圖...
2021-02-24 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器 3.8k 0
繼電器開關(guān)電路的設(shè)計和類型非常龐大,許多小型電子項目都使用晶體管和MOSFET作為其主要開關(guān)設(shè)備。
2023-11-14 標(biāo)簽:繼電器開關(guān)電路MOSFET 3.8k 0
雙極性電源提供電流的工作原理是怎么樣的吶?下圖的波形顯示了雙極性電源電路的工作狀態(tài)。在 VIN 端施加輸入電壓時,如果輸入降至 12 V 以下,升壓轉(zhuǎn)...
2020-10-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電壓 3.8k 0
隨著新能源汽車的快速發(fā)展,市場的普及,越來越多的用戶在使用過程中,對新能源汽車的充電仍是一個頭疼的事情。
電路設(shè)計基礎(chǔ)之MOSFET管開關(guān)電路
對于MOS管,我們在電路設(shè)計中都會遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計一個MOS管的開關(guān)電路呢?
2022-12-08 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計 3.8k 0
硅功率 MOSFET 沒有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化,其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...
MOSFET的非理想特性對模擬集成電路設(shè)計具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速...
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢,在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的...
基于分段模型的CRM boost電路軟開關(guān)時間優(yōu)化設(shè)計
臨界導(dǎo)通模式(critical conduction mode,CRM)下的DC-DC變換器能夠降低系統(tǒng)階數(shù),并且可以實現(xiàn)更高的效率而廣泛應(yīng)用于中小功率場景中。
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
綜合電源解決方案TPS84621RUQ的性能特性及應(yīng)用
TI公司的TPS84621RUQ是易于使用的綜合電源解決方案,集成了6A的DC / DC轉(zhuǎn)換器和功率MOSFET,電感和無源元件。效率大于90%,9×1...
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
最近看到一個東芝的MOSFET的文檔,看了下,還不錯,就把內(nèi)容復(fù)制出來了,分享給大家看下。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對IGBT開關(guān)過...
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