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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

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2009-10-25 標(biāo)簽:MOSFET 3.7k 0

MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓的原理?

MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓的原理?? MOSFET(MOS管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它可以作為電路中的開關(guān)來(lái)控制電流的通...

2023-09-05 標(biāo)簽:MOSFETMOS管 3.7k 0

Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車等應(yīng)用

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示:“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn),這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫...

2020-03-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC 3.7k 0

探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

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2023-01-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET 3.7k 0

從工業(yè)到汽車,東芝在功率器件市場(chǎng)的布局

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2021-10-12 標(biāo)簽:MOSFETHEV貼片 3.7k 0

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2024-03-27 標(biāo)簽:MOSFET振蕩電路晶體管 3.7k 0

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UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件

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摒棄表象從技術(shù)上解決問題:LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的五大心得

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2016-11-05 標(biāo)簽:mosfetled驅(qū)動(dòng) 3.7k 0

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據(jù)悉,2020年第二季度以來(lái),功率半導(dǎo)體的景氣度持續(xù)提升,相關(guān)上市公司產(chǎn)能利用率不斷提高,全年業(yè)績(jī)可期。其中,代工廠華虹半導(dǎo)體在第三季度報(bào)告中披露,公司...

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Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

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2025-08-11 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅Wolfspeed 3.6k 0

計(jì)算機(jī)外設(shè)的電源管理

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標(biāo)準(zhǔn)化的要求 通過(guò)附加外設(shè)來(lái)擴(kuò)展計(jì)算機(jī)的功能時(shí),需要使用標(biāo)準(zhǔn)接口才能實(shí)現(xiàn)不同廠商應(yīng)用的全部功能。使用無(wú)線通信增加臺(tái)式機(jī)的功能,或者通過(guò)使用更多的內(nèi)存條來(lái)...

2012-07-23 標(biāo)簽:MOSFETCPLD電源管理 3.6k 0

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BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H(即車輛到家庭)使用智能電動(dòng)汽車充電和雙向(雙向)...

2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 3.6k 0

MOS管和IC系列產(chǎn)品價(jià)格作出相應(yīng)上調(diào),調(diào)整幅度為20%-30%

深圳德*已經(jīng)在9月18日已經(jīng)率先發(fā)出產(chǎn)品漲價(jià)通知,宣布公司決定從2020年10月1日其對(duì)產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整,其8205將在原有價(jià)格的基礎(chǔ)上,上調(diào)0.02元。

2020-10-12 標(biāo)簽:MOSFET晶圓MOS管 3.6k 0

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差,一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗,每只器件的參數(shù)參差不齊,并不是一樣的,而且在芯片上各處的溫度也是不同的。

2012-01-07 標(biāo)簽:MOSFETPSPICE熱模型 3.6k 0

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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    光立方
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