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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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東芯半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展

2025慕尼黑上海電子展于4月15日盛大開幕，現(xiàn)場人流躥動，東芯半導(dǎo)體亮相新國際博覽中心N5館517展臺，五大系列產(chǎn)品、七大熱門應(yīng)用領(lǐng)域布局清晰，展臺現(xiàn)...

2025-04-17 標(biāo)簽：NAND 存儲慕尼黑上海電子展 1.5k 0

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東芯半導(dǎo)體榮獲2025中國IC設(shè)計成就獎之年度最佳存儲器

2025年是IC設(shè)計成就獎舉辦的第23年，一路伴隨和見證產(chǎn)業(yè)的成長與發(fā)展，是中國電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎項(xiàng)之一，頒獎典禮已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖的年度盛會及行...

2025-03-31 標(biāo)簽：NAND 存儲器 IC設(shè)計 1.4k 0

SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的第二（最終）階段交易

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存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門道之爭"

門電路玄機(jī) NOR Flash：Intel 1988 年革命性突破，終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時代 NAND Flash：東芝 1989 年發(fā)...

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兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù)，為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國際固態(tài)電路會議（ISSCC）——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D閃存技...

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NAND閃存價格預(yù)測：2025年將呈V型走勢

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2025-02-18 標(biāo)簽：閃存 NAND 5.2k 0

DDR4內(nèi)存價格下跌，NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

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2025-02-08 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.2k 0

DRAM與NAND閃存市場低迷，DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)下滑

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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略

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TrendForce預(yù)測2025年Q1 NAND Flash價格將大幅下跌

近日，知名市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布預(yù)測報告指出，2025年第一季度，NAND Flash市場將面臨前所未有的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。據(jù)其調(diào)查與分析，該季度...

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美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對市場需求放緩

近日，根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財年第一財季財報電話會議文稿，公司高管在會上確認(rèn)了針對當(dāng)前閃存市場需求放緩的應(yīng)對措施。美光執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官M(fèi)ar...

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3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

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2024-12-03 標(biāo)簽：NAND FlaSh 鎧俠 1.5k 0

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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