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高壓革命:英偉達(dá)800V平臺(tái)架構(gòu)與SiC MOSFET的商業(yè)技術(shù)共生
高壓革命:英偉達(dá)800V平臺(tái)架構(gòu)的深層價(jià)值重構(gòu)與SiC MOSFET的商業(yè)技術(shù)共生 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor...
2026-02-17 標(biāo)簽:英偉達(dá)SiC MOSFET 5.8k 0
SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析
工業(yè)功率半導(dǎo)體技術(shù)變革研究報(bào)告:SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC S...
2026-02-16 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFET 519 0
邁向極致效率:SiC MOSFET與LLC諧振變換器的協(xié)同設(shè)計(jì)與優(yōu)化
邁向極致效率:SiC MOSFET與LLC諧振變換器的協(xié)同設(shè)計(jì)與優(yōu)化 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子(Changer...
2026-02-08 標(biāo)簽:LLC諧振變換器SiC MOSFET 715 0
SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對(duì)五萬(wàn)億電網(wǎng)投資的賦能作用
十五五期間五萬(wàn)億電網(wǎng)投資中的SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對(duì)電網(wǎng)投資的賦能作用 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳...
2026-01-31 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體SiC MOSFET 2.9k 0
1400V SiC MOSFET市場(chǎng)再添新玩家
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,杰平方半導(dǎo)體正式推出兩款1400V 碳化硅SiC MOSFET 新品,分別實(shí)現(xiàn) 40mΩ 和 80mΩ 的導(dǎo)通電阻,為 80...
2026-01-19 標(biāo)簽:功率器件SiCSiC MOSFET 7.8k 0
德州儀器UCC21710:先進(jìn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的深度剖析
德州儀器UCC21710:先進(jìn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的深度剖析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,一款性能卓越的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于提升系統(tǒng)的可靠性和效率至關(guān)重要。德州儀器(T...
2026-01-08 標(biāo)簽:SiC MOSFET隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21710 528 0
英偉達(dá)GPU算力直流供電架構(gòu)變革與SiC MOSFET在800V至57V轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值
研究報(bào)告:英偉達(dá)GPU算力直流供電架構(gòu)變革與SiC MOSFET在800V至57V轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...
2026-01-05 標(biāo)簽:英偉達(dá)SiC MOSFET 788 0
英偉達(dá)GPU直流供電架構(gòu)與基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在AI服務(wù)器PSU中的應(yīng)用價(jià)值分析
英偉達(dá)GPU直流供電架構(gòu)與基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在AI服務(wù)器PSU中的應(yīng)用價(jià)值分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和...
2026-01-05 標(biāo)簽:gpu英偉達(dá)SiC MOSFET 756 0
深入解析ACPL - 355JC:10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
深入解析ACPL - 355JC:10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 在電力電子領(lǐng)域,IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開...
2025-12-30 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFETACPL - 355JC 1.4k 0
人形機(jī)器人電機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)及碳化硅SiC MOSFET在其中的應(yīng)用
SiC MOSFET配合2LTO保護(hù)技術(shù)在人形機(jī)器人電機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)應(yīng)用中的發(fā)展趨勢(shì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...
2025-12-30 標(biāo)簽:電機(jī)伺服人形機(jī)器人SiC MOSFET 696 0
面向能源互聯(lián)網(wǎng)的功率半導(dǎo)體變革:基本半導(dǎo)體ED3系列SiC MOSFET功率模塊
面向能源互聯(lián)網(wǎng)的功率半導(dǎo)體變革:基本半導(dǎo)體ED3系列SiC MOSFET功率模塊(BMF540R12MZA3)技術(shù)與應(yīng)用分析 1. 引言:功率半導(dǎo)體與“...
2025-12-26 標(biāo)簽:功率模塊SiC MOSFET 328 0
2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制...
2025-12-20 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFET半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 1.9k 0
用于SiC MOSFET的帶可配置浮動(dòng)雙極性輔助電源的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC
用于SiC MOSFET的帶可配置浮動(dòng)雙極性輔助電源的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC 作為電子工程師,在功率電子設(shè)計(jì)中,碳化硅(SiC)MOSFET的應(yīng)用越來越廣泛。...
2025-12-19 標(biāo)簽:SiC MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC浮動(dòng)輔助電源 552 0
探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結(jié)合
探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的...
2025-12-18 標(biāo)簽:應(yīng)用領(lǐng)域電氣性能SiC MOSFET 605 0
傾佳電子戶儲(chǔ)與工商業(yè)混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)因素深度研究報(bào)告
傾佳電子戶儲(chǔ)與工商業(yè)混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)因素深度研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功...
2025-11-28 標(biāo)簽:IGBT功率器件SiC MOSFET 2.3k 0
傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告
傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。...
2025-11-23 標(biāo)簽:SiC碳化硅SiC MOSFET 2.6k 0
銅價(jià)高企時(shí)代的電力電子重構(gòu):基本半導(dǎo)體SiC MOSFET功率模塊提頻應(yīng)用與整機(jī)成本優(yōu)化深度研究報(bào)告
銅價(jià)高企時(shí)代的電力電子重構(gòu):基本半導(dǎo)體SiC MOSFET功率模塊提頻應(yīng)用與整機(jī)成本優(yōu)化深度研究報(bào)告, 唯有提頻,方能破局;唯有SiC,方能提頻 對(duì)于光...
2025-11-22 標(biāo)簽:電力電子SiC MOSFET 1.3k 0
碳化硅SiC MOSFET并聯(lián)的技術(shù)瓶頸與系統(tǒng)性克服策略
碳化硅SiC MOSFET并聯(lián)的技術(shù)瓶頸與系統(tǒng)性克服策略:基于基本半導(dǎo)體產(chǎn)品力的深度解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
2025-11-17 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體SiC MOSFET 1.6k 0
為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施
為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施:結(jié)合基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)器件的深度分析 傾佳電子(Ch...
2025-11-17 標(biāo)簽:串?dāng)_SiC MOSFET 1.7k 0
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