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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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Si/SiC功率半導(dǎo)體選型與應(yīng)用指南：兩類器件特性、4種控制策略與拓?fù)?、多種動力構(gòu)型/駕駛循環(huán)/性能需求

-關(guān)于選IGBT還是SIC的解讀-來源：Infineon,Xpeng,Yole,SysPro-在保證原主旨基礎(chǔ)上，對內(nèi)容進(jìn)行重構(gòu)和擴(kuò)展說明-更多體系化內(nèi)...

2026-02-24 標(biāo)簽：控制器 SiC 功率半導(dǎo)體 2k 0

理想i8平臺提升高速和冬季續(xù)航的6個(gè)秘密: SiC元胞結(jié)構(gòu)、低電感母排、熱管理、PWM變調(diào)制、潤滑油配方、熱處

-關(guān)于理想i8SPD平臺從整車到芯片的全維解析-文字原創(chuàng)，素材來源：理想汽車、Infineon、NXP等-本篇為知識星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識星球...

2026-02-12 標(biāo)簽：PWM SiC 續(xù)航 350 0

電力電子控制從線性控制到模型預(yù)測控制在SiC功率系統(tǒng)中的融合與應(yīng)用

全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...

2026-02-12 標(biāo)簽：SiC 電子控制功率半導(dǎo)體 1.1k 0

200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能？這是我們幾十年來一直在追問的問題，同時(shí)我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——...

2026-02-11 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 354 0

BTP1521P構(gòu)建SiC碳化硅MOSFET門極隔離驅(qū)動電源供電方案的技術(shù)優(yōu)勢

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)...

2026-02-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 驅(qū)動電源 1k 0

浮思特 | 1200V SiC 功率模塊如何兼顧效率與可靠性?至信微高性能方案解析

在高壓、大功率電力電子系統(tǒng)中，效率、功率密度以及可靠性始終是工程師關(guān)注的核心指標(biāo)。隨著新能源汽車、可再生能源以及高壓電源系統(tǒng)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)硅器件在高頻...

2026-02-05 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC 功率模塊 452 0

安森美SiC JFET和SiC Combo JFET產(chǎn)品組合介紹

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)...

2026-01-22 標(biāo)簽：安森美 JFET SiC 4.7k 0

SiC JFET如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制

2026-01-20 標(biāo)簽：JFET 熱插拔斷路器 7.5k 0

固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個(gè)理由

2026-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 斷路器 1.5萬 0

采用SiC JFET的固態(tài)斷路器助力功率電路保護(hù)設(shè)計(jì)

2026-01-14 標(biāo)簽：安森美 JFET 斷路器 538 0

博世可編程柵極驅(qū)動器ASIC EG120的核心技術(shù)解析

隨著功率密度和效率需求的日益嚴(yán)苛，SiC MOSFET已成為高頻、高溫、高壓應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。然而，其卓越性能的充分釋放，高度依賴于先進(jìn)且精確的柵極驅(qū)動控制。

2026-01-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動器 994 0

安森美SiC JFET在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用優(yōu)勢

輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運(yùn)行，離不開對長時(shí)間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護(hù)。這些風(fēng)險(xiǎn)若未及時(shí)管控，輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系...

2026-01-12 標(biāo)簽：安森美 JFET 斷路器 1.5萬 0

浮思特 | 從拓?fù)涞椒庋b，至信微SiC MODULE 真正改變了哪些設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

這兩年，功率電子圈子里有一個(gè)很明顯的變化：越來越多的高功率應(yīng)用，開始從分立器件轉(zhuǎn)向SiC模塊化方案。不管是新能源、工業(yè)電源，還是高端驅(qū)動與變流系統(tǒng)，工程...

2026-01-07 標(biāo)簽：SiC Module 287 0

浮思特 | 從充電樁到光伏逆變：至信微 SiC 肖特基二極管強(qiáng)在哪?

在新能源、電力電子快速發(fā)展的背景下，系統(tǒng)對效率、功率密度和可靠性的要求越來越高。無論是充電樁、光伏逆變器，還是儲能與工業(yè)電源，高頻化、輕量化已成為設(shè)計(jì)趨...

2025-12-29 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 充電樁 2.9k 0

【深度報(bào)告】CoWoS封裝的中階層是關(guān)鍵——SiC材料

摘要：由于半導(dǎo)體行業(yè)體系龐大，理論知識繁雜，我們將通過多個(gè)期次和專題進(jìn)行全面整理講解。本專題主要從CoWoS封裝的中階層是關(guān)鍵——SiC材料進(jìn)行講解，讓...

2025-12-29 標(biāo)簽：材料 SiC CoWoS 2.2k 0

三菱電機(jī)SiC MOSFET的可靠性測試

SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在質(zhì)量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術(shù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的品質(zhì)，而SiC則需要更嚴(yán)格的品質(zhì)控制和可靠...

2025-12-24 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 6.6k 0

派恩杰SiC器件在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用

從傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(IDC)到人工智能數(shù)據(jù)中心(AIDC)的演進(jìn)，本質(zhì)上是一場能源效率與算力密度的極限競賽。AI算力的爆發(fā)正將數(shù)據(jù)中心推向“電力極限”。

2025-12-24 標(biāo)簽：MOSFET 數(shù)據(jù)中心 SiC 2.4k 0

《2025車工業(yè)級SiC肖特基二極管選型指南》參數(shù)對比、國產(chǎn)替代方案與OBC應(yīng)用案例

車工業(yè)級SiC肖特基二極管選型需遵循“參數(shù)匹配、可靠性優(yōu)先、成本可控”原則，根據(jù)OBC功率等級、電壓平臺及工作環(huán)境，優(yōu)先選擇通過車規(guī)認(rèn)證、熱性能優(yōu)異、適...

2025-12-24 標(biāo)簽：IGBT 肖特基管肖特基二極管 3.8k 0

深圳爭妍微電子《快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應(yīng)用場景匹配技巧》

快恢復(fù)二極管（FRD）作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，其反向恢復(fù)時(shí)間（trr）直接決定電路開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）水平及系統(tǒng)效率，是高頻功率轉(zhuǎn)換場景中選...

2025-12-24 標(biāo)簽：可控硅快恢復(fù)二極管 SiC 6.5k 0

浮思特 | 至信微 650V SiC MOSFET 如何提升光伏逆變器效率?

在光伏行業(yè)快速發(fā)展的今天，高效、可靠、緊湊的逆變器設(shè)計(jì)已成為提升系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵。隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)的成熟，光伏逆變器的設(shè)計(jì)迎來了新...

2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 光伏逆變器 368 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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