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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動的方法

在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。

2023-05-26 標簽：MOSFET 開關電源 SiC 1.6k 0

大族半導體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質(zhì)切割是一種將半導體晶圓分離成單個芯片或晶粒的激光技術。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標簽：晶圓 SiC 激光切割 2.9k 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展

近期，美國南卡羅來納大學報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導體異質(zhì)結場效應晶...

2023-05-25 標簽：充電器晶體管場效應晶體管 2.2k 0

是時候從Si切換到SiC了嗎？

在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。

2023-05-25 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 306 0

碳化硅的極端耐用性

碳化硅（SiC）是一種陶瓷材料，出于半導體應用的目的，通常以單晶形式生長。其固有的材料特性，加上作為單晶生長，使其成為市場上最耐用的半導體材料之一。這種...

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碳化硅的獨特性能和應用

SiC，也稱為碳化硅，是硅和碳化物在晶體結構中的組合，大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式：單個SiC晶?？梢詿Y在...

2023-05-24 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3k 0

碳化硅肖特基二極管的基本原理

在典型的二極管中，p-n結由p型和n型半導體組合而成。然而，肖特基二極管是不同的：使用金屬代替p型半導體。然后，你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結，而不...

2023-05-24 標簽：二極管半導體 SiC 1.8k 0

碳化硅寬帶隙的重要性

寬帶隙半導體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的...

2023-05-24 標簽：半導體 DC-DC SiC 3.5k 0

SiC器件如何增加功率電路的安培容量

Wolfspeed WolfPACK TM 是一款全 SiC 模塊，便于在單個封裝內(nèi)集成電路拓撲，從而以標準尺寸為功率電路提供更高的安培容量。該模塊體積...

2023-05-24 標簽：集成電路半導體 SiC 1.2k 0

Wolfspeed參考設計為設計人員提供了良好的起點

除了提供詳細的參考設計、應用注釋、模擬和 PLECS/LTSpice 模型（可點擊此處訪問 Wolfspeed 網(wǎng)站上的文檔庫查找）外，Wolfspee...

2023-05-24 標簽：轉(zhuǎn)換器 SiC LTspice 1.5k 0

新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提升功率密度

與硅相比，寬禁帶半導體技術，如 Wolfspeed 的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基勢壘二極管（SBD）可為電源設計人員帶來諸多優(yōu)勢。更低的傳導...

2023-05-24 標簽：MOSFET 半導體 SiC 1.9k 0

電動汽車架構和逆變器

混合動力傳動系統(tǒng)具有類似于BEV的架構，只是它們具有額外的能源和較小的車載電能存儲。在所有混合動力架構中，Wolfspeed 的 SiC 模塊大放異彩，...

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碳化硅上的氮化鎵還是硅上的氮化鎵？

SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...

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使用碳化硅基MOSFET提高功率轉(zhuǎn)換效率

碳化硅（SiC）已經(jīng)成為一個明確的選擇，因為它已經(jīng)成熟并且是第三代?；?SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢，特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...

2023-05-24 標簽：MOSFET FET SiC 2.2k 0

碳化硅解決方案滿足快速充電基礎設施設計要求

基于 SiC 的解決方案具有靈活性和適應性，有助于滿足當今對快速電動汽車充電基礎設施日益增長的需求，無論它是否是雙向充電站。無論如何，它們在任何情況下都...

2023-05-24 標簽：電動汽車 SiC 1.3k 0

基于碳化硅的解決方案實現(xiàn)公交車的電氣化

像任何其他電動汽車一樣，公共汽車必須克服里程焦慮，因為它們必須能夠在不需要充電的情況下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...

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使用表面貼裝功率器件處理熱量

隨著電子應用繼續(xù)以更小的設備尺寸實現(xiàn)更高的性能，組件也朝著更高的功率密度邁進。反過來，這意味著我們的應用產(chǎn)生的熱量比以往任何時候都多。不受控制或管理不善...

2023-05-24 標簽：電動汽車 SMD SiC 1.9k 0

使用Wolfspeed碳化硅MOSFET對常見拓撲進行建模

現(xiàn)在，工程師比以往任何時候都更多地選擇基于碳化硅（SiC）的產(chǎn)品，因為它們比基于硅（Si）的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益...

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半導體工藝與制造裝備技術發(fā)展趨勢

摘要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路...

2023-05-23 標簽：集成電路半導體工藝 2.9k 0

如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程...

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