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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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富昌電子SiC設(shè)計分享(二):碳化硅器件驅(qū)動設(shè)計之寄生導(dǎo)通問題探討
作者:富昌電子 星空 ??校稿:富昌電子 蕭峰 ? 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方...
2022-06-16 標簽:富昌電子SiC驅(qū)動設(shè)計 11.0萬 0
SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用
與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。并且SiC讓設(shè)計...
2.95億晉升第一大股東!揚杰科技收購楚微半導(dǎo)體40%股權(quán),布局SiC業(yè)務(wù)
在業(yè)內(nèi)頻傳并購消息時,揚杰科技發(fā)布公告稱,將以公開摘牌方式收購楚微半導(dǎo)體40%的股權(quán),成交價格為2.95億元。交易完成后,揚杰科技將成為楚微半導(dǎo)體的第一...
UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
PFC控制軟件的總體架構(gòu)如圖2所示。該設(shè)計的核心是Xilinx的Zynq 7000 SoC,它包含ARM內(nèi)核和FPGA內(nèi)核。Zynq 7000安裝在通用...
半導(dǎo)體材料市場空間廣闊,制造材料銷售額占比不斷提高。全球半導(dǎo)體材料銷售額規(guī)模不斷上升,2015 年至 2019 年復(fù)合增長率為 4.8%;中國大陸半導(dǎo)體...
如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成
第二項關(guān)鍵測試是短路耐受時間(SCWT),或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的極長耐受時間。測試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁有...
汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器系列產(chǎn)品簡介
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天,Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會,PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Y...
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布:公司已與華中科技大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將攜手研發(fā)針對碳化硅(SiC...
光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測試的應(yīng)用
日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對應(yīng)的分立器件性能測試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測試帶了不少困難。泰克的...
PI推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適...
這一發(fā)現(xiàn)是一項突破,因為它有助于對最初看起來工作正常但在生產(chǎn)過程中幾乎無法發(fā)現(xiàn)的缺陷進行分類。該研究論文不僅解釋了為什么這些器件具有異常的柵極傳導(dǎo),...
采用MOSFET和驅(qū)動器提高智能電源方案的能效和可靠性
盡管SiC 基MOSFET的成本仍高于硅基MOSFET,但成本卻下降了,電感和電容器的相關(guān)節(jié)?。ㄆ渲档陀诠柙O(shè)計)意味著SiC基電源方案的物料單(Bo...
通過WBG器件助于實現(xiàn)能效更高的太陽能發(fā)電方案
如果考慮到無源元器件的節(jié)省,盡管SiC器件的成本較高,但基于WBG的電源方案的總成本現(xiàn)在相當(dāng)于或略低于Si基方案。
2022-05-09 標簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 1.9k 0
典型電源轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)和功率器件
作為一個新生的、快速發(fā)展的市場,快速直流電動車充電器的要求和使用案例在不斷升級,留下了一個需要各種解決方案和不同優(yōu)化的空間。
位于美國紐約州的新工廠擴大 Wolfspeed 制造產(chǎn)能,滿足從汽車到工業(yè)等諸多應(yīng)用對于 SiC 器件急劇增長的需求。
在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即...
2022-04-26 標簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 3.9k 0
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)迎來了成立25周年紀念日。
為何新能源汽車減產(chǎn),SiC生產(chǎn)線依舊需要擴產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近期,芯片短缺帶來的影響傳導(dǎo)到新能源汽車、智能手機等終端市場,這其中對于新能源汽車的影響更加露骨。從1月份至3月份,新能源...
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