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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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PV逆變器應(yīng)用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展

　碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效...

2013-06-25 標簽：逆變器功率器件 SiC 2.1k 0

未來十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場，將以18%速度增長

在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有...

2013-04-26 標簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 2k 0

德州儀器推柵極驅(qū)動器旨在滿足IGBT與SiC FET需求

德州儀器（TI）宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管（IGBT）與碳化硅（SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI...

2013-03-04 標簽：德州儀器 IGBT SiC 1.7k 0

新一代功率器件將在2013年迎來技術(shù)大挑戰(zhàn)

SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件，由于其開關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點，受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加，在2013年，這兩款器件...

2013-01-21 標簽：功率器件 SiC GaN 908 0

羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET

姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點是將透過柵極絕緣膜...

2012-12-17 標簽：MOSFET SiC 羅姆 1.3k 0

Microsemi新型SiC肖特基二極管提升功率轉(zhuǎn)換效率

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：M...

2012-11-21 標簽：肖特基二極管 Sic 電源芯片 1.4k 0

英飛凌推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管

　2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產(chǎn)品陣容。

2012-10-10 標簽：英飛凌 SIC 肖特基勢壘二極管 1.5k 0

什么是SiC？

SiC材料的能帶和高溫穩(wěn)定性使得它在高溫半導(dǎo)體元件方面有無可比擬的優(yōu)勢。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度...

2012-09-05 標簽：MOSFET SiC 3.3萬 0

科銳開發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

美國科銳公司（Cree）開發(fā)出了直徑為150mm（6英寸）、晶型結(jié)構(gòu)為4H的n型SiC外延晶圓，適用于制造功率半導(dǎo)體、通信部件及照明部件等。

2012-09-05 標簽：LED SiC 科銳 2.3k 0

三菱電機提供SiC功率半導(dǎo)體模塊樣

三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...

2012-07-25 標簽：三菱電機 SiC 功率半導(dǎo)體 1k 0

英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET

德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“Coo...

2012-05-17 標簽：英飛凌 SiC 電源芯片 2.2k 0

羅姆開始量產(chǎn)工業(yè)設(shè)備用全SiC模塊

　　日本的SiC相關(guān)業(yè)務(wù)目前正在迅速增長。SiC與現(xiàn)有的硅（Si）相比可大幅削減電力損耗，因此作為新一代功率半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。但此前，SiC功率元件在...

2012-04-20 標簽：SiC 電源芯片羅姆 1.8k 0

氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

　　與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開...

2012-04-18 標簽：SiC 功率元件氧化鎵 9.8k 0

科銳254 lm/W光效再度刷新功率型LED研發(fā)記錄

　　者科銳公司（Nasdaq： CREE）日前宣布，其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀錄，達到254 lm/W。該項紀錄打破了科銳在去年初取得的2...

2012-04-16 標簽：LED LED芯片 SiC 1.8k 0

羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)，開關(guān)損耗降低85％

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采...

2012-03-23 標簽：SiC 功率模塊羅姆 2.3k 0

SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計

無線生物電子通信系統(tǒng)今后將大大提高人們的生活品質(zhì)。要想實現(xiàn)這一理想，就要開發(fā)出由小型智能傳感器節(jié)點組成的體域網(wǎng)

2012-01-06 標簽：信號采集 SiC 1.6k 0

SiC上沉積的GaN最新技術(shù)

為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。

2011-12-01 標簽：SiC GaN 2k 0

羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...

2011-10-12 標簽：MOSFET SBD SiC 1.6k 0

SiC,SiC是什么意思

SiC,SiC是什么意思 SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C

2010-03-04 標簽：SiC 7.4k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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