完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:3463個 瀏覽:70233次 帖子:126個
基于SiC模塊的ANPC三電平變換器熱均衡優(yōu)化:1500V集中式大儲長時過載下的動態(tài)損耗受控模型與多物理場協(xié)同策略 引言:1500V集中式大儲系統(tǒng)與AN...
比亞迪半導(dǎo)體1500V SiC單管開啟高壓閃充全新篇章
充電慢、續(xù)航焦慮、充電時車輛發(fā)熱、高壓場景下安全隱患……這些困擾新能源車主已久的老問題,如今都有了徹底破解的方案!隨著1000V高壓平臺成為新能源汽車行...
研發(fā)實戰(zhàn):解決SiC驅(qū)動中的“共模電流反饋”振蕩核心洞察與拓?fù)鋭?chuàng)新
研發(fā)實戰(zhàn):解決SiC驅(qū)動中的“共模電流反饋”振蕩核心洞察與拓?fù)鋭?chuàng)新 引言:寬禁帶功率變換系統(tǒng)中的高頻動態(tài)挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代大功率能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,碳化硅(SiC)...
1400V碳化硅SiC功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用潛力
BASiC-BMF004MR14E2B3碳化硅1400V功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用潛力研究報告 1. 產(chǎn)業(yè)技術(shù)演進與工商業(yè)儲能PCS的...
構(gòu)網(wǎng)型儲能元年:SiC 高頻特性賦能電網(wǎng)“秒級頻率主動支撐”
傾佳楊茜-儲能硬件-2026 構(gòu)網(wǎng)型儲能元年:SiC 高頻特性賦能電網(wǎng)“秒級頻率主動支撐”的技術(shù)必然 1. 宏觀背景與產(chǎn)業(yè)躍遷:2026年全球新型電力系...
瞻芯電子獲評第三批上海市創(chuàng)新型企業(yè)總部授牌
近日,上海市委副書記、市長龔正出席第三批上海市創(chuàng)新型企業(yè)總部授牌儀式,向包括上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)在內(nèi)的44家創(chuàng)新型企業(yè)總部授...
2026年SiC碳化硅模塊清洗工藝深度解析與最優(yōu)方案選擇
隨著電動汽車、新能源及工業(yè)驅(qū)動技術(shù)的飛速發(fā)展,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體功率模塊已成為提升系統(tǒng)效率與功率密度的核心元件。相較于傳統(tǒng)硅基器件,...
電源工程師選型指南:GaN vs SiC 決策框架與芯茂微SiC方案落地
本文從電源工程師實戰(zhàn)視角,拆解GaN與SiC核心差異:SiC耐壓1200V+、熱導(dǎo)率為GaN3.8倍、門限高抗干擾、短路耐受強,適配≥650V、<...
安森美CEO Hassane El-Khoury亮相2026北京車展
在2026年北京車展上,超高壓架構(gòu)、艙駕融合及車載 AI Agent的技術(shù)浪潮正在重塑行業(yè)邊界。
方正微電子在北京汽車展發(fā)布:車規(guī)主驅(qū)SiC MOSFET累計出貨量超3000萬顆暨G3平臺新產(chǎn)品重磅發(fā)布
中國.北京,2026年4月26日?– 在2026北京國際汽車展覽會期間,深圳方正微電子有限公司聯(lián)合中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟,隆重舉辦“方正微電子車規(guī)...
36W小體積電源痛點破解!芯茂微LP3798ESM內(nèi)置750V SiC PSR芯片深度解析
芯茂微LP3798ESM是面向10~36W場景的內(nèi)置750V SiC原邊反饋(PSR)電源芯片,為LP3798系列頂配型號,主打小體積高功率密度,解決工...
30-120W 快充 / 適配器專用|LP8841SC 寬壓 SiC 反激控制器,EMI 優(yōu)化 + 外圍極簡
快充與電源適配器開發(fā)過程中,硬件工程師常面臨多項技術(shù)難題:寬壓輸入場景下供電適配范圍不足、輕載工況能效表現(xiàn)不佳、EMI 傳導(dǎo)認(rèn)證整改周期長、保護電路外圍...
五電平 ANPC 拓?fù)洌篠iC 助力兆瓦級風(fēng)電變流器輸出濾波器體積削減 45%
五電平 ANPC 拓?fù)洌篠iC 助力兆瓦級風(fēng)電變流器輸出濾波器體積削減 45% 的演進路徑 兆瓦級風(fēng)電變流器的技術(shù)演進與多電平拓?fù)涞奈锢頇C制 在全球能源...
如何應(yīng)用英飛凌新一代G2 CoolSiC? MOSFET 提升系統(tǒng)效率
CoolSiCMOSFETG21200V系列產(chǎn)品是英飛凌最新推出的SiCMOSFET產(chǎn)品,均采用了擴散焊工藝(.XT)來降低結(jié)殼熱阻。TO247封裝器件...
晶豐明源推出大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC
當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來廣闊發(fā)展機遇,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性,已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級的...
合科泰SiC碳化硅產(chǎn)品在充電樁與光伏中的應(yīng)用選型
隨著新能源行業(yè)的快速發(fā)展,SiC碳化硅功率器件在充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。對于工程師和采購人員而言,如何在眾多型號中快速匹配到適合的產(chǎn)品,...
量產(chǎn)實戰(zhàn)|極簡BOM+SiC高頻加持,芯茂微LP8841SD 65W PD快充全套工程方案
本文分享芯茂微LP8841SD原生SiC專用QR反激主控65W PD快充量產(chǎn)方案,解決傳統(tǒng)QR搭SiC的柵極振鈴、EMI整改難、輕載嘯叫等痛點。方案采用...
碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對ANPC總諧波失真(THD)的影響
碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對有源中點鉗位(ANPC)儲能變流器死區(qū)時間與輸出總諧波失真(THD)的深層影響分析 引言與新型儲能變流器的技術(shù)背景 在現(xiàn)代...
芯聯(lián)集成與翠展微電子達(dá)成戰(zhàn)略合作
近日,芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司(簡稱“芯聯(lián)集成”)與浙江翠展微電子有限公司(簡稱“翠展微電子”)正式簽署車規(guī)級碳化硅(SiC)功率模塊封測代工戰(zhàn)略合...
2026-04-27 標(biāo)簽:SiC翠展微電子芯聯(lián)集成 572 0
使用PW8001高端功率分析儀對SiC逆變器實際測量結(jié)果的比較
近年來,采用可實現(xiàn)高速開關(guān)功率半導(dǎo)體Sic及GaN的高效逆變器研發(fā)不斷推進。通過采用這些功率半導(dǎo)體,可實現(xiàn)逆變器 開關(guān)速度的高速化,扼流線圈和電容器等元...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |