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標簽 > sk海力士
SK海力士(Hynix)是一家源自韓國的半導(dǎo)體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一,也是全球DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者之一。
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SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Z...
SK海力士發(fā)布端側(cè)AI移動NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
SK海力士進一步解釋,ZUFS(Zoned Universal Flash Storage)是針對電子產(chǎn)品如數(shù)碼相機、手機的通用閃存存儲進行改良,以提升...
2024-05-09 標簽:操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲SK海力士 1.3k 0
SK海力士發(fā)布NAND閃存解決方案,助力端側(cè)AI手機發(fā)展
SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案,具備行業(yè)內(nèi)最高性能且專門針對端側(cè)AI手機進行優(yōu)化?!贝送?,公司還強調(diào),“借助此產(chǎn)品...
SK 海力士正在與東京電子(TEL)展開緊密合作,通過發(fā)送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前,增加...
SK海力士CEO郭魯正近日在公開場合表示,AI存儲芯片的市場需求正在迅猛增長,預(yù)計至2025年的訂單已接近飽和。他強調(diào),雖然目前AI主要服務(wù)于數(shù)據(jù)中心,...
SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備,或降低NAND閃存堆棧層數(shù)
當(dāng)前,3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進展。然而,在這種趨勢下,閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
韓國知名芯片企業(yè)SK海力士(SK Hynix)近日發(fā)布了其2024年第一季度的業(yè)績報告,展現(xiàn)出強勁的復(fù)蘇勢頭。初步核實數(shù)據(jù)顯示,該季度公司營業(yè)利潤達到2...
SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基...
SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲,以及對今年內(nèi)存芯片需求大...
SK海力士計劃斥資約20萬億韓元新建存儲芯片產(chǎn)能
SK海力士計劃斥資約20萬億韓元(約146億美元)在韓國新建存儲芯片產(chǎn)能,以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。
SK海力士考慮在美國或其他地區(qū)建立新內(nèi)存工廠
據(jù)了解,由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲,預(yù)計今年內(nèi)存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導(dǎo)體高管表示,“我們得知,SK海力士不僅愿意在韓國設(shè)立新廠,同時也在...
晶圓代工產(chǎn)業(yè)遭遇需求停滯與產(chǎn)能過剩挑戰(zhàn)
三星公司近日作出重大決策,決定將泰勒廠的運營時間延長至2026年,原計劃為2024年底。這一調(diào)整似乎是為了更靈活地應(yīng)對代工市場的變化,以優(yōu)化投資節(jié)奏。
SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可...
SK海力士年內(nèi)推1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒
新款32Gb顆粒不僅支持消費級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量,更能讓企業(yè)級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下,實現(xiàn)單模組128GB,...
SK海力士發(fā)布2024財年第1季度財報,創(chuàng)歷史同期新高
本季度,SK海力士實現(xiàn)了歷史最高的收入水平,同時營業(yè)利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀錄。公司認為這標志著長期低迷后的全面復(fù)蘇。
SK海力士擴充AI基礎(chǔ)設(shè)施DRAM產(chǎn)能
SK海力士將于本月底啟動建設(shè)工程,預(yù)計2025年11月完工并開始量產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計向M15X投資超過20萬億韓元,以進一步擴大產(chǎn)能。
SK海力士提升AI基建產(chǎn)能,助力韓國成為AI半導(dǎo)體強國
SK海力士計劃在本月底啟動建設(shè),預(yù)計到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計在M15X的總投資額將超過20萬億韓元,以此來...
SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
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