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標(biāo)簽 > sk海力士
SK海力士（Hynix）是一家源自韓國的半導(dǎo)體芯片制造商，主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一，也是全球DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者之一。
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SK海力士李康旭副社長成為首位榮獲“IEEE-EPS年度大獎”的韓國人
SK海力士31日宣布，本公司PKG開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長李康旭于30日(美國時間)在美國科羅拉多州丹佛市舉行的“電氣與電子工程師協(xié)會-電子封裝學(xué)會(IEEE-E...
作為三星電子內(nèi)部最大的工會，韓國全國三星電子工會擁有 28400 名會員，占企業(yè)總員工數(shù)的約 22%。工會代表表示，此次罷工的主要原因在于公司對工會的忽視。
TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并向三星和SK海力士提供首批樣品
近日，韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)
SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。...
SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型Inpria MOR光刻膠
據(jù) TheElec報道，SK Hynix 已決定在其第 6 帶（即 1c 工藝，約為 10nm）DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...
瑞銀集團(tuán)最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在...
全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)量價雙增長，三星、SK海力士等廠商排名變動
在本季度各廠商N(yùn)AND營收排名中，美光成功超越西部數(shù)據(jù)，躍居第四位。這主要得益于其在2023年第四季度的價格和出貨量略遜于其他競爭對手，因此在2024年...
SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高，將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備，意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品，進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸SK海力士HBM 1.3k 0
SK海力士創(chuàng)新下一代HBM，融入計算與通信功能
SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時代，開發(fā)了一種融合計算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場中的領(lǐng)先地位，同時進(jìn)一...
然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商，且已于今年...
SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率
據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
據(jù)路透社報道，得克薩斯州東區(qū)地方法院近日對美光公司與美國存儲企業(yè)Netlist之間的專利訴訟作出判決，判定美光敗訴并需支付總計4.45億美元的賠償款。
韓國26萬億韓元激勵計劃助力芯片業(yè)，力挺三星電子和SK海力士
該計劃包括17萬億韓元的專項投資資金與稅收優(yōu)惠，比韓國財長崔相穆兩周前提議的10萬億韓元高出近一倍。據(jù)悉，韓國將于六月敲定具體實施細(xì)則。
韓國砸26萬億韓元推動芯片產(chǎn)業(yè)，三星和SK海力士成為最大贏家
韓國發(fā)布價值逾26萬億韓元（合約190億美元）的激勵政策，旨在扶持芯片產(chǎn)業(yè)，尤其對三星電子及SK海力士等龍頭企業(yè)意義重大，助其在競爭日趨激烈的市場環(huán)境下...
2024-05-23 標(biāo)簽：三星電子芯片產(chǎn)業(yè)SK海力士 1.1k 0
早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
SK海力士展示存儲新品：固態(tài)硬盤和內(nèi)存模組涵蓋消費及企業(yè)市場
近日，SK海力士在北京召開的戴爾科技全球峰會上展示了旗下多個存儲產(chǎn)品線中的新款，包括但不限于內(nèi)存及固態(tài)硬盤等類別。
三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這一上漲主要歸...
三星和SK海力士未恢復(fù)增產(chǎn)并計劃限制DRAM產(chǎn)量
根據(jù)行業(yè)預(yù)估，三星和SK海力士有望在今年擴(kuò)展產(chǎn)量以應(yīng)對逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場環(huán)境。然而，他們在今年一季度財政報告會上均表示，DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇，兩大巨頭三星電子和SK海力士紛紛加大了研發(fā)（R&D）費用與基礎(chǔ)設(shè)施投資。據(jù)三星電子發(fā)布的最新季度報告，公司在2024年一季...
近日，SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEO...
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