開關電源的設計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應力。

飛兆半導體UniFET II MOSFET的反向恢復性能較替代解決方案提升50%。如果反向恢復速度較慢，則無法處理高反向恢復電流尖刺，會帶來更大的開關損耗及功率MOSFET的發(fā)熱，而飛兆半導體解決方案則能夠耐受較現(xiàn)有解決方案高兩倍以上的電流應力。

UniFET II MOSFET器件基于飛兆半導體的先進平面技術，具有更好的品質因數(shù)(FOM) (FOM: RDS(ON) * Qg)，更低的輸入和輸出電容，以及業(yè)界最佳的反向恢復性能，并具有高效率。而且，這些MOSFET器件的小型封裝能容納大量的功率，但不會產(chǎn)生更多的熱量，所以能夠提升用于液晶電視和等離子電視的SMPS，以及用于照明系統(tǒng)、PC電源、服務器和電信電源的SMPS應用的總體效率。

UniFET II MOSFET系列的初始產(chǎn)品包括FDPF5N50NZ和FDPF8N50NZ N溝道 MOSFET。FDPF5N50NZ是500V，4.5A，1.5器件，在VGS = 10V，ID = 2.25A下具有1.38 (典型值)的RDS(ON)；以及低柵極電荷(典型值9nC)。FDPF8N50NZ則是 500V，8A，0.85器件，在VGS = 10V, ID = 4A下具有0.77 (典型值)的RDS(ON)；以及低柵極電荷(典型值14nC)。

這些MOSFET是業(yè)界為數(shù)不多的具有2kV HBM 的穩(wěn)健ESD性能的器件，對于保護應用設備避免不利的靜電事件是至關重要的。

飛兆半導體作為功率電子技術領導廠商，將繼續(xù)提供獨特的功能、工藝和封裝技術組合以應對電子設計的各種挑戰(zhàn)。這些MOSFET都是飛兆半導體全面的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，可為設計人員提供寬擊穿電壓范圍(-500V至1000V)、先進封裝和業(yè)界領先的FOM因數(shù)，能為任何需要功率轉換的應用提供高效的功率管理。

價格(訂購1,000個):

FDPF5N50NZ的單價為0.69美元

FDPF8N50NZ的單價為0.86美元
供貨: 現(xiàn)提供樣品
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