模擬技術(shù)
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雙極性晶體管（三極管）的應(yīng)用舉例
結(jié)型晶體管是三明治結(jié)構(gòu)，下圖是NPN型三極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其電路符號(hào)。...
2023-12-05 標(biāo)簽：三極管上拉電阻放大電路比較器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5684
IGBT芯片自身的短路分析
這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。...
2023-12-05 標(biāo)簽：IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻igbt芯片寄生二極管 13344
IGBT在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的主要作用
IGBT在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中所發(fā)揮的作用非常重要，IGBT的性能影響著電機(jī)驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性。...
2023-12-05 標(biāo)簽：保護(hù)電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT脈沖寬度調(diào)制電流電壓 3088
振蕩器中使用hbsp去仿真輸出阻抗分析
在振蕩器中使用hbsp去仿真輸出阻抗，當(dāng)然振蕩器領(lǐng)域大家一般不關(guān)心輸出阻抗，因?yàn)椴恍枰紤]輸出功率大小，自有buffer來(lái)增大功率，只要負(fù)載對(duì)頻率、相噪影響最小即可，但目前的電路確實(shí)...
2023-12-05 標(biāo)簽：振蕩器無(wú)線通信發(fā)射機(jī)S參數(shù)輸出阻抗 3603
移相PWM系列諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器示例設(shè)計(jì)
DC-DC轉(zhuǎn)換器廣泛用于汽車和航空航天應(yīng)用。如何管理電源轉(zhuǎn)換設(shè)備產(chǎn)生的熱量是最具挑戰(zhàn)性的工作...
2023-12-05 標(biāo)簽：濾波電容DC-DC轉(zhuǎn)換器高頻變壓器PWM波串聯(lián)諧振電路 2504
差分放大電路和單端電路相比有何優(yōu)勢(shì)？
和單端電路的偏置電壓類似，差動(dòng)信號(hào)的偏置電壓就叫做"共模電平"，對(duì)于輸入的差分信號(hào)，就叫輸入的共模電平，對(duì)于輸出就叫做輸出的共模電平，其定義為兩個(gè)結(jié)點(diǎn)電位之差。...
2023-12-05 標(biāo)簽：電流源差動(dòng)放大器偏置電壓共模干擾 2314
安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動(dòng)汽車充電樁等市場(chǎng)
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。...
2023-12-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電樁SiC MOSFET安世半導(dǎo)體 3364
SaberRD設(shè)計(jì)實(shí)例：DC-DC轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性分析
隨著對(duì)直流電源需求的不斷增加，通信系統(tǒng)、飛機(jī)、電動(dòng)汽車等工業(yè)應(yīng)用中相互連接的直流電源的使用也越來(lái)越多，這樣一來(lái)系統(tǒng)的不穩(wěn)定性風(fēng)險(xiǎn)大大加。...
2023-12-05 標(biāo)簽：仿真器DC-DC轉(zhuǎn)換器LC濾波器電壓控制直流電源 2634
國(guó)產(chǎn)碳化硅生產(chǎn)企業(yè)排行榜
憑借其卓越性能而被不斷應(yīng)用于光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車、軌道交通和風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域，引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2021年10.9億美元增長(zhǎng)至2027年62...
2023-12-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車光伏發(fā)電功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 10232
汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變，碳化硅是否隨著更改？
汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應(yīng)用市場(chǎng)。在整個(gè)汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會(huì)延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場(chǎng)行情？...
2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC碳化硅汽車半導(dǎo)體 686
高校電力電子實(shí)時(shí)仿真創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)解決方案
EasyGo實(shí)時(shí)仿真實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)旨在為電氣相關(guān)專業(yè)的本科生和研究生提供技術(shù)領(lǐng)先、性能優(yōu)異的創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，基于該建設(shè)方案構(gòu)建的創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)基地，能夠輔助本科生和研究生進(jìn)行 、選修課的教學(xué)和...
2023-12-04 標(biāo)簽：FPGA電力電子實(shí)時(shí)仿真 1810
MOSFET的結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)波形分析
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開(kāi)關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反向電流恢復(fù)的過(guò)程。...
2023-12-04 標(biāo)簽：二極管MOSFETBuck變換器開(kāi)關(guān)變換器寄生電感 9968
MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程簡(jiǎn)析
本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大...
2023-12-04 標(biāo)簽：三極管MOSFET可變電阻米勒電容驅(qū)動(dòng)電壓 4009
深入探討模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）失調(diào)和增益誤差規(guī)格
由于使用有限數(shù)量的數(shù)字碼來(lái)表示連續(xù)范圍的模擬值，因此ADC表現(xiàn)出階梯響應(yīng)，這本質(zhì)上是非線性的。在評(píng)估某些非理想效應(yīng)（如失調(diào)誤差、增益誤差和非線性）時(shí)，通過(guò)穿過(guò)階躍中點(diǎn)的直線對(duì)...
2023-12-04 標(biāo)簽：溫度傳感器adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器函數(shù) 1197
深度解析精密ADC中的自校準(zhǔn)和內(nèi)部校準(zhǔn)
一些ADC支持校準(zhǔn)模式，這可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，幫助我們從系統(tǒng)處理器中節(jié)省一些中央處理單元（CPU）周期。在這種情況下，你只需要調(diào)整ADC設(shè)置，發(fā)送適當(dāng)?shù)男?zhǔn)命令，并等待ADC確定失調(diào)和增益誤差...
2023-12-04 標(biāo)簽：寄存器cpuadc模數(shù)轉(zhuǎn)換器多路復(fù)用器 2629
一文詳解二極管在ESD防護(hù)中的應(yīng)用
Lg越大，P-WeLL的長(zhǎng)度越大，P-WeLL的阱電阻越大，面對(duì)ESD的過(guò)沖電壓越高，開(kāi)啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大，其壽命越長(zhǎng)，從而造成二極管的開(kāi)啟時(shí)間也隨之增大。...
2023-12-04 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管ESDMOS寄生二極管 5252
Clarity 3D Workbench仿真USB2.0實(shí)例
前言?Clarity3D場(chǎng)求解器為信號(hào)完整性（SI）、電源完整性（PI）和電磁兼容（EMC）分析創(chuàng)建高度精確的S參數(shù)模型，使得仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)室測(cè)量數(shù)據(jù)相匹配。?使用3DWorkbench軟件，用戶可以將電纜...
運(yùn)放電路的放大倍數(shù)計(jì)算
本文是《電路設(shè)計(jì)-電路分析》專輯最后一篇文章，至此本專輯全部結(jié)束，主要介紹工作中遇到的以及一些經(jīng)典電路，合計(jì)22個(gè)電路，每一張圖每一個(gè)字都是一筆一筆敲出來(lái)的，電路圖清晰，內(nèi)容...
2023-12-04 標(biāo)簽：電路圖運(yùn)放電路電路設(shè)計(jì)正弦波差分電路 15265
全面詳解半導(dǎo)體制造工藝與進(jìn)化
雙極性晶體管，英語(yǔ)名稱為BipolarTransistor，是雙極性結(jié)型晶體管的簡(jiǎn)稱，由于其具有三個(gè)終端，因此通常將其稱為三極管。三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，兩個(gè)PN結(jié)將其分為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，相應(yīng)...
2023-12-02 標(biāo)簽：集成電路三極管晶體管芯片制造半導(dǎo)體材料 12132
運(yùn)放電路中那些電容到底有啥用？
選擇值的話，一般是選103，104，或者105這類數(shù)字。主要就是看運(yùn)放工作時(shí)的頻率，通常頻率高的時(shí)候，電容就會(huì)選小一點(diǎn)，反過(guò)來(lái)就是容量大的。...
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