模擬技術(shù)
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產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能？
由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級(jí)應(yīng)用的后起之秀，例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。...
2023-12-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC光伏逆變器 1718
IGBT單管及IGBT模塊的區(qū)別在哪？
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。...
全球芯片短缺對(duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器客戶的影響
半導(dǎo)體行業(yè)高度依賴復(fù)雜的全球供應(yīng)鏈，涉及多個(gè)環(huán)節(jié)，包括原材料生產(chǎn)、芯片制造、組裝和測(cè)試。...
2023-12-08 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體電源管理晶圓dcdc轉(zhuǎn)換器 1669
碳化硅和igbt的區(qū)別
碳化硅和igbt的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）都是在電子領(lǐng)域中常見(jiàn)的器件。雖然它們都用于功率電子應(yīng)用，但在結(jié)構(gòu)、材料、性能和應(yīng)用方面存在一些顯著差異。本文將詳...
碳化硅和氮化鎵哪個(gè)好
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和...
數(shù)?；旌闲酒瑂can chain問(wèn)題解析
模擬到數(shù)字的信號(hào)不可控，需要和數(shù)字registered outputs mux一下提高test coverage。關(guān)鍵詞是registered output！ 這個(gè)技巧俗稱scan loopback。...
2023-12-08 標(biāo)簽：信號(hào)處理模擬信號(hào)數(shù)字信號(hào)控制信號(hào) 4048
信號(hào)、系統(tǒng)和數(shù)字信號(hào)處理知識(shí)整理
信號(hào)、系統(tǒng)和數(shù)字信號(hào)處理知識(shí)整理...
2023-12-08 標(biāo)簽：信號(hào)處理模擬信號(hào)數(shù)字信號(hào) 1364
晶體管和電子管區(qū)別
晶體管和電子管區(qū)別? 晶體管和電子管是兩種用于電子設(shè)備中放大和控制電流的重要元件。盡管它們?cè)趯?shí)現(xiàn)相同功能方面存在共同點(diǎn)，但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和性能方面存在顯著差異。在本文...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性之一，它對(duì)FE...
2023-12-08 標(biāo)簽：放大器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2905
芯動(dòng)半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長(zhǎng)期訂單合作協(xié)議
功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色，占據(jù)電機(jī)控制器價(jià)值量的30%-50%。因此，功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對(duì)于車企在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中取得成功至關(guān)重要。...
2023-12-08 標(biāo)簽：電機(jī)控制器SiC功率半導(dǎo)體長(zhǎng)城汽車 2823
如何將碳化硅成本將下降30%
國(guó)內(nèi)企業(yè)率先在半絕緣襯底方面取得了非?？斓倪M(jìn)展。而在導(dǎo)電型襯底方面，2021-2022年國(guó)內(nèi)各個(gè)襯底廠商的外部的應(yīng)用需求迅速增長(zhǎng)，同時(shí)在各項(xiàng)指標(biāo)上已經(jīng)得到了下游端客戶的驗(yàn)證。...
igbt與mos管的區(qū)別
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是兩種常見(jiàn)的功率開(kāi)關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶...
什么是跨阻放大器 跨阻放大器和普通運(yùn)放的區(qū)別
交流信號(hào)TIA電路的增益主要取決于放大器反饋環(huán)路中的電阻和電容。公式1表示圖1的理想交流和直流信號(hào)傳遞函數(shù)。...
2023-12-07 標(biāo)簽：放大器運(yùn)算放大器光電二極管跨阻放大器反饋電阻器 13607
IGBT儲(chǔ)能應(yīng)用價(jià)值及優(yōu)勢(shì)分析
儲(chǔ)能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個(gè)環(huán)節(jié)。兩種方案，光儲(chǔ)一體以及單獨(dú)儲(chǔ)能系統(tǒng)。獨(dú)立的儲(chǔ)能系統(tǒng)，功率半導(dǎo)體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲(chǔ)一體可能占比超過(guò) 60-7...
2023-12-07 標(biāo)簽：三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管光伏逆變器DCDC 1601
模擬IC布局自動(dòng)化設(shè)計(jì)方案
單擊第一個(gè)自動(dòng)生成的布局將顯示"動(dòng)畫預(yù)覽"對(duì)話框，其中顯示以下窗口：層次結(jié)構(gòu)、原理圖、布局、結(jié)果和約束。"布局"窗口顯示九個(gè)生成的布局地形。...
常見(jiàn)的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些？
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。...
2023-12-07 標(biāo)簽：動(dòng)力電池新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電機(jī) 6392
碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來(lái)有效地分配和管理電力，而SiC MOSFET具有低開(kāi)關(guān)損耗和快速開(kāi)關(guān)速度，可實(shí)現(xiàn)高頻操作。...
2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源SiC電壓控制 1842
碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時(shí)需注意的事項(xiàng)有哪些？
技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時(shí)，通常需要采取一些措施保障來(lái)處理可能會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題。...
2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器散熱器電壓電流碳化硅 1818
差分信號(hào)怎么產(chǎn)生（差分信號(hào)原理圖）
差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線一根地線的做法，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相等，相位相反。在這兩根線上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)...
2023-12-06 標(biāo)簽：信號(hào)處理通信系統(tǒng)模擬信號(hào)差分信號(hào)信號(hào)傳輸 9197
共模電感怎么測(cè)量電感值 共模電感的原理與作用
共模電感的工作原理是通過(guò)電感的電磁感應(yīng)作用，抵消共模噪聲。當(dāng)共模噪聲出現(xiàn)時(shí)，它會(huì)在電路的兩個(gè)信號(hào)線上產(chǎn)生同樣大小和相位的電流信號(hào)。這些電流信號(hào)將在共模電感中誘導(dǎo)出一個(gè)磁場(chǎng)...
2023-12-06 標(biāo)簽：電容電路設(shè)計(jì)共模電感LCR差模電感 16975
基于氮化鎵逆變器建模損耗的原因及考慮因素
本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對(duì)基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動(dòng)力學(xué)、殼溫度估計(jì)以及對(duì)無(wú)源元件的詳細(xì)考慮。...
2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵GaN全橋逆變器 2558
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強(qiáng)度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問(wèn)題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解決新型電力系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵路徑。...
2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件SiCGaN 2010
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展：7代技術(shù)及工藝改進(jìn)
新能源汽車的成本構(gòu)成中，最大頭當(dāng)然是動(dòng)力電池，第二高的就是IGBT。 在電動(dòng)汽車特斯拉Model 3上，提供電源的是，7000節(jié)18650電池，這些電池提供400伏直流電。...
2023-12-06 標(biāo)簽：集成電路新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體充電樁 4149
淺談相干采樣定義及原理
首先介紹應(yīng)用背景，在測(cè)試ADC的動(dòng)態(tài)參數(shù)時(shí)，一般使用大幅度的正弦波作為輸入信號(hào)，該信號(hào)的頻率不能任意取，需要滿足相干采樣的要求。連續(xù)的正弦波輸入ADC后量化得到一個(gè)離散時(shí)間信號(hào)，...
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和...
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