模擬技術
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國產電流傳感器推薦-DCDC轉換器
DCDC轉換器是一種臨時儲存電能的設備，作用是將直流電從一個電壓水平轉換為另一個電壓水平。...
IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（2）
上一節(jié)的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結構相連接，而PIN2則與基區(qū)相連接。...
IGBT中的MOS結構—抗輻照特性介紹
氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發(fā)的電子空穴對會對絕緣層的特性造成影響。...
MOS管寄生電容計算方法
某種電介質的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值，稱為該電介質的相對介電常數(shù)，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數(shù)，其中真空介電常數(shù)ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相對介電常數(shù)為εr=3.9，所以...
如何判定一個MOS晶體管是N溝道型還是P溝道型呢？
MOS的三個極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是一種常見的晶體管類型，在現(xiàn)代集成電路中廣泛應用。M...
模擬IC設計之OP的指標計算方法
在計算之前，我們有必要先了解一下ADC的架構，這對理解計算過程是有幫助的。我們看上圖，它由S/H電路、1~M個流水級和一個FlashADC組成。圖中G表示每個流水極放大相時的閉環(huán)增益。對于1.5bi...
模擬IC設計之OP帶寬的計算方法
電路設計中的計算是非常重要的，但在計算之外，還有更高的境界，那就是“經驗”的運用，即知道如何留余量，留有多大余量，條件受限的時候怎樣“丟車保帥”等，或許這就是模擬電路所謂...
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，...
MOSFET柵極電路常見作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路是MOSF...
一個模擬工程師被一個小小電感給摩擦了？
輸出電壓是信號源內阻和RL的分壓，這也就意味著輸出電壓會隨著頻率的變大而變大。這在原理上是說的通的。那么實際是不是我們分析的這樣呢?于是我們拆除板子上的變壓器重新進行測試，發(fā)...
2023-11-29 標簽：變壓器線圈電感數(shù)據(jù)通信信號發(fā)生器 1250
模擬工程師：電流鏡還需要關注建立速度？
耐壓問題解決的分析過程很難用文字以符合邏輯的方式描述清楚，我也就不考驗我的文字技巧了。總之經過分析，我們找到的“因”是這樣的：認為是OP的P管的偏置電流比尾部電流源的偏置電流...
基于XL4016的輸出過壓保護方案解析
當輸出電壓低于 VDZ1+0.7V 時，Q1 三極管不導通，Q2 三極管導通，此時 Q3 MOS 管導通使系統(tǒng)正常 輸出；當輸出電壓高于 VDZ1+0.7V 時，Q1 三極管導通，Q2 三極管不導通，此時 Q3 MOS 管不導通使系統(tǒng)輸出...
淺析IGBT中的MOS結構—Rds(on)
在推導MOS的IV特性時，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。...
淺談信號delay time和phase shift
假設信號經過一階低通濾波器（-3dB帶寬為f0），那在所有頻率點，信號的delay是怎樣的？ tao=16ns時，我用matlab plot了一下幅度、相位和time delay，其中time delay=phase/w （其中w為角頻率，phase量...
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