模擬技術(shù)
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深入探討模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）失調(diào)和增益誤差規(guī)格
理想情況下，ADC具有均勻的階梯輸入-輸出特性。請(qǐng)注意，輸出編碼不對(duì)應(yīng)于單個(gè)模擬輸入值。相反，每個(gè)輸出碼代表一個(gè)小的輸入電壓范圍，寬度等于一個(gè)LSB（最低有效位）。...
2023-12-01 標(biāo)簽：溫度傳感器adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入電壓函數(shù) 990
一階帶通濾波器電路圖原理
傳統(tǒng)的帶通濾波器設(shè)計(jì)方法中涉及了很多復(fù)雜的理論分析和計(jì)算。針對(duì)上述缺點(diǎn)，介紹一種使用EDA軟件進(jìn)行帶通濾波器的設(shè)計(jì)方案，詳細(xì)闡述了使用FilterPro軟件進(jìn)行有源帶通濾波器電路的設(shè)計(jì)步...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異（2）
下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎娼Y(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)（7-17）從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分，結(jié)果如下，...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異（1）
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖，在三維結(jié)構(gòu)中，PN結(jié)的擴(kuò)散窗口會(huì)同時(shí)向x方向和z方向擴(kuò)散，那么在角落位置就會(huì)形成如圖所示的1/8球面結(jié)。...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）
下面對(duì)電場(chǎng)積分，我們看看隨著增長(zhǎng)，即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng)，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（1）
IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓，主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。...
2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體芯片 5157
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（2）
上一節(jié)我們建立了基區(qū)寬度與外加電壓隨時(shí)間的變化關(guān)系...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（1）
我們?cè)谖闹蟹磸?fù)提及，電壓是電場(chǎng)的積分，而電場(chǎng)是電荷的積分，所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài)，就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(3)
至此，我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲(chǔ)變化，而電荷對(duì)時(shí)間的變化率即對(duì)應(yīng)電流。...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(2)
可以看出，減小遷移率和載流子壽命，可以增大關(guān)斷瞬間的電流突變率。...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(1)
現(xiàn)在我們把時(shí)間變量圖片加入，進(jìn)行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內(nèi)部存儲(chǔ)的電荷開始衰減，衰減過程是因?yàn)檩d流子壽命有限而自然復(fù)合...
通信系統(tǒng)中使用抖動(dòng)改進(jìn)ADC的SFDR應(yīng)用研究
另一個(gè)非線性源是 ADC 編碼器部分。對(duì)于給定的 ADC 相位，編碼器部分主要處理直流信號(hào)，因?yàn)樗挥?S/H 之后。因此，編碼器非線性會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的靜態(tài)（或直流）非線性。...
2023-12-01 標(biāo)簽：編碼器adcAD轉(zhuǎn)換器無(wú)線電接收器 1498
一個(gè)sc-積分器如何分析噪聲
經(jīng)過N個(gè)周期之后，運(yùn)放輸出端的噪聲是多少呢？運(yùn)放噪聲的部分肯定始終沒變，采樣噪聲會(huì)一直積分進(jìn)來，會(huì)積分到無(wú)窮大嗎？...
IGBT電壓與電荷分布之間的關(guān)系（2）
因?yàn)殡娮訌馁M(fèi)米能級(jí)高位向低位流動(dòng)，因此根據(jù)電子電流的流向很容易繪出費(fèi)米能級(jí)的彎曲方向，這里將BJT發(fā)射極到集電極的導(dǎo)帶及價(jià)帶能帶示意圖繪制如圖所示。...
IGBT電壓與電荷分布之間的關(guān)系（1）
前面我們基本完成了穩(wěn)態(tài)狀況下，電流（包含電子電流和空穴電流）與電荷分布之間的關(guān)系，下面我們來看看穩(wěn)態(tài)下電壓與電荷分布之間的關(guān)系。...
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用介紹
圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力（高達(dá)4700V）器件的制造商...
2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源散熱器電機(jī)驅(qū)動(dòng)光伏逆變器 1285
IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正
如前所述，修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（2）
上一章我們對(duì)IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運(yùn)動(dòng)相互影響，這個(gè)影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（1）
IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件，持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下，關(guān)斷過程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步...
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