模擬技術(shù)
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微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
報(bào)告內(nèi)容包含： 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)...
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。...
2023-12-14 標(biāo)簽：CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾氮化鎵硅晶體管 2432
使用碳化硅SiC進(jìn)行雙向充電機(jī)OBC設(shè)計(jì)
電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（On Board Charger，OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從微型電動(dòng)汽車應(yīng)用中的2KW，到高端電動(dòng)汽車中的22KW不等。...
2023-12-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅OBC車載充電機(jī) 3069
納微半導(dǎo)體GeneSiC起源與SiC的未來
GeneSiC 在滿足汽車行業(yè)需求的經(jīng)驗(yàn)還包括開發(fā)快速充電站解決方案，這對 EV 的快速普及至關(guān)重要。以 SK Signet 最近設(shè)計(jì)的額定 350kW 快速充電樁為例，它可以將 277VAC 的市電變換為200~950VDC 精準(zhǔn)控...
2023-12-13 標(biāo)簽：二極管晶體管SiC電機(jī)繞組納微半導(dǎo)體 2557
SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。...
瞻芯電子：碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。...
2023-12-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換器碳化硅 1535
什么是掉電保護(hù) 掉電保護(hù)功能怎么實(shí)現(xiàn)
TVS（Transient Voltage Suppressors）二極管，即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管，是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè)PN結(jié)或多個(gè)PN結(jié)集成的器件。TVS二極管有單向與雙向之分，單向TVS二極管一般應(yīng)用于...
晶體管三種接法的特點(diǎn)
晶體管三種接法的特點(diǎn)? 晶體管是一種常見的電子元器件，具有開關(guān)和放大功能。根據(jù)不同的接法，晶體管的特點(diǎn)也會(huì)有所不同。一般來說，晶體管的接法分為共集電極、共射極和共基極三種類...
MOS管如何實(shí)現(xiàn)隔離作用呢？
MOS管如何實(shí)現(xiàn)隔離作用呢？ MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為一種常見的半導(dǎo)體器件，具有重要的隔離功能。隔離作用指的是在電路中，不同部分之間產(chǎn)生電勢差，以保證電路的正...
碳化硅晶片制備技術(shù)與國際產(chǎn)業(yè)布局
碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實(shí)現(xiàn)。...
碳化硅的5大優(yōu)勢
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。...
2023-12-12 標(biāo)簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管SiC碳化硅 3019
提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑
SiC MOSFET器件存在可靠性問題，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。...
mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？
Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)（此處從網(wǎng)上搜集）...
2023-12-11 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)限流電阻開關(guān)損耗NMOS管 1834
碳化硅的優(yōu)勢和難處
碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。...
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路，都與器件的源極軌連。但是，驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過低壓電路實(shí)現(xiàn)，因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。...
2023-12-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路自舉電路柵極驅(qū)動(dòng) 2286
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的核心基礎(chǔ)技術(shù)—“...
npn和pnp有什么區(qū)別？npn和pnp三極管的應(yīng)用
npn和pnp有什么區(qū)別？npn和pnp三極管的應(yīng)用? NP（負(fù)-正）-NPN（NPN晶體管）和PN（正-負(fù)）-PNP（PNP晶體管）是具有相反電流和電壓極性的兩種類型的雙極結(jié)晶體管（BJT）。關(guān)鍵的區(qū)別在于半導(dǎo)體層的...
高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究
近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇在廈門國際會(huì)議中心召開。...
GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分論壇”上，臺灣元智大學(xué)前副校長、臺灣成功大學(xué)...
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。...
氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資
近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來的又一融資進(jìn)展。...
GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究
以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件領(lǐng)域具有巨大的性能優(yōu)勢。...
增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展
作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢。...
2023-12-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵GaN太陽能逆變器 2892
助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進(jìn)展
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。...
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