模擬技術(shù)
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IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系
分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。...
模擬技術(shù)入門之零極點(diǎn)分析（2）
由于傅里葉變換的局限性，要保證f（t）收斂，因此對于非收斂的函數(shù)，添加一個(gè)衰減因子e-σt，使函數(shù)在t→∞時(shí)，f（t）→0。然后再進(jìn)行傅里葉變換。...
模擬技術(shù)入門之零極點(diǎn)分析（1）
系統(tǒng)的零極點(diǎn)的物理含義： 零點(diǎn)：當(dāng)系統(tǒng)輸入幅度不為零且輸入頻率使系統(tǒng)輸出為零時(shí)，此輸入頻率值即為零點(diǎn)； 極點(diǎn)：當(dāng)系統(tǒng)輸入幅度不為零且輸入頻率使系統(tǒng)輸出為無窮大時(shí)，...
碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇
電動化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢，對高速充電的需求持續(xù)提升，而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高，因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)體材料將逐步替代硅基器件成...
2023-11-29 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動系統(tǒng)半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 918
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(...
2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3356
什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對全球共通的“節(jié)能化”和“小型化”...
2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料SiC碳化硅功率元件 1766
RFTOP推出高性能1.0mm系列波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換器
近年來，隨著5G/6G、AR、VR、AI、汽車?yán)走_(dá)、星地通信等研發(fā)和應(yīng)用的投資不斷增加，毫米波頻率正發(fā)揮至關(guān)重要的作用，工作于V波段(50-75GHz)、E波段（60-90GHz）和W波段（75-110GHz）的應(yīng)用正快速增...
2023-11-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器無線通信毫米波汽車?yán)走_(dá)同軸轉(zhuǎn)換器 1966
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（1）
我們常說IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）所構(gòu)成...
2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管IGBT晶體管PN結(jié) 2803
IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（2）
上一章我們講到了載流子濃度與電流的關(guān)系，并且知道了載流子在I區(qū)的濃度分布是非對稱的。...
脈寬調(diào)制（PWM）設(shè)計(jì)及應(yīng)用原理解析
脈寬調(diào)制（以下簡稱為PWM）是數(shù)字系統(tǒng)產(chǎn)生模擬輸出的一種方式（通過將PWM信號通過一些附加電路和/或機(jī)械系統(tǒng)）。PWM的一些應(yīng)用示例如下： PWM信號可用于通過低通濾波器產(chǎn)生模擬電壓。...
2023-11-28 標(biāo)簽：PWM低通濾波器脈寬調(diào)制伺服電機(jī)模擬信號 8219
數(shù)模轉(zhuǎn)換器：常見DAC類型說明
數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）將數(shù)字（用于計(jì)算機(jī)，如微控制器）轉(zhuǎn)換為模擬電壓。它們與模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）相反。...
2023-11-28 標(biāo)簽：放大器電阻器dac模擬電壓數(shù)模轉(zhuǎn)換器 4869
一文解析逐次通近型寄存器ADC
模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）將模擬電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字（用于計(jì)算機(jī)，如微控制器）。ADC具有特定的分辨率，以及正負(fù)基準(zhǔn)電壓。例如，10位ADC將輸入電壓轉(zhuǎn)換為0-1023之間的數(shù)字（1023是可以用10位表示的最大...
2023-11-28 標(biāo)簽：寄存器adc晶體管模數(shù)轉(zhuǎn)換器模擬電壓 1704
增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對稱溝...
ROHM開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3，非常適用于搭載測距和空間識別用LiDAR的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AGV（無人搬運(yùn)車）和服務(wù)機(jī)器人、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域...
2023-11-28 標(biāo)簽：機(jī)器人激光二極管功率半導(dǎo)體AGVRohm 1689
模數(shù)轉(zhuǎn)換器的工作原理是什么？
模數(shù)轉(zhuǎn)換器（DAC）是將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號的設(shè)備。其工作原理可以簡單描述如下...
2023-11-27 標(biāo)簽：dac模數(shù)轉(zhuǎn)換器二進(jìn)制編碼 2533
淺談英飛凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略
在汽車和可再生能源領(lǐng)域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利，相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英飛凌已經(jīng)從6家原始設(shè)備制造商（...
2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌SiCGaN碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 869
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