模擬技術(shù)
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模擬信號處理電路之運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)原理
當(dāng)然，我們還可以通過向運(yùn)算放大器的負(fù)電源軌提供負(fù)電壓（當(dāng)然還向 V+ 輸入提供以 0V 為中心的輸入信號）來使輸入和輸出以 0V 為中心。...
2023-11-27 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器比較器電源電壓模擬信號施密特觸發(fā)器 1705
高速電路是什么，什么信號才屬于高速信號
高速電路：數(shù)字邏輯電路的頻率達(dá)到或超過50MHz，而且工作在這個(gè)頻率之上的電路占整個(gè)系統(tǒng)的1/3以上，就可以稱其為高速電路...
2023-11-27 標(biāo)簽：電磁兼容性數(shù)字信號高速電路數(shù)字邏輯電路低頻電路數(shù)字信號數(shù)字邏輯電路電磁兼容性高速電路 3338
請教下THT通孔IGBT器件焊接起始面和焊接終止面相反焊接是否有影響
各位老師，請教下THT通孔 IGBT器件，焊接起始面和焊接終止面焊盤尺寸形狀完全相同，因焊接起始面有元件干涉，改為從焊接終止面開始焊接,通孔爬錫高度100%，是否會影響焊點(diǎn)強(qiáng)度？謝謝...
羅姆國富工廠將于明年生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓 目標(biāo)增長35倍
11月上旬，羅姆株式會社社長松本功在財(cái)報(bào)電話會議上宣布，他們將在日本宮崎縣的國富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓，預(yù)計(jì)將于2024年開始。...
2023-11-25 標(biāo)簽：晶圓SiCGaN功率半導(dǎo)體碳化硅 2099
什么是碳化硅功率模塊？為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選？
如今，功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉，而且該技術(shù)廣為人知。...
2023-11-25 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體電流電壓碳化硅 4565
深度解析電動汽車核心器件——IGBT
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。...
2023-11-24 標(biāo)簽：cpuIGBT晶體管功率器件功率半導(dǎo)體 3797
下一代的CMOS邏輯將邁入1nm時(shí)代？
下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個(gè)有希望的候選者是通道是過渡金屬二硫?qū)倩?(TMD) 化合物的二維材料（單層和極薄材料）的晶體管。...
2023-11-24 標(biāo)簽：CMOS邏輯電路圖像傳感器晶體管半導(dǎo)體器件 944
如何提高開關(guān)電源芯片MOSFET雪崩可靠性？
當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過碰撞電離開始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。...
2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET示波器VDMOS雪崩擊穿開關(guān)電源芯片 2566
BJT正反對稱嗎？BJT正反方向的電流放大倍數(shù)的差異與反向擊穿電壓的差異有關(guān)系
BJT正反對稱嗎？BJT正反方向的電流放大倍數(shù)的差異與反向擊穿電壓的差異有關(guān)系嗎？ BJT (雙極型晶體管) 是一種常用的電子器件，它有兩個(gè) PN 結(jié)組成的結(jié)構(gòu)，分別稱為基結(jié)和集電結(jié)。BJT 既可以...
N溝道場效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？
N溝道場效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？ 大部分情況下，場效應(yīng)管的柵極電壓（G極）不會大于漏極電壓（D極）。這是因?yàn)閳鲂?yīng)管的工作原理是通過改變柵極與漏極之間...
2023-11-23 標(biāo)簽：場效應(yīng)管柵極電壓 3432
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）有很大不同。在本...
2023-11-22 標(biāo)簽：MOSFETJFET場效應(yīng)晶體管 5474
國產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們在開關(guān)操作期間的動態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。...
2023-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件柵極驅(qū)動器 2833
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管? 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是兩種常見的功率管件。它們在應(yīng)用領(lǐng)域...
2023-11-22 標(biāo)簽：場效應(yīng)管IGBT晶體管 12849
mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分
mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分? MOS管是一種常見的電子元件，它被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管通常具有三個(gè)引腳，即柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。這三個(gè)引腳在MOS管的工作原理中...
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動芯片可以驅(qū)動嗎？
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動芯片可以驅(qū)動嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動氮化鎵（GaN）MOS管時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常情況下，GaN MOS管需要專門的驅(qū)動芯...
基于氮化鎵的分容水冷一體機(jī)解決方案
簡單來說，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無法正常使用，因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，同時(shí)還需要對不同品...
SiC晶圓劃片工藝：速度提升100倍，芯片增加13%
近日，一家日本廠商發(fā)布了一種全新的SiC晶圓劃片工藝，與傳統(tǒng)工藝相比，這項(xiàng)技術(shù)可將劃片速度提升100倍，而且可以幫助SiC廠商增加13%的芯片數(shù)量。...
光電效應(yīng)的神奇之處：光耦合二極管的原理和應(yīng)用介紹
在電子技術(shù)中，光耦合二極管（Photodiode）是一種非常重要的半導(dǎo)體器件。...
2023-11-21 標(biāo)簽：二極管光耦合器編碼器光電傳感器光電效應(yīng) 3023
2030年，中國仍將是最大的碳化硅市場
在電動汽車領(lǐng)域，純電動汽車BEV、混合動力HEV、插電式混合動力電動汽車PHEV、400伏/800伏的系統(tǒng)將直接影響碳化硅（SiC）相對采用率，800伏的純電動汽車動力系統(tǒng)最有可能采用SiC器件。...
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