模擬技術(shù)
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潤(rùn)石科技推出16位2通道AD轉(zhuǎn)換芯片RS1433
RS1433是一款16位的2通道AD轉(zhuǎn)換芯片，支持單端輸入或者偽差分輸入(對(duì)GND)，最高支持1MSPS的轉(zhuǎn)換速率。...
2025-12-29 標(biāo)簽：adcAD轉(zhuǎn)換芯片同步采樣 2051
龍騰半導(dǎo)體推出新一代150V G3平臺(tái)SGT MOSFET產(chǎn)品LSGT15R032
隨著新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)與電池管理（BMS）對(duì)高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導(dǎo)體技術(shù)正面臨新一輪革新。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，龍騰...
2025-12-29 標(biāo)簽：MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 2365
通信系統(tǒng)中濾波器的種類及特點(diǎn)（2）
射頻前端，特別是在無(wú)線通信中，腔體濾波器因?yàn)槠湫阅茏吭?，?jīng)常被用作放在前端。 腔體濾波器由金屬腔體、諧振器（金屬桿或圓柱）、輸入 / 輸出耦合結(jié)構(gòu)（如耦合環(huán)、探針）及調(diào)諧元件...
2025-12-29 標(biāo)簽：濾波器無(wú)線通信射頻前端介質(zhì)濾波器射頻前端無(wú)線通信濾波器 6696
通信系統(tǒng)中濾波器的種類及特點(diǎn)（1）
濾波器在通信系統(tǒng)中無(wú)處不在，從體積上看，有尺寸龐大的腔體濾波器，有中等的SAW濾波器，還有較小的表貼濾波器。從功能上看，毫無(wú)疑問(wèn)，每種濾波器都有濾波的作用，但是細(xì)分到每個(gè)功能...
2025-12-29 標(biāo)簽：濾波器通信系統(tǒng)射頻濾波器 6462
“北斗芯片第一股”要來(lái)了？已發(fā)布國(guó)內(nèi)首款22nm短報(bào)文SoC芯片
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，華大北斗正式向港交所提交上市申請(qǐng)，并于2025年12月19日更新招股書(shū)，擬在香港主板掛牌上市。這并非華大北斗首次沖擊上市，此次是繼2025年6月首次遞表失效后...
2025-12-29 標(biāo)簽：北斗衛(wèi)星 2888
上海貝嶺低噪聲運(yùn)算放大器BL3722的主要特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景
在電子電路設(shè)計(jì)中，低噪聲運(yùn)算放大器（Low-Noise Operational Amplifier）是一種專為微弱信號(hào)處理而設(shè)計(jì)的電子元器件，其核心優(yōu)勢(shì)在于運(yùn)算放大器具有較低的噪聲水平，能夠有效解決微弱信號(hào)易被...
2025-12-26 標(biāo)簽：電機(jī)控制運(yùn)算放大器低噪聲 10031
中微愛(ài)芯運(yùn)放應(yīng)用案例介紹
運(yùn)算放大器常作為一種高增益、差分輸入、單端輸出的電路，在模擬電路與信號(hào)處理系統(tǒng)中有多種用法。...
2025-12-26 標(biāo)簽：模擬電路運(yùn)算放大器運(yùn)放 5755
DRAM組織結(jié)構(gòu)和讀取原理介紹
DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個(gè) DRAM 單元組成，每個(gè)單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)。...
3GSPS 封神！雙通道超高速 A/D?新標(biāo)桿：CBM08AD1500
在射頻通信、測(cè)試測(cè)量、國(guó)防電子等高端領(lǐng)域，超高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）是信號(hào)鏈的核心樞紐，其采樣速率、線性度與兼容性直接決定系統(tǒng)性能上限。當(dāng)前高速ADC行業(yè)面臨三大挑戰(zhàn)：進(jìn)口超高速...
2025-12-25 標(biāo)簽：芯片adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器 8535
三菱電機(jī)SiC MOSFET的可靠性測(cè)試
SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在質(zhì)量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術(shù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的品質(zhì)，而SiC則需要更嚴(yán)格的品質(zhì)控制和可靠性測(cè)試，以充分發(fā)揮其作為高性能...
派恩杰SiC器件在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用
從傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(IDC)到人工智能數(shù)據(jù)中心(AIDC)的演進(jìn)，本質(zhì)上是一場(chǎng)能源效率與算力密度的極限競(jìng)賽。AI算力的爆發(fā)正將數(shù)據(jù)中心推向“電力極限”。...
2025-12-24 標(biāo)簽：MOSFET數(shù)據(jù)中心SiC派恩杰 2414
今日看點(diǎn)：Cadence 以臺(tái)積電 N3P 制程流片第三代 UCIe IP；JBD推出“走鵑Ⅰ”彩色光
英偉達(dá)、SK海力士與群聯(lián)電子共同開(kāi)發(fā)AI固態(tài)硬盤(pán) ? 日前，據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)與韓國(guó)SK海力士共同開(kāi)發(fā)新型人工智能固態(tài)硬盤(pán)，群聯(lián)電子也參與開(kāi)發(fā)。這款A(yù)I專用固態(tài)硬盤(pán)的效能預(yù)計(jì)將達(dá)到當(dāng)前AI服...
高云半導(dǎo)體2026年將推出多款場(chǎng)景優(yōu)化FPGA，錨定汽車與視覺(jué)雙引擎
2025 年半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動(dòng)下，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。以EDA/IP先進(jìn)方法學(xué)、先進(jìn)工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝...
2025-12-23 標(biāo)簽： 4448
TinySwitch IC銷量超60億顆，PI再推高耐壓GaN破局?jǐn)?shù)據(jù)中心供電革命
2025 年半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動(dòng)下，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。以EDA/IP先進(jìn)方法學(xué)、先進(jìn)工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝...
2025-12-23 標(biāo)簽： 4483
新周期下，納芯微邁向更廣闊的產(chǎn)業(yè)舞臺(tái)
2025 年半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動(dòng)下，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。以EDA/IP先進(jìn)方法學(xué)、先進(jìn)工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝...
從工業(yè)到AI：晨希半導(dǎo)體探索多領(lǐng)域應(yīng)用，迎接AI大爆發(fā)時(shí)代
2025 年半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動(dòng)下，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。以EDA/IP先進(jìn)方法學(xué)、先進(jìn)工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝...
大聯(lián)大前瞻布局2026：深化AI、汽車、工業(yè)賽道，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)
2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動(dòng)下，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。以EDA/IP先進(jìn)方法學(xué)、先進(jìn)工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝...
AI浪潮席卷邊緣端！國(guó)民技術(shù)端側(cè)AI芯片+高性能MCU雙引擎已“點(diǎn)火”
2025 年半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動(dòng)下，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。以EDA/IP先進(jìn)方法學(xué)、先進(jìn)工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝...
2025-12-22 標(biāo)簽：mcuAI國(guó)民技術(shù) 3246
今日看點(diǎn)：國(guó)內(nèi)首塊L3級(jí)自動(dòng)駕駛專用號(hào)牌誕生；三星發(fā)布全球首款 2nm芯片Ex
摩爾線程新一代GPU架構(gòu)發(fā)布，支持十萬(wàn)智算集群 ? 近日，摩爾線程發(fā)布新一代全功能GPU架構(gòu)“花港”，以及基于“花港”架構(gòu)的AI訓(xùn)推一體芯片“華山”和專攻高性能圖形渲染的芯片“廬山”。...
2025-12-22 標(biāo)簽： 1271
基于FPGA的音頻預(yù)加重濾波器設(shè)計(jì)
在語(yǔ)音信號(hào)中，聲門(mén)波激勵(lì)和口鼻輻射效應(yīng)共同導(dǎo)致語(yǔ)音信號(hào)的高頻分量能量要比低頻分量弱。...
芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)
在手機(jī)快充、新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器等電力電子設(shè)備中，藏著一個(gè)關(guān)鍵“電子開(kāi)關(guān)”——功率MOSFET。它的核心使命是快速控制電流的通斷，而“開(kāi)關(guān)頻率”直接決定了設(shè)備的體積、效率和...
瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對(duì)大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)(Robustness-Validation)。該試驗(yàn)嚴(yán)格遵循AEC-Q101、ZVEI標(biāo)準(zhǔn)，開(kāi)展了HTRB、HTGB+、HV-H3TRB 及 IOL 等關(guān)鍵項(xiàng)目測(cè)試...
潤(rùn)石科技推出16位八通道AD轉(zhuǎn)換芯片RS1438
RS1438是一款16位的八通道AD轉(zhuǎn)換芯片，采用PulSAR架構(gòu)設(shè)計(jì)，單端輸入或者偽差分輸入(對(duì)GND)，最高支持250kSPS的轉(zhuǎn)換速率。...
2025-12-18 標(biāo)簽：串行通信AD轉(zhuǎn)換芯片 1745
潤(rùn)石科技推出超低噪聲自穩(wěn)零運(yùn)算放大器RS8547/RS8548
基于深厚的技術(shù)積累和不斷創(chuàng)新迭代，潤(rùn)石科技高精度運(yùn)算放大器產(chǎn)品再出精品，推出了RS8547/RS8548超低噪聲自穩(wěn)零運(yùn)算放大器，0.1Hz~10Hz低頻噪聲低至0.55μVpp。...
2025-12-18 標(biāo)簽：放大器噪聲運(yùn)算放大器 1840
今日看點(diǎn)：比亞迪開(kāi)展L3量產(chǎn)內(nèi)測(cè)；蘋(píng)果首次洽談在印度組裝和封裝iPhone芯片
SEMI：半導(dǎo)體設(shè)備銷售額2025年達(dá)1330億美元 SEMI報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備原始設(shè)備制造商（OEM）的半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1330億美元，同比增長(zhǎng)13.7%預(yù)計(jì)兩年未來(lái)半導(dǎo)體...
2025-12-18 標(biāo)簽： 1420
方正微電子榮獲2025年度電源行業(yè)SiC卓越獎(jiǎng)
第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇，國(guó)內(nèi)先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體IDM企業(yè)——“深圳方正微電子有限公司”憑借其在SiC技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新突破、卓越的產(chǎn)品性能以及對(duì)電源行業(yè)發(fā)展的突出貢獻(xiàn)，成功斬獲...
今日看點(diǎn)：我國(guó)首批L3級(jí)自動(dòng)駕駛車型進(jìn)入準(zhǔn)入目錄；龍芯中科：首款產(chǎn)品9A1
我國(guó)首批L3級(jí)自動(dòng)駕駛車型進(jìn)入準(zhǔn)入目錄 12月15日，工業(yè)和信息化部正式公布我國(guó)首批L3級(jí)有條件自動(dòng)駕駛車型準(zhǔn)入許可，對(duì)重慶長(zhǎng)安汽車股份有限公司和北汽藍(lán)谷麥格納汽車有限公司申報(bào)的兩款...
2025-12-16 標(biāo)簽： 1192
揚(yáng)杰科技榮膺2025行家極光獎(jiǎng)年度中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)
這個(gè)十二月，捷報(bào)連連！揚(yáng)杰科技先于12月4日獲頒“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”，彰顯其在碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合實(shí)力；隨后在12月6日，又憑借過(guò)硬的產(chǎn)品與技術(shù)，一舉奪得“國(guó)產(chǎn)功率器件行...
邁來(lái)芯硅基RC緩沖器助力碳化硅功率模塊設(shè)計(jì)
現(xiàn)代電動(dòng)汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展，源于對(duì)極致效率的不懈追求。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，功率組件，特別是像碳化硅（SiC）這類寬帶隙技術(shù)，必須以前所未有的速度進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作。...
恩智浦將退出氮化鎵 5G PA 芯片制造；消息稱蘋(píng)果首款智能眼鏡 Apple Glass 搭載
消息稱英特爾最快 2026 年 1 月收購(gòu) SambaNova 外媒報(bào)道稱，英特爾正與 AI 芯片企業(yè) SambaNova 就對(duì)后者的收購(gòu)交易進(jìn)行深入談判，交易最快下月達(dá)成。不過(guò)后者也已與其他潛在財(cái)務(wù)投資者簽署了意向...
2025-12-15 標(biāo)簽： 876
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