半導(dǎo)體技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為半導(dǎo)體技術(shù)專(zhuān)區(qū)，有豐富的半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用知識(shí)與半導(dǎo)體技術(shù)資料，可供半導(dǎo)體行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。

全部新品資訊技術(shù) 資料企業(yè) 論壇元器件選型

全球存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入超級(jí)景氣循環(huán)

全球存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入「超級(jí)景氣循環(huán)」，但展望明年，并不是所有分析師都有信心。瑞銀（UBS）證券9日調(diào)降SK海力士投資評(píng)等，導(dǎo)致SK海力士股價(jià)自云端連瀉兩日，直到13日才回穩(wěn)。...

2017-02-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器芯片 SK海力士 1032

紐約時(shí)報(bào):全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心繼續(xù)向中國(guó)轉(zhuǎn)移

GlobalFoundries首席執(zhí)行官桑賈伊·杰哈。該公司將在中國(guó)成都修建一座先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠(chǎng)。...

2017-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GlobalFoundries 1188

Intel計(jì)劃開(kāi)啟42號(hào)晶圓廠(chǎng)：2020年沖擊7nm制程大關(guān)

Kaby Lake已經(jīng)順利入市，Intel立即快馬加鞭思考下一步行動(dòng)的安排。回憶起今年CES上Intel曾展出了他們的10nm樣片，感覺(jué)下一代產(chǎn)品就該采用新制程了，然而就當(dāng)我們還以為芯片巨頭要準(zhǔn)備往10nm過(guò)渡...

2017-02-14 標(biāo)簽： 272

受全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展影響預(yù)計(jì)今年全球IC市場(chǎng)規(guī)模年增5%

調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，有別于2010年之前，現(xiàn)今全球IC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)深受全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展?fàn)顩r影響。諸如利率、石油價(jià)格、財(cái)政激勵(lì)等外在經(jīng)濟(jì)環(huán)境因素都會(huì)成為影響IC市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)的重要因素。調(diào)研...

2017-02-14 標(biāo)簽： 356

半導(dǎo)體廠(chǎng)展望Q1營(yíng)收不同調(diào) 聯(lián)發(fā)科保守臺(tái)積電消極

半導(dǎo)體廠(chǎng)第1季營(yíng)運(yùn)展望不同調(diào)，聯(lián)發(fā)科與創(chuàng)意第1季展望保守，業(yè)績(jī)恐將季減2位數(shù)百分點(diǎn)，瑞昱、聯(lián)詠與譜瑞-KY則可望有淡季不淡表現(xiàn)，業(yè)績(jī)有機(jī)會(huì)較去年第4季持平。半導(dǎo)體廠(chǎng)第1季營(yíng)運(yùn)展望不...

2017-02-14 標(biāo)簽： 253

Molex 推出滾子傳動(dòng)用IP67 BradHarshIO EtherNet/IP模塊

Molex最近推出了業(yè)界首個(gè)通過(guò) ODVA 合規(guī)測(cè)試并經(jīng)認(rèn)證的 IP67 EtherNet/IP I/O 模塊，實(shí)現(xiàn)與滾子傳動(dòng)的接口功能。 Molex最近推出了業(yè)界首個(gè)通過(guò) ODVA 合規(guī)測(cè)試并經(jīng)認(rèn)證的 IP67 EtherNet/IP I/O 模塊，實(shí)現(xiàn)與...

2017-02-14 標(biāo)簽： 664

臺(tái)積電、三星發(fā)展7nm各有盤(pán)算

為證明自己在全球晶圓代工的領(lǐng)先地位，三星電子(Samsung Electronics)與臺(tái)積電不約而同在2017國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)發(fā)表了各自最新的制程技術(shù)，然而2家廠(chǎng)商透...

2017-02-14 標(biāo)簽： 347

ARM收歸日本軟銀后首份季度財(cái)報(bào)：收入暴增44%

去年7月，日本軟銀（SoftBank）宣布收購(gòu)芯片設(shè)計(jì)商ARM，作價(jià)243億英鎊，9月，交易完成。不過(guò)，軟銀需要保證ARM在英國(guó)的總部以及未來(lái)5年增加一倍的雇員。...

2017-02-13 標(biāo)簽：ARM 軟銀 1078

2017中國(guó)航天三大任務(wù)是什么？“嫦娥”再訪(fǎng)廣寒引矚目

天舟一號(hào)貨運(yùn)飛船由中國(guó)航天科技集團(tuán)公司五院抓總研制，是全密封貨運(yùn)飛船，起飛質(zhì)量13噸，物資運(yùn)輸能力6噸，采用兩艙構(gòu)型。這一次它執(zhí)行任務(wù)，將與天宮二號(hào)空間實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行交會(huì)對(duì)接，驗(yàn)...

2017-02-13 標(biāo)簽：北斗系統(tǒng)嫦娥五號(hào)探測(cè)器天舟一號(hào) 1742

Bourns再次出擊推出新增的Murata微調(diào)電位器產(chǎn)品

Bourns-全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，日前宣布Murata微調(diào)電位器型號(hào)PVG3A及PVG3G系列產(chǎn)品已上市。增添的電位器產(chǎn)品有J型鉤及翼形引腳樣式，尺寸為3 mm且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，此系列器件具備廣泛的...

2017-02-13 標(biāo)簽：微調(diào)電位器 Bourns Murata 1505

美光擴(kuò)大在臺(tái)投資加快先進(jìn)制程布局追趕三星

美國(guó)內(nèi)存大廠(chǎng)美光（Micron）合并華亞科技后，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo)，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步，去年及今年總計(jì)投資 20 億美元...

2017-02-13 標(biāo)簽：DRAM 美光 3D NAND Flash 1121

Vishay新款高可靠性VY1 Compact系列瓷片式電容器通過(guò)偏壓85/85加速壽命測(cè)試

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其VY1 Compact系列交流線(xiàn)路瓷片式安規(guī)電容器通過(guò)了“偏壓85/85”加速壽命測(cè)試。賓夕法尼亞、MALVERN 2017 年 2 月13 日日前，Vishay Intertechnolo...

2017-02-13 標(biāo)簽： 699

格羅方德在成都建立12英寸晶圓生產(chǎn)基地投資超百億美元

西南首條12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)在成都高新區(qū)開(kāi)工新年春節(jié)剛過(guò)，從成都傳來(lái)重磅消息，全球第二大晶圓代工廠(chǎng)格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司(GlobalFoundries)在此宣布，正式啟動(dòng)建設(shè)12英寸晶圓成都制...

2017-02-13 標(biāo)簽： 1019

格羅方德業(yè)務(wù)拓展以滿(mǎn)足全球客戶(hù)需求

格羅方德今日公布其全球制造業(yè)務(wù)版圖的擴(kuò)展計(jì)劃,以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)其專(zhuān)有尖端技術(shù)的迫切增長(zhǎng)的需求。公司不僅在美國(guó)和德國(guó)繼續(xù)投資其現(xiàn)有的先進(jìn)晶圓制造廠(chǎng)，在中國(guó)成都設(shè)立全新工廠(chǎng)以積極...

2017-02-13 標(biāo)簽： 555

納米級(jí)LED突破芯片間傳輸速率限制

當(dāng)論及在不同處理器或內(nèi)存之間提高芯片之間的傳輸流量時(shí)，光子學(xué)是一個(gè)熱門(mén)的話(huà)題。截至目前為止，微波導(dǎo)、光調(diào)變器、輸出耦合光閘與光探測(cè)器均已成功進(jìn)行整合了，但要設(shè)計(jì)理想的微米...

2017-02-13 標(biāo)簽：芯片光子學(xué)納米級(jí)LED 1644

全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)已經(jīng)成為IC產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要因素

IC Insights的最新報(bào)告指出，自2010年以來(lái)，全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)已經(jīng)成為IC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的主要影響因素，包括利率、原油價(jià)格以及財(cái)政刺激（fiscal stimulus）等都是IC市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力；這與2010年之前的情況...

2017-02-13 標(biāo)簽：IC產(chǎn)業(yè)IC市場(chǎng) 1530

5年內(nèi)進(jìn)入3納米，臺(tái)積電真能做到嗎？

臺(tái)灣地區(qū)科技部長(zhǎng)陳良基9日表示，半導(dǎo)體為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力核心，臺(tái)積電10納米制程已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米，屆時(shí)將面臨物理極限，必須要透過(guò)基礎(chǔ)研究突破。...

2017-02-13 標(biāo)簽：臺(tái)積電 Inte EUV光刻機(jī) 3176

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基正式開(kāi)工將支撐我國(guó)存儲(chǔ)器跨越式發(fā)展

據(jù)悉，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等，占地面積約1500畝。項(xiàng)目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將有力地支撐我...

2017-02-13 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)芯片 Nand flash 紫光 1408

美光將出售NOR Flash業(yè)務(wù) 傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手

全球存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進(jìn)行，美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù)，計(jì)劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù)，正尋求相關(guān)買(mǎi)家，全力沖刺DRAM及3D NAND Flash，傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。...

2017-02-13 標(biāo)簽：美光 NOR flash 兆易創(chuàng)新 NOR flash 兆易創(chuàng)新美光 1638

Intel 14nm等于三星10nm：領(lǐng)先整整三年！

很遺憾，Intel剛剛宣布的8代酷睿處理器依然是14nm工藝，雖然Intel號(hào)稱(chēng)有著15%的性能提升。很遺憾，Intel剛剛宣布的8代酷睿處理器依然是14nm工藝，雖然Intel號(hào)稱(chēng)有著15%的性能提升。那么我們不禁...

2017-02-11 標(biāo)簽： 482

曾經(jīng)那個(gè)振興美國(guó)半導(dǎo)體的組織，到底什么來(lái)頭？

近日，白宮發(fā)布了一篇長(zhǎng)達(dá)32頁(yè)的《給總統(tǒng)的報(bào)告：維持美國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍地位》。近日，白宮發(fā)布了一篇長(zhǎng)達(dá)32頁(yè)的《給總統(tǒng)的報(bào)告：維持美國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍地位》。報(bào)告稱(chēng)中國(guó)...

2017-02-11 標(biāo)簽： 3101

臺(tái)積電又要領(lǐng)跑7nm工藝，英特爾連三星都干不過(guò)？

Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠(chǎng)，3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝，拉開(kāi)了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。 Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠(chǎng)，3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝，拉開(kāi)了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)...

2017-02-11 標(biāo)簽： 634

14nm工藝，又被英特爾擠出個(gè)8代酷睿處理器

14nm要宣告終結(jié)了嗎，一個(gè)不那么振奮的消息傳來(lái)!Intel在今天的投資會(huì)議上正式宣布了8代酷睿處理器，率先披露的是i7-8000系列，定于今年下半年亮相。 14nm要宣告終結(jié)了嗎，一個(gè)不那么振奮的消...

2017-02-11 標(biāo)簽： 353

困擾肖特基半導(dǎo)體50余年的難題或?qū)⒈皇┢平?></a></div>
<div id="muikaa0wy" class="a-content">
<h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/article/90/156/2020/0923483542.html" title="困擾肖特基半導(dǎo)體50余年的難題或?qū)⒈皇┢平? target="_blank">困擾肖特基半導(dǎo)體50余年的難題或?qū)⒈皇┢平?/a></h3>
<p class="a-summary">韓國(guó)蔚山國(guó)立科技大學(xué)(UNIST)的一個(gè)科研團(tuán)隊(duì)在傳統(tǒng)肖特基半導(dǎo)體的金屬和半導(dǎo)體材料之間插入石墨烯，制備出了一種新型的肖特基二極管，大大提高了二極管的性能。他們的研究成果有望解決...</p>

<p class="one-more clearfix" style="display: flex;">
<a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a>
<span id="muikaa0wy" class="time">2017-02-11</span>
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<span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：</span>
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<h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/article/90/156/2020/0923483541.html" title="半導(dǎo)體五年內(nèi)進(jìn)入將2納米，臺(tái)灣欲靠基礎(chǔ)研究突破物理極限" target="_blank">半導(dǎo)體五年內(nèi)進(jìn)入將2納米，臺(tái)灣欲靠基礎(chǔ)研究突破物理極限</a></h3>
<p class="a-summary">臺(tái)積電10納米量產(chǎn)目前已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米。臺(tái)灣科技部長(zhǎng)陳良基今天表示，美國(guó)特斯拉總裁伊隆馬斯克(Elon Musk)已對(duì)外表示，2030年將送人類(lèi)到火星，屆...</p>

<p class="one-more clearfix" style="display: flex;">
<a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a>
<span id="muikaa0wy" class="time">2017-02-11</span>
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<span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：</span>
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<h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/article/90/156/2017/0210483230.html" title="Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET" target="_blank">Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET</a></h3>
<p class="a-summary">賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻...</p>

<p class="one-more clearfix" style="display: flex;">
<a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a>
<span id="muikaa0wy" class="time">2017-02-10</span>
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<span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：<a target="_blank" href="/tags/MOSFET/" class="blue">MOSFET</a><a target="_blank" href="/tags/Vishay/" class="blue">Vishay</a><a target="_blank" href="/tags/%E9%80%9A%E4%BF%A1%E7%94%B5%E6%BA%90/" class="blue">通信電源</a></span>
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<h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/article/90/156/2017/0210483201.html" title="投資超過(guò)百億美元格芯12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)落戶(hù)成都" target="_blank">投資超過(guò)百億美元格芯12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)落戶(hù)成都</a></h3>
<p class="a-summary">中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又傳來(lái)重大消息。今日，全球第二大晶圓代工廠(chǎng)格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司在成都高新區(qū)正式宣布，攜手成都市政府建立全新的合資晶圓制造廠(chǎng)。據(jù)悉，該基地將建設(shè)中國(guó)西南...</p>

<p class="one-more clearfix" style="display: flex;">
<a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a>
<span id="muikaa0wy" class="time">2017-02-10</span>
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<span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：<a target="_blank" href="/tags/%E8%8A%AF%E7%89%87/" class="blue">芯片</a><a target="_blank" href="/tags/%E6%A0%BC%E7%BD%97%E6%96%B9%E5%BE%B7/" class="blue">格羅方德</a><a target="_blank" href="/tags/12%E8%8B%B1%E5%AF%B8%E6%99%B6%E5%9C%86/" class="blue">12英寸晶圓</a><a target="_blank" href="/tags/%E6%A0%BC%E8%8A%AF/" class="blue">格芯</a></span>
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<div id="muikaa0wy" class="a-thumb"><a href="http://m.sdkjxy.cn/article/90/156/2017/0210483184.html" target="_blank"><img src=

中國(guó)晶圓廠(chǎng)可以從臺(tái)積電學(xué)到什么？

中國(guó)正在大規(guī)模投資建設(shè)半導(dǎo)體，但由于技術(shù)所限，目前基本上都是集中在比國(guó)際先進(jìn)水平落后一到兩代的技術(shù)上投入。但是半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者發(fā)現(xiàn)，某些從業(yè)人員或者旁觀者會(huì)有“中國(guó)投資...

2017-02-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓 3952

技術(shù)第一的高通都岌岌可危其他Fabless怎么辦？

有不少人看到高通因?yàn)閷?zhuān)利霸權(quán)被懲罰而拍手叫好。然而，我對(duì)于這件事卻感到深深的憂(yōu)慮。不要忘了，高通除了是專(zhuān)利大佬以外，還是全球Fabless芯片公司的領(lǐng)頭羊，握有全球最先進(jìn)的技術(shù)，...

2017-02-10 標(biāo)簽：高通半導(dǎo)體 Fabless 1668

臺(tái)積電與三星針對(duì)7nm制程技術(shù)觀點(diǎn)截然不同

在近日于美國(guó)舉行的年度國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星（Samsung）與臺(tái)積電（TSMC）針對(duì)7納米制程技術(shù)，分別提供了截然不同的觀點(diǎn)；兩家公司都是介紹SRAM技術(shù)進(jìn)展，而該技術(shù)通常都是新一...

2017-02-10 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 7nm制程 1621

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