薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線
導(dǎo)語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向....
CMOS工藝流程簡介
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計的核心,它利用了N型和P型MOSFET(金屬氧....
低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度....
定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法
定向自組裝光刻技術(shù)通過材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合,正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)....
FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響
本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA(Gate-All-Around)時工藝面臨的影響。
芯片制造中自對準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹
但當(dāng)芯片做到22納米時,工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫接觸孔時,稍有一點(diǎn)偏差就會導(dǎo)致芯片報廢。 自....
芯片前端設(shè)計與后端設(shè)計的區(qū)別
前端設(shè)計(Front-end Design):聚焦于電路的邏輯功能實(shí)現(xiàn)。本質(zhì)上是在“紙上”設(shè)計電路,....
詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)
集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計、芯片制造、封裝測試三大領(lǐng)域。其中,芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行....
芯片前端設(shè)計中常用的軟件和工具
前端設(shè)計是數(shù)字芯片開發(fā)的初步階段,其核心目標(biāo)是從功能規(guī)格出發(fā),最終獲得門級網(wǎng)表(Netlist)。這....
化學(xué)機(jī)械拋光液的基本組成
化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝中關(guān)鍵的功能性耗材,其本質(zhì)是一個多組分的液體復(fù)合體系,在拋....
宇航級封裝簡介
在現(xiàn)代電子工業(yè)領(lǐng)域,依據(jù)使用環(huán)境、性能參數(shù)及可靠性標(biāo)準(zhǔn),電子器件可以被系統(tǒng)劃分為商業(yè)級、工業(yè)級、汽車....
詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)
CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜生長的過程,較短的工藝時間以及所制備薄膜....
FPGA芯片的概念和結(jié)構(gòu)
FPGA(Field Programmable Gate Array,現(xiàn)場可編程門陣列),是一種可在....