傳統(tǒng)的透射電鏡（TEM）技術(shù)往往只能提供材料在靜態(tài)條件下的結(jié)構(gòu)信息，無法滿足科研人員對材料在實際應(yīng)用....

在 MEMS（微機電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)....

光學(xué)直角棱鏡是一種常見的光學(xué)元件，它能夠?qū)⒐饩€的傳播方向精確地偏轉(zhuǎn)90度。這種功能看似簡單，卻在許多....

聚焦離子束（FIB）在材料科學(xué)和微納加工領(lǐng)域內(nèi)的重要性日益顯現(xiàn)，離子束的傳輸過程由多個關(guān)鍵組件構(gòu)成，....

高質(zhì)量的材料制備是一切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過程?

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常....

在芯片的硅基世界中，硼離子注入（Boron Implant） 如同納米級的外科手術(shù)——通過精準控制高....

激光劃片機是利用高能激光束對晶圓等材料進行切割或開槽的精密加工設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、光學(xué)器....

晶圓經(jīng)切割后，表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物，這些物質(zhì)會對后續(xù)工序中芯片....

在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統(tǒng)二氧化硅....

所謂塑封，是指將構(gòu)成電子元器件或集成電路的各部件按規(guī)范要求進行合理布置、組裝與連接，并通過隔離技術(shù)使....

在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可....

硅晶圓揀選測試作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵質(zhì)量控制環(huán)節(jié)，旨在通過系統(tǒng)性電氣檢測篩選出功能異常的芯片。該....

引線框架（Lead Frame）是一種金屬結(jié)構(gòu)，主要用于半導(dǎo)體芯片的封裝中，作用就像橋梁——它連接芯....

在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，....

ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫....

通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質(zhì)硬脆特性，無法直接用于半導(dǎo)體芯片制造，需經(jīng)過機械加工、化學(xué)處....

晶面和晶向是晶體學(xué)中兩個核心的概念，它們與硅基集成電路工藝中的晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系。

晶圓級扇出封裝（FO-WLP）通過環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）擴展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O....

本文介紹了在射頻前端模塊（RF-FEM）中使用的集成無源元件（IPD）技術(shù)。

打線鍵合就是將芯片上的電信號從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細的金屬線（多為金線、鋁線或銅....

自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)....

在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下，封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價值不僅體現(xiàn)于物....

貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍色，業(yè)內(nèi)常稱為“....

在芯片制程進入納米時代后，一個看似矛盾的難題浮出水面：如何在不損傷脆弱納米結(jié)構(gòu)的前提下，徹底清除深孔....

“減薄”，也叫 Back Grinding（BG），是將晶圓（Wafer）背面研磨至目標厚度的工藝步....

干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準刻蝕，其技術(shù)特性與....

在芯片制造中，光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級的電路圖案。然而，當(dāng)制程進入7納米以下，傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼....

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進程緊密交織。盡管在先進制程中因....

化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷....